| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 254481 | BCW61C | Transistor da finalidade geral de PNP | Philips |
| 254482 | BCW61C | Transistor Epitaxial Do Silicone de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 254483 | BCW61C | TRANSISTOR PEQUENOS PLANAR DO SINAL DO SILICONE DE SOT23 PNP | Zetex Semiconductors |
| 254484 | BCW61C | Transistor da finalidade geral - pacote SOT23 | Infineon |
| 254485 | BCW61C | Transistor do AF do silicone de PNP (para estágios da entrada do AF e o ganho atual elevado das aplicações do excitador) | Siemens |
| 254486 | BCW61C | Ruído Baixo Pequeno Do Transistor PNP Do Sinal de SMD | Central Semiconductor |
| 254487 | BCW61C | Transistor, Rf & Af | Vishay |
| 254488 | BCW61C | Montagem de superfície PlanarTransistors Silicone-si-Epitaxial | Diotec Elektronische |
| 254489 | BCW61C | TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE PNP | Samsung Electronic |
| 254490 | BCW61C | Transistor da finalidade geral de PNP | NXP Semiconductors |
| 254491 | BCW61CLT1 | Silicone De Transistors(PNP Da Finalidade Geral) | Leshan Radio Company |
| 254492 | BCW61CLT1 | Transistor Da Finalidade Geral | Motorola |
| 254493 | BCW61CMTF | Transistor Epitaxial Do Silicone de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 254494 | BCW61CR | TRANSISTOR PEQUENOS PLANAR DO SINAL DO SILICONE DE SOT23 PNP | Zetex Semiconductors |
| 254495 | BCW61D | Transistor da finalidade geral de PNP | Philips |
| 254496 | BCW61D | Transistor Epitaxial Do Silicone de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 254497 | BCW61D | TRANSISTOR PEQUENOS PLANAR DO SINAL DO SILICONE DE SOT23 PNP | Zetex Semiconductors |
| 254498 | BCW61D | Transistor da finalidade geral - pacote SOT23 | Infineon |
| 254499 | BCW61D | Transistor do AF do silicone de PNP (para estágios da entrada do AF e o ganho atual elevado das aplicações do excitador) | Siemens |
| 254500 | BCW61D | Ruído Baixo Pequeno Do Transistor PNP Do Sinal de SMD | Central Semiconductor |
| 254501 | BCW61D | Transistor, Rf & Af | Vishay |
| 254502 | BCW61D | Montagem de superfície PlanarTransistors Silicone-si-Epitaxial | Diotec Elektronische |
| 254503 | BCW61D | TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE PNP | Samsung Electronic |
| 254504 | BCW61D | Transistor da finalidade geral de PNP | NXP Semiconductors |
| 254505 | BCW61DLT1 | Silicone De Transistors(PNP Da Finalidade Geral) | Leshan Radio Company |
| 254506 | BCW61DLT1 | Transistor Da Finalidade Geral | Motorola |
| 254507 | BCW61DMTF | Transistor Epitaxial Do Silicone de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 254508 | BCW61DR | TRANSISTOR PEQUENOS PLANAR DO SINAL DO SILICONE DE SOT23 PNP | Zetex Semiconductors |
| 254509 | BCW61FF | Transistor da finalidade geral - pacote SOT23 | Infineon |
| 254510 | BCW61FF | Transistor do AF do silicone de PNP (para estágios da entrada do AF e o ganho atual elevado das aplicações do excitador) | Siemens |
| 254511 | BCW61FN | Transistor do AF do silicone de PNP (para estágios da entrada do AF e o ganho atual elevado das aplicações do excitador) | Siemens |
| 254512 | BCW61FN | Únicos transistor do AF para aplicações da finalidade geral | Infineon |
| 254513 | BCW65 | TRANSISTOR DE PODER MÉDIOS PLANAR DO SILICONE DE SOT23 NPN | Zetex Semiconductors |
| 254514 | BCW65 | Transistor do AF do silicone de NPN (para o ganho atual elevado das aplicações gerais do AF) | Siemens |
| 254515 | BCW65 | Montagem de superfície PlanarTransistors Silicone-si-Epitaxial | Diotec Elektronische |
| 254516 | BCW65 | Transistor do Af Do Silicone de NPN | Infineon |
| 254517 | BCW65A | TRANSISTOR DE PODER MÉDIOS PLANAR DO SILICONE DE SOT23 NPN | Zetex Semiconductors |
| 254518 | BCW65A | Transistor do AF do silicone de NPN (para o ganho atual elevado das aplicações gerais do AF) | Siemens |
| 254519 | BCW65A | Montagem de superfície PlanarTransistors Silicone-si-Epitaxial | Diotec Elektronische |
| 254520 | BCW65A | Transistor do Af Do Silicone de NPN | Infineon |
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