| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 44961 | 2N3032 | Retificador Controlado Do Silicone | Microsemi |
| 44962 | 2N3043 | TRANSISTOR DUPLO DO AMPLIFICADOR | Motorola |
| 44963 | 2N3043 | TRANSISTOR DUPLO DO AMPLIFICADOR | Motorola |
| 44964 | 2N3044 | TRANSISTOR DUPLO DO AMPLIFICADOR | Motorola |
| 44965 | 2N3044 | TRANSISTOR DUPLO DO AMPLIFICADOR | Motorola |
| 44966 | 2N3045 | TRANSISTOR DUPLO DO AMPLIFICADOR | Motorola |
| 44967 | 2N3045 | TRANSISTOR DUPLO DO AMPLIFICADOR | Motorola |
| 44968 | 2N3048 | TRANSISTOR DUPLO DO AMPLIFICADOR | Motorola |
| 44969 | 2N3048 | TRANSISTOR DUPLO DO AMPLIFICADOR | Motorola |
| 44970 | 2N3053 | TRANSISTOR DO SILICONE | Micro Electronics |
| 44971 | 2N3053 | SILICONE DA FINALIDADE GERAL TRANSISTOR(NPN) | Boca Semiconductor Corporation |
| 44972 | 2N3053 | TRANSISTOR PLANAR MÉDIO DO SILICONE NPN DO PODER | SemeLAB |
| 44973 | 2N3053 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 44974 | 2N3053 | 5.000W Uso Geral NPN metal pode transistor. VCEO 40V, 0.700A Ic, 50-250 hFE. | Continental Device India Limited |
| 44975 | 2N3053 | NPN sinal pequeno amplificador de propósito geral. | Fairchild Semiconductor |
| 44976 | 2N3053 | Uso geral, silício poder NPN planar transistor médio. | General Electric Solid State |
| 44977 | 2N3053A | SILICONE DA FINALIDADE GERAL TRANSISTOR(NPN) | Boca Semiconductor Corporation |
| 44978 | 2N3053A | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 44979 | 2N3053A | 7.000W Uso Geral NPN metal pode transistor. VCEO 60V, 0.700A Ic, 25 hFE. | Continental Device India Limited |
| 44980 | 2N3053A | Uso geral, silício poder NPN planar transistor médio. | General Electric Solid State |
| 44981 | 2N3054 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 44982 | 2N3054A | TRANSISTOR De PODER De NPN Em um PACOTE HERMETIC | SemeLAB |
| 44983 | 2N3054A | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 44984 | 2N3055 | TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONE | ST Microelectronics |
| 44985 | 2N3055 | Transistor de NPN | Microsemi |
| 44986 | 2N3055 | Transistor de NPN | Microsemi |
| 44987 | 2N3055 | TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONE | SGS Thomson Microelectronics |
| 44988 | 2N3055 | TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONE | SGS Thomson Microelectronics |
| 44989 | 2N3055 | TRANSISTOR DE NPN PARA ESTÁGIOS PODEROSOS DA SAÍDA DO AF | Siemens |
| 44990 | 2N3055 | PODER TRANSISTORS(15A, 50v, 115w) | MOSPEC Semiconductor |
| 44991 | 2N3055 | TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONE | Boca Semiconductor Corporation |
| 44992 | 2N3055 | SILICONE COMPLEMENTAR DE 15 TRANSISTOR DE PODER DO AMPÈRE 60 VOLTS 115 WATTS | Motorola |
| 44993 | 2N3055 | TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES 60 DO SILICONE DE 15 AMPÈRES, 120 VOLTS 115, 180 WATTS | Motorola |
| 44994 | 2N3055 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 44995 | 2N3055 | Poder 15A 60V NPN Discreto | ON Semiconductor |
| 44996 | 2N3055 | 115.000W Poder NPN metal pode transistor. 60V VCEO, 15.000A Ic, 5 hFE. | Continental Device India Limited |
| 44997 | 2N3055 | Geral transistor de potência propósito. | General Electric Solid State |
| 44998 | 2N3055 | NPN transistor de potência, 100V, 15A | SemeLAB |
| 44999 | 2N3055 | Alta potência NPN transistor. Comutação de propósito geral e aplicação amplificador. VCEO = 60VDC, Vcer = 70Vdc, Vcb = 100VCC, o VEB = 15Vdc, Ic = 7Adc, Ib = 7Adc, PD = 115W. | USHA India LTD |
| 45000 | 2N3055-D | Transistor Complementares Do Elevado-Poder Do Silicone | ON Semiconductor |
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