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Nr.Nome della parteDescrizioneFabbricatore
12N678160 V, 06 ohm, valorizzazione modalitą a canale N D-MOS FET di potenzaTopaz Semiconductor
22N6782100 V, 06 ohm, a canale N enhancement modalitą D-MOS FET di potenzaTopaz Semiconductor
32N700060 V, 5 ohm, valorizzazione modalitą a canale N D-MOS FET di potenzaTopaz Semiconductor
42N710430 V, 70 ohm, a canale N enhancement-switching D-MOS FETTopaz Semiconductor
52N710530 V, 70 ohm, a canale N enhancement-switching D-MOS FETTopaz Semiconductor
62N710610 V, 70 ohm, a canale N enhancement-switching D-MOS FETTopaz Semiconductor
72N710710 V, 70 ohm, a canale N enhancement-switching D-MOS FETTopaz Semiconductor
82N710820 V, 70 ohm, a canale N enhancement-switching D-MOS FETTopaz Semiconductor
92N710920 V, 70 ohm, a canale N enhancement-switching D-MOS FETTopaz Semiconductor
10AN0110NA100 V, 100 om, a canale N enhancement-way D-MOS FET di array a 8 canaliTopaz Semiconductor
11AN0120NA200 V, 300 om, a canale N enhancement-way D-MOS FET di array a 8 canaliTopaz Semiconductor
12AN0130NA300 V, 300 om, a canale N enhancement-way D-MOS FET di array a 8 canaliTopaz Semiconductor
13AN0140NA400 V, 350 om, a canale N enhancement vie D-MOS FET matrice 8 canaliTopaz Semiconductor
14SD1100CHP450 V, valorizzazione modalitą a canale N ad alta tensione D-MOS FET di potenzaTopaz Semiconductor
15SD1100DD450 V, valorizzazione modalitą a canale N ad alta tensione D-MOS FET di potenzaTopaz Semiconductor
16SD1100HD450 V, valorizzazione modalitą a canale N ad alta tensione D-MOS FET di potenzaTopaz Semiconductor
17SD1101BD400 V, valorizzazione modalitą a canale N ad alta tensione D-MOS FET di potenzaTopaz Semiconductor
18SD1101CHP400 V, valorizzazione modalitą a canale N ad alta tensione D-MOS FET di potenzaTopaz Semiconductor
19SD1101DD400 V, valorizzazione modalitą a canale N ad alta tensione D-MOS FET di potenzaTopaz Semiconductor
20SD1101HD400 V, valorizzazione modalitą a canale N ad alta tensione D-MOS FET di potenzaTopaz Semiconductor
21SD1102BD250 V, 10 ohm, valorizzazione modalitą a canale N ad alta tensione D-MOS FET di potenzaTopaz Semiconductor
22SD1102CHP250 V, 10 ohm, valorizzazione modalitą a canale N ad alta tensione D-MOS FET di potenzaTopaz Semiconductor
23SD1102DD250 V, 10 ohm, valorizzazione modalitą a canale N ad alta tensione D-MOS FET di potenzaTopaz Semiconductor
24SD1102HD250 V, 10 ohm, valorizzazione modalitą a canale N ad alta tensione D-MOS FET di potenzaTopaz Semiconductor
25SD1106AD60 V, a canale N enhancement vie D-MOS FET di potenzaTopaz Semiconductor
26SD1106CHP60 V, a canale N enhancement vie D-MOS FET di potenzaTopaz Semiconductor



27SD1106DD60 V, a canale N enhancement vie D-MOS FET di potenzaTopaz Semiconductor
28SD1107BD100 V, 4 ohm, valorizzazione modalitą a canale N D-MOS FET di potenzaTopaz Semiconductor
29SD1107CHP100 V, 4 ohm, valorizzazione modalitą a canale N D-MOS FET di potenzaTopaz Semiconductor
30SD1107DD100 V, 4 ohm, valorizzazione modalitą a canale N D-MOS FET di potenzaTopaz Semiconductor
31SD1107HD100 V, 4 ohm, valorizzazione modalitą a canale N D-MOS FET di potenzaTopaz Semiconductor
32SD1107N100 V, 4 ohm, valorizzazione modalitą a canale N D-MOS FET di potenzaTopaz Semiconductor
33SD1112BD200 V, 7 ohm, valorizzazione modalitą a canale N ad alta tensione D-MOS FET di potenzaTopaz Semiconductor
34SD1112CHP200 V, 7 ohm, valorizzazione modalitą a canale N ad alta tensione D-MOS FET di potenzaTopaz Semiconductor
35SD1112DD200 V, 7 ohm, valorizzazione modalitą a canale N ad alta tensione D-MOS FET di potenzaTopaz Semiconductor
36SD1112HD200 V, 7 ohm, valorizzazione modalitą a canale N ad alta tensione D-MOS FET di potenzaTopaz Semiconductor
37SD1113BD200 V, 10 ohm, valorizzazione modalitą a canale N ad alta tensione D-MOS FET di potenzaTopaz Semiconductor
38SD1113CHP200 V, 10 ohm, valorizzazione modalitą a canale N ad alta tensione D-MOS FET di potenzaTopaz Semiconductor
39SD1113DD200 V, 10 ohm, valorizzazione modalitą a canale N ad alta tensione D-MOS FET di potenzaTopaz Semiconductor
40SD1113HD200 V, 10 ohm, valorizzazione modalitą a canale N ad alta tensione D-MOS FET di potenzaTopaz Semiconductor
41SD1117BD60 V, 2,5 ohm, valorizzazione modalitą a canale N D-MOS FET di potenzaTopaz Semiconductor
42SD1117CHP60 V, 2,5 ohm, valorizzazione modalitą a canale N D-MOS FET di potenzaTopaz Semiconductor
43SD1117DD60 V, 2,5 ohm, valorizzazione modalitą a canale N D-MOS FET di potenzaTopaz Semiconductor
44SD1117HD60 V, 2,5 ohm, valorizzazione modalitą a canale N D-MOS FET di potenzaTopaz Semiconductor
45SD1117N60 V, 2,5 ohm, valorizzazione modalitą a canale N D-MOS FET di potenzaTopaz Semiconductor
46SD1122BD200 V, 10 ohm, valorizzazione modalitą a canale N ad alta tensione D-MOS FET di potenzaTopaz Semiconductor
47SD1122CHP200 V, 10 ohm, valorizzazione modalitą a canale N ad alta tensione D-MOS FET di potenzaTopaz Semiconductor
48SD1127BD60 V, 4 ohm, a canale N enhancement-mode verticale D-MOS FET ultra bassa dispersioneTopaz Semiconductor
49SD1127CHP60 V, 4 ohm, a canale N enhancement-mode verticale D-MOS FET ultra bassa dispersioneTopaz Semiconductor
50SD1137BD60 V, 2,5 ohm, valorizzazione modalitą a canale N D-MOS FET di potenzaTopaz Semiconductor

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