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Nr.Nome della parteDescrizioneFabbricatore
11N5829Alimentatori switching raddrizzatore a diodi Schottky. Ideale per l'utilizzo come raddrizzatori in bassa tensione. Inverter ad alta frequenza. Diodi di libera circolazione e diodi di protezione di polaritą. Vrrm = 20V. Vrsm = 24V.USHA India LTD
21N5830Alimentatori switching raddrizzatore a diodi Schottky. Ideale per l'utilizzo come raddrizzatori in bassa tensione. Inverter ad alta frequenza. Diodi di libera circolazione e diodi di protezione di polaritą. Vrrm = 30V. Vrsm = 36V.USHA India LTD
31N5831Alimentatori switching raddrizzatore a diodi Schottky. Ideale per l'utilizzo come raddrizzatori in bassa tensione. Inverter ad alta frequenza. Diodi di libera circolazione e diodi di protezione di polaritą. Vrrm = 40V. Vrsm = 48V.USHA India LTD
41N5832Alimentatori switching raddrizzatore a diodi Schottky. Ideale per l'utilizzo come raddrizzatori in bassa tensione. Inverter ad alta frequenza. Diodi di libera circolazione e diodi di protezione di polaritą. Vrrm = 20V. Vrsm = 24V.USHA India LTD
51N5833Alimentatori switching raddrizzatore a diodi Schottky. Ideale per l'utilizzo come raddrizzatori in bassa tensione. Inverter ad alta frequenza. Diodi di libera circolazione e diodi di protezione di polaritą. Vrrm = 30V. Vrsm = 36V.USHA India LTD
61N5834Alimentatori switching raddrizzatore a diodi Schottky. Ideale per l'utilizzo come raddrizzatori in bassa tensione. Inverter ad alta frequenza. Diodi di libera circolazione e diodi di protezione di polaritą. Vrrm = 40V. Vrsm = 48V.USHA India LTD
72N3055Ad alta potenza transistor NPN. Per tutti gli usi di commutazione e l'applicazione amplificatore. Vceo = 60Vdc, Vcer = 70Vdc, Vcb = 100Vdc, Veb = 15Vdc, Ic = 7Adc, Ib = 7Adc, PD = 115W.USHA India LTD
82N3055HTransistore NPN di potenza al silicio. 15Amp, 100V, 115Watt. Questi dispositivi sono progettati per applicazioni generali finalitą di commutazione e amplificazione.USHA India LTD
92N3773Ad alta potenza transistor NPN. Audio ad alta potenza e applicazioni lineari. Vceo = 140Vdc, Vcer = 150VDC, Vcb = 160Vdc, Veb = 7Vdc, Ic = 16Adc, Ib = 4Adc, PD = 150W.USHA India LTD
102N3773ARTransistore NPN di potenza al silicio. 16Amp, 140V, 150watt. Audio ad alta potenza, posizionatori testina del disco e altre applicazioni lineari. Circuiti di commutazione di potenza, come relč o driver solenoide, CC ai convertitori cc o iUSHA India LTD
112N3903General purpose transistor. Collector-emitter voltage: Vceo = 40V. Collector-base voltage: Vcbo = 60V. Collector dissipation: Pc(max) = 625mW.USHA India LTD
122N3904General purpose transistor. Collector-emitter voltage: Vceo = 40V. Collector-base voltage: Vcbo = 60V. Collector dissipation: Pc(max) = 625mW.USHA India LTD
132N3905Transistor di uso generale. Tensione collettore-emettitore: Vceo = -40V. Tensione collettore-base: VCBO = -40V. Dissipazione Collector: Pc (max) = -625mW.USHA India LTD
142N3906Transistor di uso generale. Tensione collettore-emettitore: Vceo = -40V. Tensione collettore-base: VCBO = -40V. Dissipazione Collector: Pc (max) = -625mW.USHA India LTD
152N4123General purpose transistor. Collector-emitter voltage: Vceo = 30V. Collector-base voltage: Vcbo = 40V. Collector dissipation: Pc(max) = 625mW.USHA India LTD
162N4124General purpose transistor. Collector-emitter voltage: Vceo = 25V. Collector-base voltage: Vcbo = 30V. Collector dissipation: Pc(max) = 625mW.USHA India LTD
172N4125Amplifier transistor. Collector-emitter voltage: Vceo = -30V. Collector-base voltage: Vcbo = -30V. Collector dissipation: Pc(max) = 625mW.USHA India LTD
182N4126Amplifier transistor. Collector-emitter voltage: Vceo = -25V. Collector-base voltage: Vcbo = -25V. Collector dissipation: Pc(max) = 625mW.USHA India LTD
192N4400General purpose transistor. Collector-emitter voltage: Vceo = 40V. Collector-base voltage: Vcbo = 60V. Collector dissipation: Pc(max) = 625mW.USHA India LTD
202N4401General purpose transistor. Collector-emitter voltage: Vceo = 40V. Collector-base voltage: Vcbo = 60V. Collector dissipation: Pc(max) = 625mW.USHA India LTD
212N4402Transistor di uso generale. Tensione collettore-emettitore: Vceo = -40V. Tensione collettore-base: VCBO = -40V. Dissipazione Collector: Pc (max) = 625mW.USHA India LTD
222N4403Transistor di uso generale. Tensione collettore-emettitore: Vceo = -40V. Tensione collettore-base: VCBO = -40V. Dissipazione Collector: Pc (max) = 625mW.USHA India LTD
232N5086Amplifier transistor. Collector-emitter voltage: Vceo = -50V. Collector-base voltage: Vcbo = -50V. Collector dissipation: Pc(max) = -625mW.USHA India LTD
