|   Home   |   Tutti i fornitori   |   Dalla funzione   |  

Numero parte, la descrizione o il produttore contenere:    
Salto rapido a:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Datasheets ha trovato :: 1351360Pagina: << | 15259 | 15260 | 15261 | 15262 | 15263 | 15264 | 15265 | 15266 | 15267 | 15268 | 15269 | >>
No.Nome della parteDescrizioneFabbricatore
610521KM416RD8AD-RK80256K x 16 x 32s banche dipendenti RDRAM diretta. Tempo di accesso: 45 ns, velocitą: 800 Mbps (400 MHz).Samsung Electronic
610522KM416RD8ASRDRAM DirettoSamsung Electronic
610523KM416RD8AS-RBM80128Mbit RDRAM 256K x 16 serie dipendenti 2*16 del bit x dirigono RDRAMTM per il pacchetto del consumatoreSamsung Electronic
610524KM416RD8AS-RM80256K x 16 x 32s banche che dipendono per il pacchetto dei consumatori. Tempo di accesso: 40 ns, velocitą: 800 Mbps (400 MHz).Samsung Electronic
610525KM416RD8AS-SCM80128Mbit RDRAM 256K x 16 serie dipendenti 2*16 del bit x dirigono RDRAMTM per il pacchetto del consumatoreSamsung Electronic
610526KM416RD8AS-SM80256K x 16 x 32s banche che dipendono per il pacchetto dei consumatori. Tempo di accesso: 40 ns, velocitą: 800 Mbps (400 MHz).Samsung Electronic
610527KM416RD8C128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 serie dipendenti del bit x di 2*16 dirigono RDRAMTMSamsung Electronic
610528KM416RD8D128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 serie dipendenti del bit x di 2*16 dirigono RDRAMTMSamsung Electronic
610529KM416S1120D512K x 16bit x un DRAM sincrono LVTTL delle 2 Bancheetc
610530KM416S1120DT-G/F10512K x 16bit x un DRAM sincrono LVTTL delle 2 Bancheetc
610531KM416S1120DT-G/F7512K x 16bit x un DRAM sincrono LVTTL delle 2 Bancheetc
610532KM416S1120DT-G/F8512K x 16bit x un DRAM sincrono LVTTL delle 2 Bancheetc
610533KM416S1120DT-G/FC512K x 16bit x un DRAM sincrono LVTTL delle 2 Bancheetc
610534KM416S4030C1M x 16Bit x un DRAM sincrono delle 4 BancheSamsung Electronic
610535KM416S4030CT-F101M x 16Bit x un DRAM sincrono delle 4 BancheSamsung Electronic
610536KM416S4030CT-F71M x 16Bit x un DRAM sincrono delle 4 BancheSamsung Electronic
610537KM416S4030CT-F81M x 16Bit x un DRAM sincrono delle 4 BancheSamsung Electronic
610538KM416S4030CT-FH1M x 16Bit x un DRAM sincrono delle 4 BancheSamsung Electronic
610539KM416S4030CT-FL1M x 16Bit x un DRAM sincrono delle 4 BancheSamsung Electronic



610540KM416S4030CT-G1M x 16Bit x un DRAM sincrono delle 4 BancheSamsung Electronic
610541KM416S4030CT-G764Mbit (1M x 16 bit x 4 banche) bynchronous DRAMA LVTTL, 143MHzSamsung Electronic
610542KM416S4030CT-G864Mbit (1M x 16 bit x 4 banche) bynchronous DRAMA LVTTL, 125MHzSamsung Electronic
610543KM416S4030CT-GH64Mbit (1M x 16 bit x 4 banche) bynchronous DRAMA LVTTL, 100MHzSamsung Electronic
610544KM416S4030CT-GL64Mbit (1M x 16 bit x 4 banche) bynchronous DRAMA LVTTL, 100MHzSamsung Electronic
610545KM416S4030CT-L1064Mbit (1M x 16 bit x 4 banche) bynchronous DRAMA LVTTL, 100MHzSamsung Electronic
610546KM416S80302M x 16Bit x un DRAM sincrono delle 4 serieSamsung Electronic
610547KM416S8030B2M x 16Bit x un DRAM sincrono LVTTL delle 4 serieSamsung Electronic
610548KM416S8030BT-G/F10128Mbit SDRAM 2M x 16Bit x un DRAM sincrono LVTTL delle 4 serieSamsung Electronic
610549KM416S8030BT-G/F8128Mbit SDRAM 2M x 16Bit x un DRAM sincrono LVTTL delle 4 serieSamsung Electronic
610550KM416S8030BT-G/FA128Mbit SDRAM 2M x 16Bit x un DRAM sincrono LVTTL delle 4 serieSamsung Electronic
610551KM416S8030BT-G/FH128Mbit SDRAM 2M x 16Bit x un DRAM sincrono LVTTL delle 4 serieSamsung Electronic
610552KM416S8030BT-G/FL128Mbit SDRAM 2M x 16Bit x un DRAM sincrono LVTTL delle 4 serieSamsung Electronic
610553KM416S8030T-G/F102M x 16Bit x un DRAM sincrono delle 4 serieSamsung Electronic
610554KM416S8030T-G/F82M x 16Bit x un DRAM sincrono delle 4 serieSamsung Electronic
610555KM416S8030T-G/FH2M x 16Bit x un DRAM sincrono delle 4 serieSamsung Electronic
610556KM416S8030T-G/FL2M x 16Bit x un DRAM sincrono delle 4 serieSamsung Electronic
610557KM416V1000BRAM dinamica del 1M x 16Bit CMOS con il modo veloce della paginaSamsung Electronic
610558KM416V1000BJ-51m x 16 bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
610559KM416V1000BJ-61m x 16 bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
610560KM416V1000BJ-71m x 16 bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, 3.3V, 70nsSamsung Electronic
Datasheets ha trovato :: 1351360Pagina: << | 15259 | 15260 | 15261 | 15262 | 15263 | 15264 | 15265 | 15266 | 15267 | 15268 | 15269 | >>
English Version for this page Version franēaise pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versión espańola para esta pįgina Versćo portuguese para esta pįgina Russian version Versiunea romaneasca



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com