| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 1198161 | TC58V64BFT | BOCADOS de 64-MBIT (8M x 8) CMOS NAND E2PROM | TOSHIBA |
| 1198162 | TC59 | O TC59 é uma saída baixa, regulador de tensão negativo da saída projetado especificamente para sistemas battery-operated. Sua construção cheia do CMOS elimina a corrente à terra desperdiçada típica de LDOs bipolar. Este signif | Microchip |
| 1198163 | TC593002ECB | Saída Baixa, Regulador De Tensão Negativo Da Saída | Microchip |
| 1198164 | TC593002ECB | Saída Baixa, Regulador De Tensão Negativo Da Saída | Microchip |
| 1198165 | TC593002ECBTR | Low dropout, regulador negativo da tensão de saída, 3.0V tensão de saída | Microchip |
| 1198166 | TC595002ECB | Saída Baixa, Regulador De Tensão Negativo Da Saída | Microchip |
| 1198167 | TC595002ECB | Saída Baixa, Regulador De Tensão Negativo Da Saída | Microchip |
| 1198168 | TC595002ECBTR | Low dropout, regulador negativo da tensão de saída, 5.0V tensão de saída | Microchip |
| 1198169 | TC59LM806CFT | Rede FCRAMTM | TOSHIBA |
| 1198170 | TC59LM806CFT-50 | rede FCRAM ou 8,388,608-WORDSx4BANKSx8-BITS FCRAM da rede de 4,194,304-WORDSx4 BANKSx16-BITS | TOSHIBA |
| 1198171 | TC59LM806CFT-55 | rede FCRAM ou 8,388,608-WORDSx4BANKSx8-BITS FCRAM da rede de 4,194,304-WORDSx4 BANKSx16-BITS | TOSHIBA |
| 1198172 | TC59LM806CFT-60 | rede FCRAM ou 8,388,608-WORDSx4BANKSx8-BITS FCRAM da rede de 4,194,304-WORDSx4 BANKSx16-BITS | TOSHIBA |
| 1198173 | TC59LM806CFTI | Rede FCRAMTM | TOSHIBA |
| 1198174 | TC59LM814CFT | Rede FCRAMTM | TOSHIBA |
| 1198175 | TC59LM814CFT-50 | rede FCRAM ou 8,388,608-WORDSx4BANKSx8-BITS FCRAM da rede de 4,194,304-WORDSx4 BANKSx16-BITS | TOSHIBA |
| 1198176 | TC59LM814CFT-55 | rede FCRAM ou 8,388,608-WORDSx4BANKSx8-BITS FCRAM da rede de 4,194,304-WORDSx4 BANKSx16-BITS | TOSHIBA |
| 1198177 | TC59LM814CFT-60 | rede FCRAM ou 8,388,608-WORDSx4BANKSx8-BITS FCRAM da rede de 4,194,304-WORDSx4 BANKSx16-BITS | TOSHIBA |
| 1198178 | TC59LM814CFTI | Rede FCRAMTM | TOSHIBA |
| 1198179 | TC59LM818DMB | Rede FCRAMTM | TOSHIBA |
| 1198180 | TC59LM818DMBI | Rede FCRAMTM | TOSHIBA |
| 1198181 | TC59LM836DKB | Rede FCRAMTM | TOSHIBA |
| 1198182 | TC59LM905AMB | Rede FCRAMTM | TOSHIBA |
| 1198183 | TC59LM906AMG | Rede FCRAMTM | TOSHIBA |
| 1198184 | TC59LM913AMB | Rede FCRAMTM | TOSHIBA |
| 1198185 | TC59LM914AMG | Rede FCRAMTM | TOSHIBA |
| 1198186 | TC59S6404 | SILICONE DO CIRCUITO INTEGRADO DO MOS DIGITAL MONOLÍTICO | TOSHIBA |
| 1198187 | TC59S6404 | SILICONE DO CIRCUITO INTEGRADO DO MOS DIGITAL MONOLÍTICO | TOSHIBA |
| 1198188 | TC59S6404BFT | SILICONE DO CIRCUITO INTEGRADO DO MOS DIGITAL MONOLÍTICO | TOSHIBA |
| 1198189 | TC59S6404BFT | SILICONE DO CIRCUITO INTEGRADO DO MOS DIGITAL MONOLÍTICO | TOSHIBA |
| 1198190 | TC59S6404BFT-10 | SILICONE DO CIRCUITO INTEGRADO DO MOS DIGITAL MONOLÍTICO | TOSHIBA |
| 1198191 | TC59S6404BFT-10 | SILICONE DO CIRCUITO INTEGRADO DO MOS DIGITAL MONOLÍTICO | TOSHIBA |
| 1198192 | TC59S6404BFT-80 | SILICONE DO CIRCUITO INTEGRADO DO MOS DIGITAL MONOLÍTICO | TOSHIBA |
| 1198193 | TC59S6404BFT-80 | SILICONE DO CIRCUITO INTEGRADO DO MOS DIGITAL MONOLÍTICO | TOSHIBA |
| 1198194 | TC59S6404BFT/BFTL-80 | RAM DINÂMICA SYNCHRONOUS De 1,048,576/2,097,152/4,194,304-WORDSx4BANKSx16/8/4-BIT S | TOSHIBA |
| 1198195 | TC59S6404BFT/BFTL-80 | RAM DINÂMICA SYNCHRONOUS De 1,048,576/2,097,152/4,194,304-WORDSx4BANKSx16/8/4-BIT S | TOSHIBA |
| 1198196 | TC59S6404BFT/BFTL10 | RAM DINÂMICA SYNCHRONOUS De 1,048,576/2,097,152/4,194,304-WORDSx4BANKSx16/8/4-BIT S | TOSHIBA |
| 1198197 | TC59S6404BFT/BFTL10 | RAM DINÂMICA SYNCHRONOUS De 1,048,576/2,097,152/4,194,304-WORDSx4BANKSx16/8/4-BIT S | TOSHIBA |
| 1198198 | TC59S6404BFTL | SILICONE DO CIRCUITO INTEGRADO DO MOS DIGITAL MONOLÍTICO | TOSHIBA |
| 1198199 | TC59S6404BFTL | SILICONE DO CIRCUITO INTEGRADO DO MOS DIGITAL MONOLÍTICO | TOSHIBA |
| 1198200 | TC59S6404BFTL-10 | 4.194.304-palavras x 4BANKS x 4 bits RAM dinâmica síncrona | TOSHIBA |
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