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Salto rapido a: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
IRF610 prodotto da: |
Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 200V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 2.5A. D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati: IRF611, IRF613, IRF612, |
Scarica IRF610 datasheet de General Electric Solid State |
pdf 170 kb |
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Mosfet Di Alimentazione 200V/Di 3.Á/1,500 Ohm/N-Scanalatura | Scarica IRF610 datasheet de Intersil |
pdf 60 kb |
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3.Á, 200V, 1,500 Ohm, Mosfet Di Alimentazione Della N-Scanalatura | Scarica IRF610 datasheet de Fairchild Semiconductor |
pdf 96 kb |
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200V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di To-220ab D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati: IRF610PBF, |
Scarica IRF610 datasheet de International Rectifier |
pdf 180 kb |
IRF5YZ48CM | Vista IRF610 al nostro catalogo | IRF610-613 |