| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 48321 | 2N6080 | V (CBO): 36V; V (CEO): 18V; V (EBO): 4V; Transistor comunicações VHF | SGS Thomson Microelectronics |
| 48322 | 2N6081 | TRANSISTOR DO RF & DA MICROONDA 130... APLICAÇÕES DO MÓDULO DE 230 MEGAHERTZ FM | Microsemi |
| 48323 | 2N6081 | TRANSISTOR DO RF & DA MICROONDA 130... APLICAÇÕES DO MÓDULO DE 230 MEGAHERTZ FM | Microsemi |
| 48324 | 2N6081 | V (CBO): 36V; V (CEO): 18V; V (EBO): 4V; Transistor comunicações VHF | SGS Thomson Microelectronics |
| 48325 | 2N6082 | Transistor De Poder do Rf Do Silicone de NPN | Motorola |
| 48326 | 2N6082 | Transistor Das Comunicações do Vhf | ST Microelectronics |
| 48327 | 2N6082 | V (CBO): 36V; V (CEO): 18V; V (EBO): 4V; Transistor comunicações VHF | SGS Thomson Microelectronics |
| 48328 | 2N6083 | TRANSISTOR DO RF & DA MICROONDA 130... APLICAÇÕES DO MÓDULO DE 230 MEGAHERTZ FM | Microsemi |
| 48329 | 2N6083 | TRANSISTOR DO RF & DA MICROONDA 130... APLICAÇÕES DO MÓDULO DE 230 MEGAHERTZ FM | Microsemi |
| 48330 | 2N6083 | V (CBO): 36V; V (CEO): 18V; V (EBO): 4V; Transistor comunicações VHF | SGS Thomson Microelectronics |
| 48331 | 2N6084 | TRANSISTOR DO RF & DA MICROONDA 130... APLICAÇÕES DO MÓDULO DE 230 MEGAHERTZ FM | Microsemi |
| 48332 | 2N6084 | TRANSISTOR DO RF & DA MICROONDA 130... APLICAÇÕES DO MÓDULO DE 230 MEGAHERTZ FM | Microsemi |
| 48333 | 2N6084 | V (CBO): 36V; V (CEO): 18V; V (EBO): 4V; Transistor comunicações VHF | SGS Thomson Microelectronics |
| 48334 | 2N6099 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 48335 | 2N6101 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 48336 | 2N6101 | 75.000W Médio Poder NPN plástico com chumbo Transistor. 70V VCEO, 10.000A Ic, 20-80 hFE. | Continental Device India Limited |
| 48337 | 2N6103 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 48338 | 2N6106 | EPITAXIAL-BASE, SILICONE N-P-N E TRANSISTOR DE P-N-P VERSAWATT | Boca Semiconductor Corporation |
| 48339 | 2N6106 | Epitaxial-base, silício PNP VERSAWATT transistor. -80V. | General Electric Solid State |
| 48340 | 2N6107 | TRANSISTOR DO SWITCHING DO SILICONE PNP | ST Microelectronics |
| 48341 | 2N6107 | TRANSISTOR DO SWITCHING DO SILICONE PNP | SGS Thomson Microelectronics |
| 48342 | 2N6107 | TRANSISTOR DO SWITCHING DO SILICONE PNP | SGS Thomson Microelectronics |
| 48343 | 2N6107 | PODER TRANSISTORS(7A, 40w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48344 | 2N6107 | EPITAXIAL-BASE, SILICONE N-P-N E TRANSISTOR DE P-N-P VERSAWATT | Boca Semiconductor Corporation |
| 48345 | 2N6107 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 48346 | 2N6107 | Poder 7A 70V PNP Discreto | ON Semiconductor |
| 48347 | 2N6107 | 40.000W Médio Poder PNP plástico com chumbo Transistor. 70V VCEO, Ic 7.000A, 2 hFE. | Continental Device India Limited |
| 48348 | 2N6107 | Epitaxial-base, silício PNP VERSAWATT transistor. -80V. | General Electric Solid State |
| 48349 | 2N6107 | PNP transistor de potência plástico de silicone. Projetado para uso em comutação e amplificador de aplicações de uso geral. VCEO = 70Vdc, Vcb = 80Vdc, o VEB = 5Vdc Ic = 7Adc, PD = 40W. | USHA India LTD |
| 48350 | 2N6107-D | Transistor De Poder Plásticos Do Silicone Complementar | ON Semiconductor |
| 48351 | 2N6108 | EPITAXIAL-BASE, SILICONE N-P-N E TRANSISTOR DE P-N-P VERSAWATT | Boca Semiconductor Corporation |
| 48352 | 2N6108 | Epitaxial-base, silício PNP VERSAWATT transistor. -60V. | General Electric Solid State |
| 48353 | 2N6109 | PODER TRANSISTORS(7A, 40w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48354 | 2N6109 | EPITAXIAL-BASE, SILICONE N-P-N E TRANSISTOR DE P-N-P VERSAWATT | Boca Semiconductor Corporation |
| 48355 | 2N6109 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 48356 | 2N6109 | Poder 7A 50V PNP Discreto | ON Semiconductor |
| 48357 | 2N6109 | 40.000W Médio Poder PNP plástico com chumbo Transistor. VCEO 50V, 7.000A Ic, 30-150 hFE. | Continental Device India Limited |
| 48358 | 2N6109 | Epitaxial-base, silício PNP VERSAWATT transistor. -60V. | General Electric Solid State |
| 48359 | 2N6110 | EPITAXIAL-BASE, SILICONE N-P-N E TRANSISTOR DE P-N-P VERSAWATT | Boca Semiconductor Corporation |
| 48360 | 2N6110 | Epitaxial-base, silício PNP VERSAWATT transistor. -40V. | General Electric Solid State |
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