|   Primeira página   |   Todos os fabricantes   |   Pela Função   |  

Parte número, a descrição fabricante ou conter:    
Salto rápido a:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Folhas de dados encontradas :: 1351360Página: << | 6349 | 6350 | 6351 | 6352 | 6353 | 6354 | 6355 | 6356 | 6357 | 6358 | 6359 | >>
Nr.Nome da parteDescriçãoFabricante
254121BCR5AMTIPO MÉDIO DO USO NON-INSULATED DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC), TIPO PLANAR DO PASSIVATIONMitsubishi Electric Corporation
254122BCR5AMVolts Amperes/400-600 Do TRIAC 5Powerex Power Semiconductors
254123BCR5AM-12Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation
254124BCR5AM-12Volts Amperes/400-600 Do TRIAC 5Powerex Power Semiconductors
254125BCR5AM-12LVolts Amperes/400-600 Do TRIAC 5Powerex Power Semiconductors
254126BCR5AM-8Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation
254127BCR5AM-8Volts Amperes/400-600 Do TRIAC 5Powerex Power Semiconductors
254128BCR5AM-8LVolts Amperes/400-600 Do TRIAC 5Powerex Power Semiconductors
254129BCR5ASTIPO MÉDIO DO USO NON-INSULATED DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC), TIPO PLANAR DO PASSIVATIONMitsubishi Electric Corporation
254130BCR5ASVolts Amperes/400-600 De superfície Do TRIAC 5 Da MontagemPowerex Power Semiconductors
254131BCR5AS-12Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation
254132BCR5AS-12Volts Amperes/400-600 De superfície Do TRIAC 5 Da MontagemPowerex Power Semiconductors
254133BCR5AS-12LVolts Amperes/400-600 De superfície Do TRIAC 5 Da MontagemPowerex Power Semiconductors
254134BCR5AS-8Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation
254135BCR5AS-8LVolts Amperes/400-600 De superfície Do TRIAC 5 Da MontagemPowerex Power Semiconductors
254136BCR5KMMódulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation
254137BCR5KMTIPO ISOLADO DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC) USO MÉDIO, TIPO PLANAR DO PASSIVATIONMitsubishi Electric Corporation
254138BCR5PMTIPO ISOLADO DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC) USO BAIXO, TIPO PLANAR DO PASSIVATIONMitsubishi Electric Corporation
254139BCR5PMVolts Amperes/400-600 Isolados Do TRIAC 5Powerex Power Semiconductors



254140BCR5PM-12Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation
254141BCR5PM-14Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation
254142BCR5PM-8Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation
254143BCR6TIPO MÉDIO TIPO PLANAR DO USO NON-INSULATED DO PODER DO PASSIVATIONMitsubishi Electric Corporation
254144BCR6Volts Amperes/400-600 Do TRIAC 6Powerex Power Semiconductors
254145BCR6AMTIPO MÉDIO DO USO NON-INSULATED DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC), TIPO PLANAR DO PASSIVATIONMitsubishi Electric Corporation
254146BCR6AMVolts Amperes/400-600 Do TRIAC 6Powerex Power Semiconductors
254147BCR6AM-12Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation
254148BCR6AM-12Volts Amperes/400-600 Do TRIAC 6Powerex Power Semiconductors
254149BCR6AM-12LVolts Amperes/400-600 Do TRIAC 6Powerex Power Semiconductors
254150BCR6AM-8Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation
254151BCR6AM-8Volts Amperes/400-600 Do TRIAC 6Powerex Power Semiconductors
254152BCR6AM-8LVolts Amperes/400-600 Do TRIAC 6Powerex Power Semiconductors
254153BCR8TIPO MÉDIO TIPO PLANAR DO USO NON-INSULATED DO PODER DO PASSIVATIONMitsubishi Electric Corporation
254154BCR8CMTIPO MÉDIO DO USO NON-INSULATED DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC), TIPO PLANAR DO PASSIVATIONMitsubishi Electric Corporation
254155BCR8CMVolts Amperes/400-600 Do TRIAC 8Powerex Power Semiconductors
254156BCR8CM-12Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation
254157BCR8CM-8Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation
254158BCR8CSTIPO MÉDIO DO USO NON-INSULATED DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC), TIPO PLANAR DO PASSIVATIONMitsubishi Electric Corporation
254159BCR8CSTIPO MÉDIO DO USO NON-INSULATED DO PODER, TIPO PLANAR DO PASSIVATIONPowerex Power Semiconductors
254160BCR8CS-12Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation
Folhas de dados encontradas :: 1351360Página: << | 6349 | 6350 | 6351 | 6352 | 6353 | 6354 | 6355 | 6356 | 6357 | 6358 | 6359 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versión española para esta página Versione italiana Russian version Versiunea romaneasca



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com