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Nr.Nome da parteDescriçãoFabricante
250241BC448TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DO SILICONE DE PNPContinental Device India Limited
250242BC448ATRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DO SILICONE DE PNPContinental Device India Limited
250243BC448ATRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DO SILICONE DE PNPContinental Device India Limited
250244BC448BTRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DO SILICONE DE PNPContinental Device India Limited
250245BC448BTRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DO SILICONE DE PNPContinental Device India Limited
250246BC449Transistor De alta tensãoON Semiconductor
250247BC449V (CEO): 100V; V (CBO): 100V; V (EBO): 5V; tensão NPN transistor de silícioMotorola
250248BC449ATransistor De alta tensãoON Semiconductor
250249BC449AV (CEO): 100V; V (CBO): 100V; V (EBO): 5V; tensão NPN transistor de silícioMotorola
250250BC449BV (CEO): 100V; V (CBO): 100V; V (EBO): 5V; tensão NPN transistor de silícioMotorola
250251BC450TRANSISTOR DO SILICONE DE PNPMicro Electronics
250252BC450Transistor De alta tensãoMotorola
250253BC4500.625W Uso Geral PNP plástico com chumbo Transistor. 100V VCEO, 0.300A Ic, 50-220 hFEContinental Device India Limited
250254BC450ATransistor De alta tensãoMotorola
250255BC450A0.625W Uso Geral PNP plástico com chumbo Transistor. 100V VCEO, 0.300A Ic, 120-220 hFEContinental Device India Limited
250256BC450BTRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DO SILICONE DE PNPContinental Device India Limited
250257BC450BTRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DO SILICONE DE PNPContinental Device India Limited
250258BC460AMPLIFICADORES E INTERRUPTORES MÉDIOS DE PODER DO AF DO SILICONEMicro Electronics
250259BC460Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do SinalCentral Semiconductor



250260BC46010.000W Uso Geral PNP metal pode Transistor. 40V VCEO, Um Ic, 40-250 hFE.Continental Device India Limited
250261BC461AMPLIFICADORES E INTERRUPTORES MÉDIOS DE PODER DO AF DO SILICONEMicro Electronics
250262BC461Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do SinalCentral Semiconductor
250263BC46110.000W Uso Geral PNP metal pode Transistor. 60V VCEO, Um Ic, 40-250 hFE.Continental Device India Limited
250264BC477Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do SinalCentral Semiconductor
250265BC477AMPLIFICADORES AUDIO BAIXOS DE FINALIDADE GERAL DO RUÍDOST Microelectronics
250266BC4771.200W Uso Geral PNP metal pode transistor. 80V VCEO, 0.100A Ic, 30 hFE.Continental Device India Limited
250267BC477ft min 100 MHz hfe min 50 Transistor polaridade PNP Ic corrente contínua max 0,15 A Tensão Vcbo 90 V de tensão VCEO 80 V Ic atual (HFE) 2 mA de energia Ptot 360 mWSGS Thomson Microelectronics
250268BC478AMPLIFICADORES AUDIO BAIXOS DE FINALIDADE GERAL DO RUÍDOST Microelectronics
250269BC478Baixo ruído AMPLIFIERS FINALIDADE GERAL DE ÁUDIOSGS Thomson Microelectronics
250270BC478BDispositivo bipolar de PNP em um pacote hermetically selado do metal TO18.SemeLAB
250271BC478BDispositivo bipolar de PNP em um pacote hermetically selado do metal TO18.SemeLAB
250272BC479AMPLIFICADORES AUDIO BAIXOS DE FINALIDADE GERAL DO RUÍDOST Microelectronics
250273BC479Baixo ruído AMPLIFIERS FINALIDADE GERAL DE ÁUDIOSGS Thomson Microelectronics
250274BC485TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DO SILICONE DE NPNMicro Electronics
250275BC486TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DO SILICONE DE PNPMicro Electronics
250276BC487TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DO SILICONE DE NPNMicro Electronics
250277BC487Altas Transistores atuaisON Semiconductor
250278BC488TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DO SILICONE DE PNPMicro Electronics
250279BC488BAltas Transistores atuaisON Semiconductor
250280BC489TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DO SILICONE DE NPNMicro Electronics
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