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Nr.Nome da parteDescriçãoFabricante
462812N4240Finalidade Geral Leaded De Transistor De PoderCentral Semiconductor
462822N4240De alta tensão silício NPN transistor.General Electric Solid State
462832N4248Os transistor do silicone PNP projetaram para o nível baixo - aplicações baixas do amplificador do nosieCentral Semiconductor
462842N4249Os transistor do silicone PNP projetaram para o nível baixo - aplicações baixas do amplificador do nosieCentral Semiconductor
462852N4250Os transistor do silicone PNP projetaram para o nível baixo - aplicações baixas do amplificador do nosieCentral Semiconductor
462862N4250AOs transistor do silicone PNP projetaram para o nível baixo - aplicações baixas do amplificador do nosieCentral Semiconductor
462872N4260Tipo Polaridade PNP Da Microplaqueta Da Geometria 0014 De 2C4261Semicoa Semiconductor
462882N4260UBTipo Polaridade PNP Da Microplaqueta Da Geometria 0014 De 2C4261Semicoa Semiconductor
462892N4261Tipo Polaridade PNP Da Microplaqueta Da Geometria 0014 De 2C4261Semicoa Semiconductor
462902N4261UBTipo Polaridade PNP Da Microplaqueta Da Geometria 0014 De 2C4261Semicoa Semiconductor
462912N4264Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do SinalCentral Semiconductor
462922N4264Silicone De Transistor(NPN Da Finalidade Geral)ON Semiconductor
462932N4264-DSilicone De Transitor NPN Da Finalidade GeralON Semiconductor
462942N4269Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do SinalCentral Semiconductor
462952N4270Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do SinalCentral Semiconductor
462962N4271Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do SinalCentral Semiconductor
462972N4272Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do SinalCentral Semiconductor
462982N4276Transistor De Poder Do GermânioGPD Optoelectronic Devices



462992N4276Transistor De Poder Elevado Do GermânioDiode Transistor Co Inc
463002N4287Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do SinalCentral Semiconductor
463012N4289Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do SinalCentral Semiconductor
463022N4296Finalidade Geral Leaded De Transistor De PoderCentral Semiconductor
463032N4298Finalidade Geral Leaded De Transistor De PoderCentral Semiconductor
463042N4299Finalidade Geral Leaded De Transistor De PoderCentral Semiconductor
463052N4300Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do SinalCentral Semiconductor
463062N4314Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do SinalCentral Semiconductor
463072N4314Poder silício Médio NPN planar transistor.General Electric Solid State
463082N4338Tensão Baixa De Noise/LowVishay
463092N4338Amplificador Baixo Do Ruído Da N-Canaleta JFETCalogic
463102N4338Finalidade Geral Leaded de JFETCentral Semiconductor
463112N4338N-Channel junção de silício de efeito de campo transistorInterFET Corporation
463122N4338-41Amplificador Baixo Do Ruído Da N-Canaleta JFETCalogic
463132N4339Tensão Baixa De Noise/LowVishay
463142N4339Amplificador Baixo Do Ruído Da N-Canaleta JFETCalogic
463152N4339N-Channel junção de silício de efeito de campo transistorInterFET Corporation
463162N4340Tensão Baixa De Noise/LowVishay
463172N4340Amplificador Baixo Do Ruído Da N-Canaleta JFETCalogic
463182N4340Finalidade Geral Leaded de JFETCentral Semiconductor
463192N4340N-Channel junção de silício de efeito de campo transistorInterFET Corporation
463202N4341Tensão Baixa De Noise/LowVishay
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