Nr. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
1 | 128MX72 SDRAM (INTEL 1.2 VER BASE) | 128Mx72 SDRAM DIMM con PLL & il registro basati su 128Mx4 impilato, 4Banks 8K rif., 3.3V SDRAMs con presenza di serie Detec di SPD | Samsung Electronic |
2 | 128MX72 SDRAM (INTEL 1.2 VER BASE) | 128Mx72 SDRAM DIMM con PLL & il registro basati su 128Mx4 impilato, 4Banks 8K rif., 3.3V SDRAMs con il foglio di dati di SPD | Samsung Electronic |
3 | 128MX72 SDRAM (INTEL 1.2 VER BASE) | 128Mx72 SDRAM DIMM con PLL & il registro basati su 128Mx4 impilato, 4Banks 8K rif., 3.3V SDRAMs con il foglio di dati di SPD | Samsung Electronic |
4 | 16L102DA4 | MODULO DI ESPOSIZIONE FLUORESCENTE DI VUOTO | Samsung Electronic |
5 | 16T202DA1J | MODULO DI ESPOSIZIONE FLUORESCENTE DI VUOTO | Samsung Electronic |
6 | 20S207DA4 | MODULO DI ESPOSIZIONE FLUORESCENTE DI VUOTO | Samsung Electronic |
7 | 256MBDDRSDRAM | DDRSDRAMSpecificationVersion0.3 | Samsung Electronic |
8 | 2N3903 | transistore epitassiale del silicone del npn | Samsung Electronic |
9 | 2N3905 | TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI PNP | Samsung Electronic |
10 | 2N4123 | TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI NPN | Samsung Electronic |
11 | 2N4124 | TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI NPN | Samsung Electronic |
12 | 2N4125 | TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI PNP | Samsung Electronic |
13 | 2N4126 | TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI PNP | Samsung Electronic |
14 | 2N5086 | TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI PNP | Samsung Electronic |
15 | 2N5089 | TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI NPN | Samsung Electronic |
16 | 2N5210 | TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI NPN | Samsung Electronic |
17 | 2N5400 | TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI PNP | Samsung Electronic |
18 | 2N5401 | TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI PNP | Samsung Electronic |
19 | 2N5550 | TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI NPN | Samsung Electronic |
20 | 2N6427 | TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DARLINGTON DI NPN | Samsung Electronic |
21 | 2N6428 | TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI NPN | Samsung Electronic |
22 | 2N6428A | TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI NPN | Samsung Electronic |
23 | 2N6516 | TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI NPN | Samsung Electronic |
24 | 2N6517 | TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI NPN | Samsung Electronic |
25 | 2N6518 | TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI PNP | Samsung Electronic |
26 | 2N6519 | TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI PNP | Samsung Electronic |
27 | 2N6520 | TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI PNP | Samsung Electronic |
28 | 62256 | RAM bassa di elettricitą statica di CMOS di alimentazione della punta 32Kx8 | Samsung Electronic |
29 | B772 | PNP (COMMUTAZIONE A BASSA VELOCITĄ DELL'CAmplificatore DI ALIMENTAZIONE DI FREQUENZA AUDIO) | Samsung Electronic |
30 | BCW30 | TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI PNP | Samsung Electronic |
31 | BCW32 | TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI NPN | Samsung Electronic |
32 | BCW33 | TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI NPN | Samsung Electronic |
33 | BCW60A | TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI NPN | Samsung Electronic |
34 | BCW60B | TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI NPN | Samsung Electronic |
35 | BCW60C | TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI NPN | Samsung Electronic |
36 | BCW60D | TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI NPN | Samsung Electronic |
37 | BCW61A | TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI PNP | Samsung Electronic |
38 | BCW61B | TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI PNP | Samsung Electronic |
39 | BCW61C | TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI PNP | Samsung Electronic |
40 | BCW61D | TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI PNP | Samsung Electronic |
41 | BCW69 | TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI PNP | Samsung Electronic |
42 | BCW70 | TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI PNP | Samsung Electronic |
43 | BCW71 | TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI NPN | Samsung Electronic |
44 | BCW72 | TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI NPN | Samsung Electronic |
45 | BCX70G | TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI NPN | Samsung Electronic |
46 | BCX70H | TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI NPN | Samsung Electronic |
47 | BCX70J | TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI NPN | Samsung Electronic |
