| No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
| 58961 | 2SJ0536 | Dispositivo small-signal - fETs small-signal - fETs del MOS | Panasonic |
| 58962 | 2SJ0536G | Silicio MOSFET a canale P | Panasonic |
| 58963 | 2SJ0582 | Dispositivo Di Alimentazione - FETs del MOS Di Alimentazione | Panasonic |
| 58964 | 2SJ0672 | Dispositivo small-signal - fETs small-signal - fETs del MOS | Panasonic |
| 58965 | 2SJ0674 | Silicon P-channel MOS FET | Panasonic |
| 58966 | 2SJ0674G | Silicon P-channel MOS FET | Panasonic |
| 58967 | 2SJ0675 | Silicio MOSFET a canale P | Panasonic |
| 58968 | 2SJ103 | Tipo della giunzione della Manica del silicone P del transistore di effetto di campo per l'amplificatore audio, l'interruttore analog, la corrente costante e le applicazioni del convertitore di impedenza | TOSHIBA |
| 58969 | 2SJ104 | Tipo della giunzione della Manica del silicone P del transistore di effetto di campo per l'amplificatore audio, l'interruttore analog, la corrente costante e le applicazioni del convertitore di impedenza | TOSHIBA |
| 58970 | 2SJ105 | Tipo della giunzione della Manica del silicone P del transistore di effetto di campo per l'amplificatore audio, l'interruttore analog, la corrente costante e le applicazioni del convertitore di impedenza | TOSHIBA |
| 58971 | 2SJ106 | Applicazioni Correnti Costanti Del Convertitore Di Impedenza Di Applicazioni Di Applicazioni Analog Dell'Interruttore Di Applicazioni Dell'Amplificatore Di Frequenza Audio Del Tipo Della Giunzione Della Manica Del Silicone P Del Transistor | TOSHIBA |
| 58972 | 2SJ107 | Tipo della giunzione della Manica del silicone P del transistore di effetto di campo per l'amplificatore audio, l'interruttore analog, la corrente costante e le applicazioni del convertitore di impedenza | TOSHIBA |
| 58973 | 2SJ108 | Applicazioni Audio Dell'Amplificatore Per la misurazione del rumore Basso Del Tipo Della Giunzione Della Manica Del Silicone P Del Transistore Di Effetto Di Campo | TOSHIBA |
| 58974 | 2SJ109 | TIPO Della GIUNZIONE Di P CAHNNEL (APPLICAZIONI Dell'cAmplificatore AUDIO PER LA MISURAZIONE DEL RUMORE BASSO/AMPLIFICATORE DIFFERENZIALE) | TOSHIBA |
| 58975 | 2SJ113 | FET DEL MOS DEL SILICONE P-CHANNEL | Hitachi Semiconductor |
| 58976 | 2SJ113 | FET DEL MOS DEL SILICONE P-CHANNEL | Hitachi Semiconductor |
| 58977 | 2SJ115 | FET DEL MOS DEL SILICONE P-CHANNEL | Unknow |
| 58978 | 2SJ115 | FET DEL MOS DEL SILICONE P-CHANNEL | Unknow |
| 58979 | 2SJ116 | FET DEL MOS DEL SILICONE P-CHANNEL | Hitachi Semiconductor |
| 58980 | 2SJ116 | FET DEL MOS DEL SILICONE P-CHANNEL | Hitachi Semiconductor |
| 58981 | 2SJ117 | Fet del MOS Della P-Scanalatura Del Silicone | Hitachi Semiconductor |
| 58982 | 2SJ118 | FET DEL MOS DEL SILICONE P-CHANNEL | Unknow |
| 58983 | 2SJ118 | FET DEL MOS DEL SILICONE P-CHANNEL | Unknow |
| 58984 | 2SJ119 | FET DEL MOS DEL SILICONE P-CHANNEL | Unknow |
| 58985 | 2SJ119 | FET DEL MOS DEL SILICONE P-CHANNEL | Unknow |
| 58986 | 2SJ125 | 150mW SMD J-FET (Field-Effect Transistor), la massima valutazione: 50V Vgdo, -10mA Ig, -1 a -12 mA Idss. | Isahaya Electronics Corporation |
| 58987 | 2SJ128 | Transistore di alimentazione di effetto del campo elettrico del MOS | NEC |
| 58988 | 2SJ128-Z | Transistore di alimentazione di effetto del campo elettrico del MOS | NEC |
| 58989 | 2SJ130 | Fet del MOS Della P-Scanalatura Del Silicone | Hitachi Semiconductor |
| 58990 | 2SJ130(L) | MOSFET di commutazione di potenza | Hitachi Semiconductor |
| 58991 | 2SJ130(L)/(S) | Fet del MOS Della P-Scanalatura Del Silicone | Hitachi Semiconductor |
| 58992 | 2SJ130(S) | MOSFET di commutazione di potenza | Hitachi Semiconductor |
| 58993 | 2SJ130L | Fet del MOS Della P-Scanalatura Del Silicone | Hitachi Semiconductor |
| 58994 | 2SJ130L | Transistors>Switching/MOSFETs | Renesas |
| 58995 | 2SJ130S | Fet del MOS Della P-Scanalatura Del Silicone | Hitachi Semiconductor |
| 58996 | 2SJ130S | Transistors>Switching/MOSFETs | Renesas |
| 58997 | 2SJ132 | Transistore di alimentazione di effetto del campo elettrico del MOS | NEC |
| 58998 | 2SJ132-Z | Transistore di alimentazione di effetto del campo elettrico del MOS | NEC |
| 58999 | 2SJ133 | Transistore di alimentazione di effetto del campo elettrico del MOS | NEC |
| 59000 | 2SJ133-Z | Transistore di alimentazione di effetto del campo elettrico del MOS | NEC |
| | | |
