| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 253721 | BCR129T | Transistor de Digital - R1 = kOhm 10 | Infineon |
| 253722 | BCR129W | Únicos AF-Transistor (complexos) digitais no pacote SOT323 | Infineon |
| 253723 | BCR129WE6327 | Transistor de Digital - R1 = kOhm 10 | Infineon |
| 253724 | BCR12CM | TIPO MÉDIO DO USO NON-INSULATED DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC), TIPO PLANAR DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253725 | BCR12CM | Volts Amperes/400-600 Do TRIAC 12 | Powerex Power Semiconductors |
| 253726 | BCR12CM-12 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253727 | BCR12CM-12 | Volts Amperes/400-600 Do TRIAC 12 | Powerex Power Semiconductors |
| 253728 | BCR12CM-12L | Volts Amperes/400-600 Do TRIAC 12 | Powerex Power Semiconductors |
| 253729 | BCR12CM-8 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253730 | BCR12CM-8 | Volts Amperes/400-600 Do TRIAC 12 | Powerex Power Semiconductors |
| 253731 | BCR12CM-8L | Volts Amperes/400-600 Do TRIAC 12 | Powerex Power Semiconductors |
| 253732 | BCR12CS | TIPO MÉDIO DO USO NON-INSULATED DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC), TIPO PLANAR DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253733 | BCR12CS | TIPO MÉDIO DO USO NON-INSULATED DO PODER, TIPO PLANAR DO PASSIVATION | Powerex Power Semiconductors |
| 253734 | BCR12CS-12 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253735 | BCR12CS-8 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253736 | BCR12KM-14 | TIPO ISOLADO DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC) USO MÉDIO, TIPO PLANAR DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253737 | BCR12PM | TIPO ISOLADO DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC) USO MÉDIO, TIPO PLANAR DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253738 | BCR12PM | Volts Amperes/400-600 Isolados Do TRIAC 12 | Powerex Power Semiconductors |
| 253739 | BCR12PM-12 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253740 | BCR12PM-12 | Volts Amperes/400-600 Isolados Do TRIAC 12 | Powerex Power Semiconductors |
| 253741 | BCR12PM-12L | Volts Amperes/400-600 Isolados Do TRIAC 12 | Powerex Power Semiconductors |
| 253742 | BCR12PM-14 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253743 | BCR12PM-14 | TIPO ISOLADO DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC) USO MÉDIO, TIPO PLANAR DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253744 | BCR12PM-8 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253745 | BCR12PM-8 | Volts Amperes/400-600 Isolados Do TRIAC 12 | Powerex Power Semiconductors |
| 253746 | BCR12PM-8L | Volts Amperes/400-600 Isolados Do TRIAC 12 | Powerex Power Semiconductors |
| 253747 | BCR12UM | TIPO ISOLADO DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC) USO MÉDIO, TIPO DE VIDRO DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253748 | BCR133 | Transistor de Digital - kOhm R1=10; KOhm R2=10 | Infineon |
| 253749 | BCR133 | Transistor de Digital do silicone de NPN (circuito do switching, inversor, circuito de relação, circuito do excitador) | Siemens |
| 253750 | BCR133F | Únicos (Constr- no resistor) AF-Transistor digitais no pacote TSFP-3 | Infineon |
| 253751 | BCR133FE6327 | Transistor de Digital - R1 = kOhm 10; R2 = kOhm 10 | Infineon |
| 253752 | BCR133L3 | Únicos (Constr- no resistor) AF-Transistor digitais no pacote TSLP-3 | Infineon |
| 253753 | BCR133L3E6327 | Transistor de Digital - R1 = kOhm 10; R2 = kOhm 10 | Infineon |
| 253754 | BCR133S | Transistor de Digital - R1 = kOhm 10; R2 = 10 kOhm SOT363 | Infineon |
| 253755 | BCR133S | Disposição do transistor de Digital do silicone de NPN (circuito do switching, inversor, circuito de relação, circuito do excitador) | Siemens |
| 253756 | BCR133T | Transistor de Digital - R1 = kOhm 10; R2 = kOhm 10 | Infineon |
| 253757 | BCR133U | Transistor de Digital - R1 = kOhm 10; R2 = 10 kOhm SC74 | Infineon |
| 253758 | BCR133W | Transistor de Digital - kOhm R1=10; KOhm R2=10 | Infineon |
| 253759 | BCR133W | Transistor de Digital do silicone de NPN (circuito do switching, inversor, circuito de relação, circuito do excitador) | Siemens |
| 253760 | BCR135 | Transistor de Digital - R1 = kOhm 10; R2 = kOhm 47 | Infineon |
| | | |
