| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 246761 | BAS21VD | BAS21VD; Disposição de alta tensão do diodo do switching | Philips |
| 246762 | BAS21VD | Diodos de comutação de alta tensão | NXP Semiconductors |
| 246763 | BAS21W | Diodos Do Switching | Diodes |
| 246764 | BAS21W | Diodo De superfície Do Switching Da Montagem | Comchip Technology |
| 246765 | BAS21W | DIODOS DE SUPERFÍCIE DO SWITCHING DA MONTAGEM | Panjit International Inc |
| 246766 | BAS21W | DIODO RÁPIDO DO SWITCHING DA MONTAGEM DE SUPERFÍCIE | TRSYS |
| 246767 | BAS21W | Diodos de comutação de alta tensão | NXP Semiconductors |
| 246768 | BAS21W-7 | DIODO RÁPIDO DO SWITCHING DA MONTAGEM DE SUPERFÍCIE | Diodes |
| 246769 | BAS21W-7-F | Diodos de comutação | Diodes |
| 246770 | BAS21W-T1 | DIODO RÁPIDO DO SWITCHING DA MONTAGEM DE SUPERFÍCIE | Won-Top Electronics |
| 246771 | BAS21W-T3 | DIODO RÁPIDO DO SWITCHING DA MONTAGEM DE SUPERFÍCIE | Won-Top Electronics |
| 246772 | BAS21WS-T1 | DIODO RÁPIDO DO SWITCHING DA MONTAGEM DE SUPERFÍCIE | Won-Top Electronics |
| 246773 | BAS21WS-T3 | DIODO RÁPIDO DO SWITCHING DA MONTAGEM DE SUPERFÍCIE | Won-Top Electronics |
| 246774 | BAS21_D87Z | Diodo Da Alta tensão Da Finalidade Geral | Fairchild Semiconductor |
| 246775 | BAS221 | Diodo da finalidade geral | Philips |
| 246776 | BAS221A | Diodo de uso geral | Philips |
| 246777 | BAS240 | Diodo de barreira de Schottky | Philips |
| 246778 | BAS28 | Diodo dobro de alta velocidade | Philips |
| 246779 | BAS28 | Diodos da finalidade geral - disposição do diodo do switching do silicone para o switching de alta velocidade | Infineon |
| 246780 | BAS28 | Disposição do diodo do switching do silicone para o hig... | Infineon |
| 246781 | BAS28 | Disposição do diodo do switching do silicone (para diodos eletricamente isolados de alta velocidade do switching) | Siemens |
| 246782 | BAS28 | DIODO DE ALTA VELOCIDADE DUPLO, ISOLADO DO SWITCHING | Central Semiconductor |
| 246783 | BAS28 | Alta velocidade de diodo duplo | NXP Semiconductors |
| 246784 | BAS281 | Diodos De Barreira Pequenos De Schottky Do Sinal | Vishay |
| 246785 | BAS282 | Diodos De Barreira Pequenos De Schottky Do Sinal | Vishay |
| 246786 | BAS283 | Diodos De Barreira Pequenos De Schottky Do Sinal | Vishay |
| 246787 | BAS285 | Diodo De Barreira Pequeno De Schottky Do Sinal | Vishay |
| 246788 | BAS286 | Diodo De Barreira Pequeno De Schottky Do Sinal | Vishay |
| 246789 | BAS28W | Diodos da finalidade geral - disposição do diodo do switching do silicone para o switching de alta velocidade | Infineon |
| 246790 | BAS28W | Disposição Do Diodo Do Switching Do Silicone | Infineon |
| 246791 | BAS28W | Disposição do diodo do switching do silicone (para diodos isolados elétricos das aplicações de alta velocidade do switching) | Siemens |
| 246792 | BAS29 | Diodos (dobro) controlados do avalanche da finalidade geral | Philips |
| 246793 | BAS29 | Diodo De Sinal Pequeno | Fairchild Semiconductor |
| 246794 | BAS29 | DIODOS DE SUPERFÍCIE DO SWITCHING DA MONTAGEM | Jinan Gude Electronic Device |
| 246795 | BAS29 | Uso geral avalanche controlado (duplo) diodos | NXP Semiconductors |
| 246796 | BAS29_D87Z | Diodo Da Alta tensão Da Finalidade Geral | Fairchild Semiconductor |
| 246797 | BAS31 | Diodos (dobro) controlados do avalanche da finalidade geral | Philips |
| 246798 | BAS31 | Diodo De alta tensão Da Finalidade Geral | National Semiconductor |
| 246799 | BAS31 | Diodo De Sinal Pequeno | Fairchild Semiconductor |
| 246800 | BAS31 | Diodo In-Series Duplo Do Controlado-Controlled-Avalanche Da Geral-Finalidade | Vishay |
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