| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 253601 | BCP72M | Transistor De Poder do Af Do Silicone de PNP | Infineon |
| 253602 | BCP72M | Transistor de poder do AF do silicone de PNP (interruptor do dreno para estágios do amplificador de poder do RF para a corrente elevada do excitador do AF e de coletor dos estágios da saída) | Siemens |
| 253603 | BCP75W | 5V e 3.3V, "Metade-Tijolo" 75 watts, conversores de DC/DC | Datel |
| 253604 | BCP75W | 5V e 3.3V, "Metade-Tijolo" 75 watts, conversores de DC/DC | Datel |
| 253605 | BCP75W | 5V e 3.3V, "Metade-Tijolo" 75 watts, conversores de DC/DC | Datel |
| 253606 | BCR | 20 x 20 Ta2 N Para trás-Contatam no silicone | Vishay |
| 253607 | BCR 119 | Únicos transistor do AF para aplicações da finalidade geral | Infineon |
| 253608 | BCR 196 | Únicos AF-Transistor (complexos) digitais no pacote SOT23 | Infineon |
| 253609 | BCR 196W | Únicos AF-Transistor (complexos) digitais no pacote SOT323 | Infineon |
| 253610 | BCR08AM-14 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253611 | BCR08AM-14 | DO USO BAIXO DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC) TIPO PLANAR DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253612 | BCR08AS | TIPO BAIXO DO USO NON-INSULATED DO PODER, TIPO PLANAR DO PASSIVATION | Powerex Power Semiconductors |
| 253613 | BCR08AS-8 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253614 | BCR08AS-8 | TIPO BAIXO DO USO NON-INSULATED DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC), TIPO PLANAR DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253615 | BCR08AS-8 | TIPO BAIXO DO USO NON-INSULATED DO PODER, TIPO PLANAR DO PASSIVATION | Powerex Power Semiconductors |
| 253616 | BCR08PN | Transistor de Digital - pacote SOT363 | Infineon |
| 253617 | BCR08PN | Disposição de Digital Tansistor do silicone de NPN/PNP (circuito do switching, inversor, circuito de relação, circuito de movimentação) | Siemens |
| 253618 | BCR10 | Disposição Do Transistor De Digital Do Silicone de NPN/PNP | Infineon |
| 253619 | BCR10 | Disposição de Digital Tansistor do silicone de NPN/PNP (circuito de movimentação do circuito de relação do inversor do circuito do switching) | Siemens |
| 253620 | BCR101 | Transistor De Digital Do Silicone de NPN | Infineon |
| 253621 | BCR101F | Transistor De Digital Do Silicone de NPN | Infineon |
| 253622 | BCR101FE6327 | Transistor de Digital - R1 = kOhm 100;R2 = kOhm 100 | Infineon |
| 253623 | BCR101L3 | Únicos (Constr- no resistor) AF-Transistor digitais no pacote TSLP-3 | Infineon |
| 253624 | BCR101L3E6327 | Transistor de Digital - R1 = kOhm 100;R2 = kOhm 100 | Infineon |
| 253625 | BCR101T | Únicos AF-Transistor (complexos) digitais no pacote SC75 | Infineon |
| 253626 | BCR101TE6327 | Transistor De Digital - R1=100kOhm; R2=100kOhm | Infineon |
| 253627 | BCR103 | Transistor De Digital Do Silicone de NPN | Infineon |
| 253628 | BCR103F | Únicos (Constr- no resistor) AF-Transistor digitais no pacote TSFP-3 | Infineon |
| 253629 | BCR103FE6327 | Transistor de Digital - R1 = kOhm 2.2; R2 = kOhm 2.2 | Infineon |
| 253630 | BCR103L3 | Únicos (Constr- no resistor) AF-Transistor digitais no pacote TSLP-3 | Infineon |
| 253631 | BCR103L3E6327 | Transistor de Digital - R1 = kOhm 2.2; R2 = kOhm 2.2 | Infineon |
| 253632 | BCR103T | Únicos AF-Transistor (complexos) digitais no pacote SC75 | Infineon |
| 253633 | BCR103TE6327 | Transistor De Digital - R1 = 2,2kOhm; R2 = 2,2kOhm | Infineon |
| 253634 | BCR103U | Transistor De Digital Do Silicone de NPN | Infineon |
| 253635 | BCR108 | Transistor de Digital do silicone de NPN (circuito do switching, inversor, circuito de relação, circuito do excitador | Siemens |
| 253636 | BCR108 | Únicos AF-Transistor (complexos) digitais no pacote SOT23 | Infineon |
| 253637 | BCR108E6327 | Transistor de Digital - kOhm R1=2.2; R2=47kOhm | Infineon |
| 253638 | BCR108F | Únicos (Constr- no resistor) AF-Transistor digitais no pacote TSFP-3 | Infineon |
| 253639 | BCR108FE6327 | Transistor de Digital - R1 = kOhm 2.2; R2 = kOhm 47 | Infineon |
| 253640 | BCR108L3 | Únicos (Constr- no resistor) AF-Transistor digitais no pacote TSLP-3 | Infineon |
| | | |
