Nr. | Nome da Parte | Descrição | Fabricante |
1 | -7L | 536870912-BIT (8388608 - WORD POR 64-BIT)SYNCHRONOUSDRAM | Mitsubishi Electric Corporation |
2 | -8 | 536870912-BIT (8388608 - WORD POR 64-BIT)SYNCHRONOUSDRAM | Mitsubishi Electric Corporation |
3 | -8L | 536870912-BIT (8388608 - WORD POR 64-BIT)SYNCHRONOUSDRAM | Mitsubishi Electric Corporation |
4 | 0-1462000-1 | 2 relé do pólo telecom/signal através do tipo do furo (THT) Non-polarized. quetranca 1 bobina | Tyco Electronics |
5 | 0-1462000-7 | 2 relé do pólo telecom/signal através do tipo do furo (THT) Non-polarized. quetranca 1 bobina | Tyco Electronics |
6 | 0002 | ALTA VELOCIDADE, AMPLIFICADOR AMPÈRE DO AMORTECEDOR | M.S. Kennedy Corp. |
7 | 0032 | ALTA VELOCIDADE, DIFERENCIAL OP-AMP DA ENTRADA DO FET | M.S. Kennedy Corp. |
8 | 0033 | AMPLIFICADOR DE ALTA VELOCIDADE INPUT FET DA TENSÃO FOLLOWER/BUFFER | M.S. Kennedy Corp. |
9 | 01-XC6206 | XC6206 | Torex Semiconductor |
10 | 0100MS | Protetor Magnético | Texas Instruments |
11 | 0104-100 | 100 W, 28 V, 100-400 MHz, transistor equilibrada | Acrian |
12 | 0104-100 | 100 W, 28 V, 100-400 MHz emissor comum transistor | GHz Technology |
13 | 0104-100-2 | 100 W, 28 V, 100-400 MHz, transistor equilibrada | Acrian |
14 | 0105-100 | 100 W, 28 V, 100-500 MHz, UHF transistor equilibrada | Acrian |
15 | 0105-100 | 100 W, 28 V, 100-500 MHz emissor comum transistor | GHz Technology |
16 | 0105-100-2 | 100 W, 28 V, 100-500 MHz, UHF transistor equilibrada | Acrian |
17 | 0105-100-3 | 100 W, 28 V, 100-500 MHz, UHF transistor equilibrada | Acrian |
18 | 0105-12 | 12 W, 28 V, 100-500 MHz, UHF equilibrado transistor | Acrian |
19 | 0105-12 | 12 W, 28 V, 100-500 MHz emissor comum transistor | GHz Technology |
20 | 0105-12-2 | 12 W, 28 V, 100-500 MHz, UHF equilibrado transistor | Acrian |
21 | 0105-50 | 50 W, 28 V, 100-500 MHz, UHF equilibrado transistor | Acrian |
22 | 0105-50 | 50 W, 28 V, 100-500 MHz emissor comum transistor | GHz Technology |
23 | 0105-50-2 | 50 W, 28 V, 100-500 MHz, UHF equilibrado transistor | Acrian |
24 | 015A2.0 | Tipo Planar Epitaxial Do Silicone Do Diodo | TOSHIBA |
25 | 015A2.2 | Tipo Planar Epitaxial Do Silicone Do Diodo | TOSHIBA |
26 | 015A2.4 | Tipo Planar Epitaxial Do Silicone Do Diodo | TOSHIBA |
27 | 015A2.7 | Tipo Planar Epitaxial Do Silicone Do Diodo | TOSHIBA |
28 | 015A3.0 | Tipo Planar Epitaxial Do Silicone Do Diodo | TOSHIBA |
29 | 015A3.3 | Tipo Planar Epitaxial Do Silicone Do Diodo | TOSHIBA |
30 | 015A3.6 | Tipo Planar Epitaxial Do Silicone Do Diodo | TOSHIBA |
31 | 015A3.9 | Tipo Planar Epitaxial Do Silicone Do Diodo | TOSHIBA |
32 | 015A4.3 | Tipo Planar Epitaxial Do Silicone Do Diodo | TOSHIBA |
33 | 015A4.7 | Tipo Planar Epitaxial Do Silicone Do Diodo | TOSHIBA |
34 | 015A5.1 | Tipo Planar Epitaxial Do Silicone Do Diodo | TOSHIBA |
35 | 015A5.6 | Tipo Planar Epitaxial Do Silicone Do Diodo | TOSHIBA |
36 | 015A6.2 | Tipo Planar Epitaxial Do Silicone Do Diodo | TOSHIBA |
37 | 015A6.8 | Tipo Planar Epitaxial Do Silicone Do Diodo | TOSHIBA |
38 | 015AZ10 | Tipo Planar Epitaxial Aplicações Constantes Do Silicone Do Diodo Do Regulamento Da Tensão | TOSHIBA |
39 | 015AZ10-X | Diodo de silício para aplicações de regulação de tensão constante | TOSHIBA |
40 | 015AZ10-Y | Diodo de silício para aplicações de regulação de tensão constante | TOSHIBA |
| | | |