| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 258921 | BF173 | TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DO SILICONE DE NPN | Micro Electronics |
| 258922 | BF173 | 0.200W Uso Geral NPN metal pode transistor. VCEO 25V, 0.030A Ic, 15 hFE. | Continental Device India Limited |
| 258923 | BF178 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 258924 | BF180 | Mocy krzemowy de Tranzystor ma.ej, wielkiej cz?otliwo.ci | Ultra CEMI |
| 258925 | BF180 | Wielkiej cz?otliwo.ci de Tranzystor | Ultra CEMI |
| 258926 | BF181 | Wielkiej cz?otliwo.ci de Tranzystor | Ultra CEMI |
| 258927 | BF181 | Mocy krzemowy de Tranzystor ma.ej, wielkiej cz?otliwo.ci | Ultra CEMI |
| 258928 | BF182 | Mocy krzemowy de Tranzystor ma.ej, wielkiej cz?otliwo.ci | Ultra CEMI |
| 258929 | BF182 | Wielkiej cz?otliwo.ci de Tranzystor | Ultra CEMI |
| 258930 | BF182 | 0.150W Uso Geral NPN metal pode transistor. VCEO 20V, 0.020A Ic, 10 hFE. | Continental Device India Limited |
| 258931 | BF183 | Mocy krzemowy de Tranzystor ma.ej, wielkiej cz?otliwo.ci | Ultra CEMI |
| 258932 | BF183 | Wielkiej cz?otliwo.ci de Tranzystor | Ultra CEMI |
| 258933 | BF194 | Mocy krzemowy de Tranzystor ma.ej, wielkiej cz?otliwo.ci | Ultra CEMI |
| 258934 | BF194 | Wielkiej cz?otliwo.ci de Tranzystor | Ultra CEMI |
| 258935 | BF195 | Wielkiej cz?otliwo.ci de Tranzystor | Ultra CEMI |
| 258936 | BF195 | Mocy krzemowy de Tranzystor ma.ej, wielkiej cz?otliwo.ci | Ultra CEMI |
| 258937 | BF196 | Mocy krzemowy de Tranzystor ma.ej, wielkiej cz?otliwo.ci | Ultra CEMI |
| 258938 | BF196 | Wielkiej cz?otliwo.ci de Tranzystor | Ultra CEMI |
| 258939 | BF197 | Mocy krzemowy de Tranzystor ma.ej, wielkiej cz?otliwo.ci | Ultra CEMI |
| 258940 | BF197 | Wielkiej cz?otliwo.ci de Tranzystor | Ultra CEMI |
| 258941 | BF198 | Transistor do Rf Do Silicone de NPN | Siemens |
| 258942 | BF199 | Transistor médio da freqüência de NPN | Philips |
| 258943 | BF199 | TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DO SILICONE DE NPN | Micro Electronics |
| 258944 | BF199 | Transistor do Rf | Motorola |
| 258945 | BF199 | Transistor Da Freqüência De rádio de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 258946 | BF199 | 0.350W RF NPN Transistor. 25V VCEO, 0.100A Ic, 40 hFE. | Continental Device India Limited |
| 258947 | BF200 | Mocy krzemowy de Tranzystor ma.ej, wielkiej cz?otliwo.ci | Ultra CEMI |
| 258948 | BF200 | Wielkiej cz?otliwo.ci de Tranzystor | Ultra CEMI |
| 258949 | BF200 | 0.150W Uso Geral NPN metal pode transistor. 20V VCEO, 0.020A Ic, 15-40 hFE. | Continental Device India Limited |
| 258950 | BF2000 | Tetrode do Mosfet Da Canaleta Do Silicone N | Siemens |
| 258951 | BF2000W | Tetrode do MOSFET da canaleta do silicone N (o transistor da Curto-canaleta com fator de qualidade elevado de S/C para a entrada low-noise, ganh-controlada encena até 1 gigahertz) | Siemens |
| 258952 | BF2030 | RF-MOSFET - integrado semi inclinando a rede, VDS=5V, gfs=31mS, Gp=23dB, F=1.5dB | Infineon |
| 258953 | BF2030 | Tetrode do MOSFET da N-Canaleta do silicone (para o ruído baixo, a entrada controlada do ganho elevado encena até a tensão se operando 5V do 1GHz) | Siemens |
| 258954 | BF2030R | RF-MOSFET - integrado semi inclinando a rede, VDS=5V, gfs=31mS, Gp=23dB, F=1.5dB | Infineon |
| 258955 | BF2030W | RF-MOSFET - integrado semi inclinando a rede, VDS=5V, gfs=31mS, Gp=23dB, F=1.5dB | Infineon |
| 258956 | BF2030W | Tetrode do MOSFET da N-Canaleta do silicone (para o ruído baixo, a entrada controlada do ganho elevado encena até a tensão se operando 5V do 1GHz) | Siemens |
| 258957 | BF2040 | RF-MOSFET - integrado semi inclinando a rede, VDS=5V, gfs=41mS, Gp=23dB, F=1.5dB | Infineon |
| 258958 | BF2040 | Tetrode do MOSFET da N-Canaleta do silicone (para o ruído baixo, a entrada controlada do ganho elevado encena até a tensão se operando 5V do 1GHz) | Siemens |
| 258959 | BF2040R | RF-MOSFET - integrado semi inclinando a rede, VDS=5V, gfs=41mS, Gp=23dB, F=1.5dB | Infineon |
| 258960 | BF2040W | RF-MOSFET - integrado semi inclinando a rede, VDS=5V, gfs=41mS, Gp=23dB, F=1.5dB | Infineon |
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