No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
59281 | 2SJ327-Z | USO INDUSTRIALE del Fet del MOS di ALIMENTAZIONE Della P-scanalatura di COMMUTAZIONE | NEC |
59282 | 2SJ327-Z-E1 | tipo di aumento della P-scanalatura | NEC |
59283 | 2SJ327-Z-E2 | tipo di aumento della P-scanalatura | NEC |
59284 | 2SJ327-Z-T1 | tipo di aumento della P-scanalatura | NEC |
59285 | 2SJ327-Z-T2 | tipo di aumento della P-scanalatura | NEC |
59286 | 2SJ328 | USO INDUSTRIALE del Fet del MOS di ALIMENTAZIONE Della P-scanalatura di COMMUTAZIONE | NEC |
59287 | 2SJ328-S | tipo di aumento della P-scanalatura | NEC |
59288 | 2SJ328-Z | USO INDUSTRIALE del Fet del MOS di ALIMENTAZIONE Della P-scanalatura di COMMUTAZIONE | NEC |
59289 | 2SJ328-Z-E1 | tipo di aumento della P-scanalatura | NEC |
59290 | 2SJ328-Z-E2 | tipo di aumento della P-scanalatura | NEC |
59291 | 2SJ329 | USO INDUSTRIALE del Fet del MOS di ALIMENTAZIONE Della P-scanalatura di COMMUTAZIONE | NEC |
59292 | 2SJ330 | USO INDUSTRIALE del Fet del MOS di ALIMENTAZIONE Della P-scanalatura di COMMUTAZIONE | NEC |
59293 | 2SJ331 | USO INDUSTRIALE del Fet del MOS di ALIMENTAZIONE Della P-scanalatura di COMMUTAZIONE | NEC |
59294 | 2SJ334 | Applicazioni del convertitore del DC di CC del tipo del MOS della Manica del silicone P del transistore di effetto di campo (L2-pi-MOSV), dell'azionamento del relč e dell'azionamento del motore | TOSHIBA |
59295 | 2SJ337 | Applicazioni Molto Ad alta velocitą Di Commutazione | SANYO |
59296 | 2SJ338 | Applicazione Dell'Amplificatore Di Alimentazione Di Frequenza Audio Del Tipo del MOS Della Manica Del Silicone P Del Transistore Di Effetto Di Campo | TOSHIBA |
59297 | 2SJ339 | Applicazioni Di Commutazione Di Ultraelevato-Velocitą del Mosfet Del Silicone Della P-Scanalatura | SANYO |
59298 | 2SJ340 | Applicazioni Di Commutazione Di Ultraelevato-Velocitą del Mosfet Del Silicone Della P-Scanalatura | SANYO |
59299 | 2SJ342 | Applicazioni Ad alta velocitą Di Analogo Di Applicazioni Di Commutazione Del Tipo del MOS Della Manica Del Silicone P Del Transistore Di Effetto Di Campo | TOSHIBA |
59300 | 2SJ343 | Applicazioni Ad alta velocitą Di Analogo Di Applicazioni Di Commutazione Del Tipo del MOS Della Manica Del Silicone P Del Transistore Di Effetto Di Campo | TOSHIBA |
59301 | 2SJ344 | Applicazioni Ad alta velocitą Di Analogo Di Applicazioni Di Commutazione Del Tipo del MOS Della Manica Del Silicone P Del Transistore Di Effetto Di Campo | TOSHIBA |
59302 | 2SJ345 | Applicazioni Ad alta velocitą Di Analogo Di Applicazioni Di Commutazione Del Tipo del MOS Della Manica Del Silicone P Del Transistore Di Effetto Di Campo | TOSHIBA |
59303 | 2SJ346 | Applicazioni Ad alta velocitą Di Analogo Di Applicazioni Di Commutazione Del Tipo del MOS Della Manica Del Silicone P Del Transistore Di Effetto Di Campo | TOSHIBA |
59304 | 2SJ347 | Applicazioni Ad alta velocitą Di Analogo Di Applicazioni Di Commutazione Del Tipo del MOS Della Manica Del Silicone P Del Transistore Di Effetto Di Campo | TOSHIBA |
59305 | 2SJ348 | Alti MOSFETs Dell'Uscita | SANYO |
59306 | 2SJ349 | Applicazioni del convertitore del DC di CC del tipo del MOS della Manica del silicone P del transistore di effetto di campo (L2-pi-MOSV), dell'azionamento del relč e dell'azionamento del motore | TOSHIBA |
59307 | 2SJ350 | Fet del MOS Della P-Scanalatura Del Silicone | Hitachi Semiconductor |
59308 | 2SJ350 | Fet del MOS Della P-Scanalatura Del Silicone | Hitachi Semiconductor |
59309 | 2SJ350 | Transistors>Switching/MOSFETs | Renesas |
59310 | 2SJ351 | Fet del MOS Della P-Scanalatura Del Silicone | Hitachi Semiconductor |
59311 | 2SJ351 | Fet del MOS Della P-Scanalatura Del Silicone | Hitachi Semiconductor |
59312 | 2SJ351 | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
59313 | 2SJ352 | Fet del MOS Della P-Scanalatura Del Silicone | Hitachi Semiconductor |
59314 | 2SJ352 | Fet del MOS Della P-Scanalatura Del Silicone | Hitachi Semiconductor |
59315 | 2SJ352 | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
59316 | 2SJ353 | Fet del MOS Della P-scanalatura PER L'Alta COMMUTAZIONE Di Velocitą | NEC |
59317 | 2SJ353-T | transistore di effetto del giacimento del silicone del MOS-tipo della P-scanalatura (-60 | NEC |
59318 | 2SJ355 | Fet del MOS Della P-scanalatura PER L'ALTA COMMUTAZIONE | NEC |
59319 | 2SJ355-T1 | Fet del MOS Della P-scanalatura (-30V, +-Ą) | NEC |
59320 | 2SJ355-T2 | Fet del MOS Della P-scanalatura (-30V, +-Ą) | NEC |
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