|   Home   |   Tutti i fornitori   |   Dalla funzione   |

Numero parte, la descrizione o il produttore contenere:

Salto rapido a:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA

Datasheets ha trovato :: 1351360

Pagina: << | 15270 | 15271 | 15272 | 15273 | 15274 | 15275 | 15276 | 15277 | 15278 | 15279 | 15280 | >>

No.	Nome della parte	Descrizione	Fabbricatore
610961	KM44C4104A-6	60ns; V (cc / in / out): da -1 a + 7V; 1W; 4M x 4 bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi su	Samsung Electronic
610962	KM44C4104A-7	70ns; V (cc / in / out): da -1 a + 7V; 1W; 4M x 4 bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi su	Samsung Electronic
610963	KM44C4104A-8	80ns; V (cc / in / out): da -1 a + 7V; 1W; 4M x 4 bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi su	Samsung Electronic
610964	KM44C4104AL-5	50ns; V (cc / in / out): da -1 a + 7V; 1W; 4M x 4 bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi su	Samsung Electronic
610965	KM44C4104AL-6	60ns; V (cc / in / out): da -1 a + 7V; 1W; 4M x 4 bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi su	Samsung Electronic
610966	KM44C4104AL-7	70ns; V (cc / in / out): da -1 a + 7V; 1W; 4M x 4 bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi su	Samsung Electronic
610967	KM44C4104AL-8	80ns; V (cc / in / out): da -1 a + 7V; 1W; 4M x 4 bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi su	Samsung Electronic
610968	KM44C4104ALL-5	50ns; V (cc / in / out): da -1 a + 7V; 1W; 4M x 4 bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi su	Samsung Electronic
610969	KM44C4104ALL-6	60ns; V (cc / in / out): da -1 a + 7V; 1W; 4M x 4 bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi su	Samsung Electronic
610970	KM44C4104ALL-7	70ns; V (cc / in / out): da -1 a + 7V; 1W; 4M x 4 bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi su	Samsung Electronic
610971	KM44C4104ALL-8	80ns; V (cc / in / out): da -1 a + 7V; 1W; 4M x 4 bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi su	Samsung Electronic
610972	KM44C4104ASL-5	50ns; V (cc / in / out): da -1 a + 7V; 1W; 4M x 4 bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi su	Samsung Electronic
610973	KM44C4104ASL-6	60ns; V (cc / in / out): da -1 a + 7V; 1W; 4M x 4 bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi su	Samsung Electronic
610974	KM44C4104ASL-7	70ns; V (cc / in / out): da -1 a + 7V; 1W; 4M x 4 bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi su	Samsung Electronic
610975	KM44C4104ASL-8	80ns; V (cc / in / out): da -1 a + 7V; 1W; 4M x 4 bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi su	Samsung Electronic
610976	KM44C4105C	DRAM di CAS del quad di 4M x 4Bit CMOS con i dati estesi fuori	Samsung Electronic
610977	KM44C4105CK-5	4M CMOS x 4bit quad CAS DRAM con i dati estesi fuori, 50ns	Samsung Electronic
610978	KM44C4105CK-6	4M CMOS x 4bit quad CAS DRAM con i dati estesi fuori, 60ns	Samsung Electronic

610979	KM44C4105CKL-5	4M CMOS x 4bit quad CAS DRAM con i dati estesi fuori, 50ns	Samsung Electronic
610980	KM44C4105CKL-6	4M CMOS x 4bit quad CAS DRAM con i dati estesi fuori, 60ns	Samsung Electronic
610981	KM44C4105CS-5	4M CMOS x 4bit quad CAS DRAM con i dati estesi fuori, 50ns	Samsung Electronic
610982	KM44C4105CS-6	4M CMOS x 4bit quad CAS DRAM con i dati estesi fuori, 60ns	Samsung Electronic
610983	KM44C4105CSL-5	4M CMOS x 4bit quad CAS DRAM con i dati estesi fuori, 50ns	Samsung Electronic
610984	KM44C4105CSL-6	4M CMOS x 4bit quad CAS DRAM con i dati estesi fuori, 60ns	Samsung Electronic
610985	KM44L32031BT	128CMb DDR SDRAM	Samsung Electronic
610986	KM44L32031BT-F0	128 Mb DDR SDRAM. Versione 0.61, freq di funzionamento. 100 MHz, velocità di 10 ns.	Samsung Electronic
610987	KM44L32031BT-FY	128 Mb DDR SDRAM. Versione 0.61, freq di funzionamento. 133 MHz, velocità di 7,5 ns.	Samsung Electronic
610988	KM44L32031BT-FZ	128 Mb DDR SDRAM. Versione 0.61, freq di funzionamento. 133 MHz, velocità di 7,5 ns.	Samsung Electronic
610989	KM44L32031BT-G(F)0	Versione 0,61 Di Specifica di DDR SDRAM	Samsung Electronic
610990	KM44L32031BT-G(F)Y	Versione 0,61 Di Specifica di DDR SDRAM	Samsung Electronic
610991	KM44L32031BT-G(F)Z	Versione 0,61 Di Specifica di DDR SDRAM	Samsung Electronic
610992	KM44L32031BT-G(L)0	Versione 1,0 Di Specifica di DDR SDRAM	Samsung Electronic
610993	KM44L32031BT-G(L)Y	Versione 1,0 Di Specifica di DDR SDRAM	Samsung Electronic
610994	KM44L32031BT-G(L)Z	Versione 1,0 Di Specifica di DDR SDRAM	Samsung Electronic
610995	KM44L32031BT-G0	128 Mb DDR SDRAM. Versione 0.61, freq di funzionamento. 100 MHz, velocità di 10 ns.	Samsung Electronic
610996	KM44L32031BT-GY	128 Mb DDR SDRAM. Versione 0.61, freq di funzionamento. 133 MHz, velocità di 7,5 ns.	Samsung Electronic
610997	KM44L32031BT-GZ	128 Mb DDR SDRAM. Versione 0.61, freq di funzionamento. 133 MHz, velocità di 7,5 ns.	Samsung Electronic
610998	KM44S16030BT-G_F10	100MHz; -1,0 A 4,6 V; 1W; 50mA; 4M x 4 bit x 4 Banche sincrono CMOS SDRAM	Samsung Electronic
610999	KM44S16030BT-G_F8	125MHz; -1,0 A 4,6 V; 1W; 50mA; 4M x 4 bit x 4 Banche sincrono CMOS SDRAM	Samsung Electronic
611000	KM44S16030BT-G_FH	100MHz; -1,0 A 4,6 V; 1W; 50mA; 4M x 4 bit x 4 Banche sincrono CMOS SDRAM	Samsung Electronic

Datasheets ha trovato :: 1351360

Pagina: << | 15270 | 15271 | 15272 | 15273 | 15274 | 15275 | 15276 | 15277 | 15278 | 15279 | 15280 | >>

© 2024 - www.DatasheetCatalog.com