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Nr.Nome da parteDescriçãoFabricante
315241CM-1429Diagrama De Circuito do PWBSamsung Electronic
315242CM-1829Diagrama De Circuito do PWBSamsung Electronic
315243CM-2Módulo De CobraNet Da Canaleta 8x8Cirrus Logic
315244CM-2Módulo De CobraNet Da Canaleta 8x8Cirrus Logic
315245CM-2H8Misturador Equilibrado Do Dobro Diminuto Do Nível Elevado 10-1000 MegahertzSirenza Microdevices
315246CM-99115Profissional ao transformador nivelado de alta fidelidade da reduçãoetc
315247CM10Mini-Mini-DYAD MoldadoClare Inc
315248CM10-2285Mini-Mini-DYAD MoldadoClare Inc
315249CM10-2286Mini-Mini-DYAD MoldadoClare Inc
315250CM10-2288Mini-Mini-DYAD MoldadoClare Inc
315251CM10-2289Mini-Mini-DYAD MoldadoClare Inc
315252CM10-2308Mini-Mini-DYAD MoldadoClare Inc
315253CM10-2339Mini-Mini-DYAD MoldadoClare Inc
315254CM1000PONTE ATUAL ELEVADA RECTIFIERS(VOLTAGE do SILICONE - 50 a 800 volts de CORRENTE - 10 a 35 ampères)Panjit International Inc
315255CM1000RETIFICADORES DE PONTE ATUAIS ELEVADOS DO SILICONETRSYS
315256CM100050 V, 10 A, silício de alta corrente ponte retificadoraTRANSYS Electronics Limited
315257CM1000DU-34NFUSO DO SWITCHING DO PODER ELEVADOMitsubishi Electric Corporation
315258CM1000HA-24HIGBT Modules:1200VMitsubishi Electric Corporation
315259CM1000HA-24HTIPO ISOLADO USO DO SWITCHING DO PODER ELEVADO DOS MÓDULOS DE IGBTMitsubishi Electric Corporation



315260CM1000HA-24HÚnicos Volts Amperes/1200 de IGBTMOD 1000Powerex Power Semiconductors
315261CM1000HA-28HTIPO ISOLADO USO DO SWITCHING DO PODER ELEVADO DOS MÓDULOS DE IGBTMitsubishi Electric Corporation
315262CM1000HA-28HÚnicos Volts Amperes/1400 de IGBTMOD 1000Powerex Power Semiconductors
315263CM1001PONTE ATUAL ELEVADA RECTIFIERS(VOLTAGE do SILICONE - 50 a 800 volts de CORRENTE - 10 a 35 ampères)Panjit International Inc
315264CM1001RETIFICADORES DE PONTE ATUAIS ELEVADOS DO SILICONETRSYS
315265CM1001100 V, 10 A, silício de alta corrente ponte retificadoraTRANSYS Electronics Limited
315266CM1001-7RConversores De 50 Watts DC-DCPower-One
315267CM1002PONTE ATUAL ELEVADA RECTIFIERS(VOLTAGE do SILICONE - 50 a 800 volts de CORRENTE - 10 a 35 ampères)Panjit International Inc
315268CM1002RETIFICADORES DE PONTE ATUAIS ELEVADOS DO SILICONETRSYS
315269CM1002200 V, 10 A, silício de alta corrente ponte retificadoraTRANSYS Electronics Limited
315270CM1004PONTE ATUAL ELEVADA RECTIFIERS(VOLTAGE do SILICONE - 50 a 800 volts de CORRENTE - 10 a 35 ampères)Panjit International Inc
315271CM1004RETIFICADORES DE PONTE ATUAIS ELEVADOS DO SILICONETRSYS
315272CM1004400 V, 10 A, silício de alta corrente ponte retificadoraTRANSYS Electronics Limited
315273CM1006PONTE ATUAL ELEVADA RECTIFIERS(VOLTAGE do SILICONE - 50 a 800 volts de CORRENTE - 10 a 35 ampères)Panjit International Inc
315274CM1006RETIFICADORES DE PONTE ATUAIS ELEVADOS DO SILICONETRSYS
315275CM1006600 V, 10 A, silício de alta corrente ponte retificadoraTRANSYS Electronics Limited
315276CM1008PONTE ATUAL ELEVADA RECTIFIERS(VOLTAGE do SILICONE - 50 a 800 volts de CORRENTE - 10 a 35 ampères)Panjit International Inc
315277CM1008RETIFICADORES DE PONTE ATUAIS ELEVADOS DO SILICONETRSYS
315278CM1008800 V, 10 A, silício de alta corrente ponte retificadoraTRANSYS Electronics Limited
315279CM100BU-12HMódulos de IGBT: 600VMitsubishi Electric Corporation
315280CM100BU-12HTIPO ISOLADO USO DO SWITCHING DO PODER ELEVADO DOS MÓDULOS DE IGBTMitsubishi Electric Corporation
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