Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
45321 | 2N3502 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
45322 | 2N3503 | TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DO SILICONE DE PNP | SemeLAB |
45323 | 2N3503 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
45324 | 2N3504 | TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DO SILICONE DE PNP | SemeLAB |
45325 | 2N3504 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
45326 | 2N3505 | TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DO SILICONE DE PNP | SemeLAB |
45327 | 2N3505 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
45328 | 2N3506 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
45329 | 2N3506 | Tipo Polaridade 1506 Da Geometria De 2C3506 Da Microplaqueta NPN | Semicoa Semiconductor |
45330 | 2N3506L | Tipo Polaridade 1506 Da Geometria De 2C3506 Da Microplaqueta NPN | Semicoa Semiconductor |
45331 | 2N3507 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
45332 | 2N3507 | Tipo Polaridade 1506 Da Geometria De 2C3506 Da Microplaqueta NPN | Semicoa Semiconductor |
45333 | 2N3507L | Tipo Polaridade 1506 Da Geometria De 2C3506 Da Microplaqueta NPN | Semicoa Semiconductor |
45334 | 2N3508 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
45335 | 2N3509 | Transistor Pequenos Do Sinal | Central Semiconductor |
45336 | 2N3509 | Transistor Pequenos Do Sinal | Central Semiconductor |
45337 | 2N3525 | RETIFICADORES CONTROLADOS DO SILICONE 5-A | General Electric Solid State |
45338 | 2N3525 | RETIFICADORES CONTROLADOS DO SILICONE 5-A | General Electric Solid State |
45339 | 2N3535 | Dispositivo bipolar de NPNP em um pacote hermetically selado do metal TO39. | SemeLAB |
45340 | 2N3535 | Dispositivo bipolar de NPNP em um pacote hermetically selado do metal TO39. | SemeLAB |
45341 | 2N3545 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
45342 | 2N3546 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
45343 | 2N3547 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
45344 | 2N3548 | TRANSISTOR PEQUENOS DO SINAL DO RUÍDO BAIXO DO AF DO SILICONE | Micro Electronics |
45345 | 2N3548 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
45346 | 2N3549 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
45347 | 2N3550 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
45348 | 2N3553 | Transistor epitaxial planar da folha de prova do silicone | Philips |
45349 | 2N3554 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
45350 | 2N3558 | Dispositivo bipolar de NPNP em um pacote hermetically selado do metal TO39 | SemeLAB |
45351 | 2N3565 | Amplificador Da Finalidade Geral de NPN | Fairchild Semiconductor |
45352 | 2N3570 | TRANSISTOR DA ALTA FREQÜÊNCIA DO SILICONE DE NPN | Advanced Semiconductor |
45353 | 2N3576 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
45354 | 2N3583 | Transistor de NPN | Microsemi |
45355 | 2N3583 | PODER TRANSISTORS(35W) | MOSPEC Semiconductor |
45356 | 2N3583 | TRANSISTOR DE PODER DE ALTA TENSÃO COMPLEMENTARES DE MEDIUM-POWER | Boca Semiconductor Corporation |
45357 | 2N3583 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
45358 | 2N3583 | De alta tensão silício NPN transistor. | General Electric Solid State |
45359 | 2N3584 | Transistor de NPN | Microsemi |
45360 | 2N3584 | Transistor de NPN | Microsemi |
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