| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 249641 | BC214 | Amplificador Da Finalidade Geral de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 249642 | BC214 | Poder Do Meio Do Processo 63 PNP | Fairchild Semiconductor |
| 249643 | BC214 | Amplificador Transistor PNP | ON Semiconductor |
| 249644 | BC214B | 0.350W Uso Geral PNP plástico com chumbo Transistor. 30V VCEO, 0.100A Ic, 40 - hFE | Continental Device India Limited |
| 249645 | BC214C | 0.350W Uso Geral PNP plástico com chumbo Transistor. VCEO 30V, 0.100A Ic, 100-600 hFE | Continental Device India Limited |
| 249646 | BC214L | AMPLIFICADORES E EXCITADORES PEQUENOS DO SINAL DO AF DO SILICONE | Micro Electronics |
| 249647 | BC214L | Amplificador Da Finalidade Geral de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 249648 | BC214LB | Amplificador Da Finalidade Geral de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 249649 | BC214LB_L34Z | Amplificador Da Finalidade Geral de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 249650 | BC214LC | Amplificador Da Finalidade Geral de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 249651 | BC214L_D26Z | Amplificador Da Finalidade Geral de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 249652 | BC214L_L34Z | Amplificador Da Finalidade Geral de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 249653 | BC214RL1 | Amplificador Transistor PNP | ON Semiconductor |
| 249654 | BC237 | Aplicações do switching e do amplificador | Fairchild Semiconductor |
| 249655 | BC237 | Transistor Da Finalidade Geral | Korea Electronics (KEC) |
| 249656 | BC237 | Mocy krzemowy de Tranzystor ma.ej, ma.ej cz?otliwo.ci | Ultra CEMI |
| 249657 | BC237 | Mocy de Tranzystor ma.ej cz?otliwo.ci ma.ej | Ultra CEMI |
| 249658 | BC237 | TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DO SILICONE DE NPN | Micro Electronics |
| 249659 | BC237 | Transistor da finalidade geral de NPN | Philips |
| 249660 | BC237 | Transistor Do Amplificador | Motorola |
| 249661 | BC237 | Silicone NPN Do Transistor | ON Semiconductor |
| 249662 | BC237 | 0.350W Uso Geral NPN plástico com chumbo Transistor. VCEO 45V, 0.100A Ic, 120-800 hFE | Continental Device India Limited |
| 249663 | BC237 | Transistor. Aplicações de comutação e amplificador. Tensão coletor-base de Vcbo = 50V. Tensão coletor-emissor VCEO = 45V. Tensão emissor-base Vebo = 6V. Dissipação Collector Pc (max) = 500mW. Coletor de corrente Ic = 100mA. | USHA India LTD |
| 249664 | BC237-D | Silicone Dos Transistor NPN Do Amplificador | ON Semiconductor |
| 249665 | BC237A | Transistor Do Amplificador | Motorola |
| 249666 | BC237A | Transistor Epitaxial Do Silicone de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 249667 | BC237A | 0.350W Uso Geral NPN plástico com chumbo Transistor. VCEO 45V, 0.100A Ic, 120-220 hFE | Continental Device India Limited |
| 249668 | BC237A | Amplificador Transistor NPN | ON Semiconductor |
| 249669 | BC237ABU | Transistor Epitaxial Do Silicone de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 249670 | BC237ATA | Transistor Epitaxial Do Silicone de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 249671 | BC237AZL1 | Amplificador Transistor NPN | ON Semiconductor |
| 249672 | BC237B | Transistor da finalidade geral de NPN | Philips |
| 249673 | BC237B | Transistor Do Amplificador | Motorola |
| 249674 | BC237B | Transistor Epitaxial Do Silicone de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 249675 | BC237B | Silicone NPN Do Transistor | ON Semiconductor |
| 249676 | BC237B | 0.350W Uso Geral NPN plástico com chumbo Transistor. VCEO 45V, 0.100A Ic, 200-460 hFE | Continental Device India Limited |
| 249677 | BC237BBU | Transistor Epitaxial Do Silicone de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 249678 | BC237BRL1 | Silicone NPN Do Transistor | ON Semiconductor |
| 249679 | BC237BTA | Transistor Epitaxial Do Silicone de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 249680 | BC237BTAR | Transistor Epitaxial Do Silicone de NPN | Fairchild Semiconductor |
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