242N5087Amplifier transistor. Collector-emitter voltage: Vceo = -50V. Collector-base voltage: Vcbo = -50V. Collector dissipation: Pc(max) = -625mW.USHA India LTD
252N5088Amplifier transistor. Collector-emitter voltage: Vceo = 30V. Collector-base voltage: Vcbo = 35V. Collector dissipation: Pc(max) = 625mW.USHA India LTD



262N5089Amplifier transistor. Collector-emitter voltage: Vceo = 25V. Collector-base voltage: Vcbo = 30V. Collector dissipation: Pc(max) = 625mW.USHA India LTD
272N5210Amplifier transistor. Collector-emitter voltage: Vceo = 50V. Collector-base voltage: Vcbo = 50V. Collector dissipation: Pc(max) = 625mW.USHA India LTD
282N5294Silicon plastica transistor di potenza NPN. Applicazioni di commutazione e amplificatore di uso generale. Vceo = 70Vdc, Vcer = 75 V cc, VCBO = 80VDC, Veb = 7Vdc, Ic = 4Adc, Ib = 2Adc, PD = 36W.USHA India LTD
292N5296Silicon plastica transistor di potenza NPN. Applicazioni di commutazione e amplificatore di uso generale. Vceo = 40Vdc, Vcer = 50Vdc, VCBO = 60V cc, Veb = 5Vdc, Ic = 4Adc, Ib = 2Adc, PD = 36W.USHA India LTD
302N5400Amplifier transistor. Collector-emitter voltage: Vceo = -120V. Collector-base voltage: Vcbo = -130V. Collector dissipation: Pc(max) = 625mW.USHA India LTD
312N5401Amplifier transistor. Collector-emitter voltage: Vceo = -150V. Collector-base voltage: Vcbo = -160V. Collector dissipation: Pc(max) = 625mW.USHA India LTD
322N5550Amplifier transistor. Collector-emitter voltage: Vceo = 140V. Collector-base voltage: Vcbo = 160V. Collector dissipation: Pc(max) = 625mW.USHA India LTD
332N5551Amplifier transistor. Collector-emitter voltage: Vceo = 160V. Collector-base voltage: Vcbo = 180V. Collector dissipation: Pc(max) = 625mW.USHA India LTD
342N6107PNP transistor di potenza al silicio di plastica. Progettato per l'uso in applicazioni di commutazione e amplificatore di uso generale. Vceo = 70Vdc, Vcb = 80VDC, Veb = 5Vdc Ic = 7Adc, PD = 40W.USHA India LTD
352N6292Silicon plastica transistor di potenza NPN. Applicazioni di commutazione e amplificatore di uso generale. Vceo = 70Vdc, Vcb = 80VDC, Veb = 5Vdc, Ic = 7Adc, Ib = 3Adc, PD = 40W.USHA India LTD
362N6428Amplifier transistor. Collector-emitter voltage: Vceo = 50V. Collector-base voltage: Vcbo = 60V. Collector dissipation: Pc(max) = 625mW.USHA India LTD
372N6428AAmplifier transistor. Collector-emitter voltage: Vceo = 50V. Collector-base voltage: Vcbo = 60V. Collector dissipation: Pc(max) = 625mW.USHA India LTD
382N6515High voltage transistor. Collector-emitter voltage: Vceo = 250V. Collector-base voltage: Vcbo = 250V. Collector dissipation: Pc(max) = 625mW.USHA India LTD
392N6516High voltage transistor. Collector-emitter voltage: Vceo = 250V. Collector-base voltage: Vcbo = 250V. Collector dissipation: Pc(max) = 625mW.USHA India LTD
402N6517High voltage transistor. Collector-emitter voltage: Vceo = 350V. Collector-base voltage: Vcbo = 350V. Collector dissipation: Pc(max) = 625mW.USHA India LTD
412N6518High voltage transistor. Collector-emitter voltage: Vceo = -250V. Collector-base voltage: Vcbo = -250V. Collector dissipation: Pc(max) = 0.625W.USHA India LTD
422N6519High voltage transistor. Collector-emitter voltage: Vceo = -300V. Collector-base voltage: Vcbo = -300V. Collector dissipation: Pc(max) = 0.625W.USHA India LTD
432N6520High voltage transistor. Collector-emitter voltage: Vceo = -350V. Collector-base voltage: Vcbo = -350V. Collector dissipation: Pc(max) = 0.625W.USHA India LTD
442SA1015Low frequency amplifier. Collector-base voltage: Vcbo = -50V. Collector-emitter voltage: Vceo = -50V. Emitter-base voltage Vebo = -5V.Collector dissipation: Pc(max) = 400mW.USHA India LTD
452SA1625High voltage switch. Collector-base voltage: Vcbo = -400V. Collector-emitter voltage: Vceo = -400V. Emitter-base voltage Vebo = -7V. Collector dissipation: Pc(max) = o.75W.USHA India LTD
462SA539Low frequency amplifier. Collector-base voltage: Vcbo = -60V. Collector-emitter voltage: Vceo = -45V. Emitter-base voltage Vebo = -5V. Collector dissipation: Pc(max) = 400mW.USHA India LTD
472SA542Low frequency amplifier. Collector-base voltage: Vcbo = -30V. Collector-emitter voltage: Vceo = -25V. Emitter-base voltage Vebo = -5V. Collector dissipation: Pc(max) = 250mW.USHA India LTD
482SA642AMPLIFICATORE DI ALIMENTAZIONE A BASSA FREQUENZAUSHA India LTD
492SA642AMPLIFICATORE DI ALIMENTAZIONE A BASSA FREQUENZAUSHA India LTD
502SA643AMPLIFICATORE di ALIMENTAZIONE A BASSA FREQUENZA Dei TransistoriUSHA India LTD

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