48 | BCX70K | TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI NPN | Samsung Electronic |
49 | BCX71G | TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI PNP | Samsung Electronic |
50 | BCX71H | TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI PNP | Samsung Electronic |
51 | BCX71J | TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI PNP | Samsung Electronic |
52 | BCX71K | TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI PNP | Samsung Electronic |
53 | BL8531H | 12 Bit 10MSPS ADC | Samsung Electronic |
54 | BL8531H-ADC | 12 Bit 10MSPS ADC | Samsung Electronic |
55 | BU406 | 400 V, 7 A, transistor NPN silicio epitassiale | Samsung Electronic |
56 | BU406H | 400 V, 7 A, transistor NPN silicio epitassiale | Samsung Electronic |
57 | BU407 | TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI NPN | Samsung Electronic |
58 | BU407H | 330 V, 7 A, transistor NPN silicio epitassiale | Samsung Electronic |
59 | BU408 | 400 V, 7 A, transistor NPN silicio epitassiale | Samsung Electronic |
60 | BU806 | 400 V, 8 A, silicio epitassiale transistor NPN Darlington | Samsung Electronic |
61 | BU807 | 400 V, 8 A, silicio epitassiale transistor NPN Darlington | Samsung Electronic |
62 | C9658 | MICROCONTROLLER | Samsung Electronic |
63 | CL10B224 | Condensatore Di ceramica A pił strati | Samsung Electronic |
64 | CL21C220 | Condensatore Di ceramica A pił strati | Samsung Electronic |
65 | CM-1429 | Schema circuitale del PWB | Samsung Electronic |
66 | CM-1829 | Schema circuitale del PWB | Samsung Electronic |
67 | CM1419 | 8-2 Schema circuitale del PWB | Samsung Electronic |
68 | CM1429 | 8-2 Schema circuitale del PWB | Samsung Electronic |
69 | CM1819 | 8-2 Schema circuitale del PWB | Samsung Electronic |
70 | CM1829 | 8-2 Schema circuitale del PWB | Samsung Electronic |
71 | CM1829-1429 | Schema circuitale del PWB | Samsung Electronic |
72 | CMOS DRAM | Modo di EDO, x4 e schema cronometrante del dispositivo x8 | Samsung Electronic |
73 | CMOS SDRAM | Funzionamenti Del Dispositivo di Cmos SDRAM | Samsung Electronic |
74 | CW5322X | SDH104 | Samsung Electronic |
75 | DA22497 | ESTREMITĄ ANTERIORE DI FM | Samsung Electronic |
76 | DA22497D | ESTREMITĄ ANTERIORE DI FM | Samsung Electronic |
77 | DDRSDRAM | Versione 0,61 Di Specifica di DDR SDRAM | Samsung Electronic |
78 | DDRSDRAM1111 | Versione 1,0 Di Specifica di DDR SDRAM | Samsung Electronic |
79 | DIRECT RDRAM | Funzionamento Diretto Del Dispositivo di RDRAM | Samsung Electronic |
80 | DS_K1S161611A | memoria di accesso casuale del Uni-Transistore della punta 1Mx16 | Samsung Electronic |
81 | DS_K1S16161CA | memoria di accesso casuale del Uni-Transistore di modo della pagina della punta 1Mx16 | Samsung Electronic |
82 | DS_K4D263238D | il 1M x 32Bit x 4 serie raddoppia il DRAM sincrono di tasso di dati con lo stroboscopio di dati ed il DLL bidirezionali | Samsung Electronic |
83 | DS_K4S161622D | 1M x 16 SDRAM | Samsung Electronic |
84 | DS_K4S161622E | 1M x 16 SDRAM | Samsung Electronic |
85 | DS_K6F1016U4C | RAM piena di elettricitą statica di CMOS di alimentazione bassaeccellente della punta di 64K x16 e di bassa tensione | Samsung Electronic |
86 | DS_K6F2008U2E | RAM piena di elettricitą statica di CMOS di alimentazione bassa eccellente della punta 256Kx8 e di bassa tensione | Samsung Electronic |
87 | DS_K6F2016U4E | RAM piena di elettricitą statica di CMOS di alimentazione bassa eccellente della punta di 128K x16 e di bassa tensione | Samsung Electronic |
88 | DS_K6F3216T6M | RAM piena di elettricitą statica di CMOS di alimentazione bassa eccellente della punta x16 di 2M e di bassa tensione | Samsung Electronic |
89 | DS_K6F4016U6G | RAM piena di elettricitą statica di CMOS di alimentazione bassa eccellente della punta 256Kx16 e di bassa tensione | Samsung Electronic |
90 | DS_K6F8016U6B | RAM piena di elettricitą statica di CMOS di alimentazione bassa eccellente della punta di 512K x16 e di bassa tensione | Samsung Electronic |
91 | DS_K6F8016U6C | RAM piena di elettricitą statica di CMOS di alimentazione bassa eccellente della punta di 512K x16 e di bassa tensione | Samsung Electronic |
92 | DS_K6X8008C2B | RAM di elettricitą statica di CMOS di alimentazione bassa della punta 1Mx8 e di bassa tensione | Samsung Electronic |
93 | DS_K6X8008TBN | CMOS SRAM | Samsung Electronic |
94 | DS_K6X8016C3B | 64Kx36 & 64Kx32-Bit Burst Canalizzato Sincrono SRAM | Samsung Electronic |
95 | DS_K7A803600B | 256Kx36 | Samsung Electronic |
96 | DS_K7B803625B | 256Kx36 & 512Kx18-Bit Burst Sincrono SRAM | Samsung Electronic |
97 | DS_K7M323625M | 1Mx36 & 2Mx18 Flu-Attraverso NtRAM | Samsung Electronic |
98 | DS_K7M803625B | 256Kx36 & 512Kx18-Bit Attraversano NtRAM | Samsung Electronic |
99 | DS_K7N163601A | 512Kx36 & 1Mx18 Hanno canalizzato NtRAM | Samsung Electronic |
100 | DS_K7N323601M | 1Mx36 & 2Mx18-Bit Hanno canalizzato NtRAM | Samsung Electronic |
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