| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 252841 | BC860B-4F | TRANSISTOR PLANAR DA FINALIDADE GERAL DO SILICONE DE SOT23 PNP | Unknow |
| 252842 | BC860B-4F | TRANSISTOR PLANAR DA FINALIDADE GERAL DO SILICONE DE SOT23 PNP | Unknow |
| 252843 | BC860BF E6327 | Únicos transistor do AF para aplicações da finalidade geral | Infineon |
| 252844 | BC860BMTF | Transistor Epitaxial Do Silicone de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 252845 | BC860BW | Transistor da finalidade geral de PNP | Philips |
| 252846 | BC860BW | Transistor da finalidade geral - pacote SOT323 | Infineon |
| 252847 | BC860BW | Transistor do AF do silicone de PNP (para estágios da entrada do AF e tensão baixa do saturation do collector-emitter do ganho atual das aplicações do excitador a alta) | Siemens |
| 252848 | BC860BW | Transistor da finalidade geral de PNP | NXP Semiconductors |
| 252849 | BC860BW | Superfície PlanarTransistors monte Si-epitaxiais | Diotec Elektronische |
| 252850 | BC860C | Transistor da finalidade geral de PNP | Philips |
| 252851 | BC860C | TRANSISTOR PLANAR DA FINALIDADE GERAL DO SILICONE DE SOT23 NPN | Zetex Semiconductors |
| 252852 | BC860C | Transistor da finalidade geral - pacote SOT23 | Infineon |
| 252853 | BC860C | Transistor do AF do silicone de PNP (para estágios da entrada do AF e tensão baixa do saturation do collector-emitter do ganho atual das aplicações do excitador a alta) | Siemens |
| 252854 | BC860C | Transistor da finalidade geral de PNP | NXP Semiconductors |
| 252855 | BC860C | 0.250W Uso Geral PNP Transistor SMD. 45V VCEO, 0.100A Ic, 420-800 hFE. BC850C Complementar | Continental Device India Limited |
| 252856 | BC860C | Superfície PlanarTransistors monte Si-epitaxiais | Diotec Elektronische |
| 252857 | BC860C-4GZ | TRANSISTOR PLANAR DA FINALIDADE GERAL DO SILICONE DE SOT23 PNP | Unknow |
| 252858 | BC860C-4GZ | TRANSISTOR PLANAR DA FINALIDADE GERAL DO SILICONE DE SOT23 PNP | Unknow |
| 252859 | BC860CW | Transistor da finalidade geral - pacote SOT323 | Infineon |
| 252860 | BC860CW | Transistor do AF do silicone de PNP (para estágios da entrada do AF e tensão baixa do saturation do collector-emitter do ganho atual das aplicações do excitador a alta) | Siemens |
| 252861 | BC860CW | Transistor da finalidade geral de PNP | Philips |
| 252862 | BC860CW | Transistor da finalidade geral de PNP | NXP Semiconductors |
| 252863 | BC860CW | Superfície PlanarTransistors monte Si-epitaxiais | Diotec Elektronische |
| 252864 | BC860T | Transistor do Af Do Silicone de NPN | Infineon |
| 252865 | BC860T | Transistor do Af Do Silicone de NPN | Infineon |
| 252866 | BC860W | Transistor da finalidade geral de PNP | Philips |
| 252867 | BC860W | Superfície PlanarTransistors monte Si-epitaxiais | Diotec Elektronische |
| 252868 | BC860W | NPN Silicon Transistor do AF | Infineon |
| 252869 | BC868 | Transistor de poder médio de NPN | Philips |
| 252870 | BC868 | TRANSISTOR DE PODER MÉDIO PLANAR DO SILICONE DE SOT89 NPN | Zetex Semiconductors |
| 252871 | BC868 | 20 V, 2 A NPN transistor de média potência | NXP Semiconductors |
| 252872 | BC868-16 | TRANSISTOR DE PODER MÉDIO PLANAR DO SILICONE DE SOT89 NPN | Zetex Semiconductors |
| 252873 | BC868-25 | Transistor de poder médio de NPN | Philips |
| 252874 | BC868-25 | TRANSISTOR DE PODER MÉDIO PLANAR DO SILICONE DE SOT89 NPN | Zetex Semiconductors |
| 252875 | BC868-25 | 20 V, 2 A NPN transistor de média potência | NXP Semiconductors |
| 252876 | BC86816 | Obsoleto | Zetex Semiconductors |
| 252877 | BC86825 | Obsoleto | Zetex Semiconductors |
| 252878 | BC869 | Transistor de poder médio de PNP | Philips |
| 252879 | BC869 | TRANSISTOR DE PODER MÉDIO PLANAR DO SILICONE DE SOT89 NPN | Zetex Semiconductors |
| 252880 | BC869 | 20 V, 2 A PNP transistor de média potência | NXP Semiconductors |
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