Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
49281 | 2N6759 | MOSFETs/ 5.5A/ 350V/400V Do Poder Da N-Canaleta | Fairchild Semiconductor |
49282 | 2N6759 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 350V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 4.5A. | General Electric Solid State |
49283 | 2N6760 | 400V escolhem o MOSFET da N-Canaleta hi-Rel-Rel em um pacote de TO-204AA | International Rectifier |
49284 | 2N6760 | MOSFETs/ 5.5A/ 350V/400V Do Poder Da N-Canaleta | Fairchild Semiconductor |
49285 | 2N6760 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 400V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 5.5A. | General Electric Solid State |
49286 | 2N6761 | MOSFETs/ 4.5A/ 450V/500V Do Poder Da N-Canaleta | Fairchild Semiconductor |
49287 | 2N6761 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 450V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 4.0A. | General Electric Solid State |
49288 | 2N6762 | 500V escolhem o MOSFET da N-Canaleta hi-Rel-Rel em um pacote de TO-204AA | International Rectifier |
49289 | 2N6762 | MOSFETs/ 4.5A/ 450V/500V Do Poder Da N-Canaleta | Fairchild Semiconductor |
49290 | 2N6762 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 500V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 4.5A. | General Electric Solid State |
49291 | 2N6763 | MOSFETs/ 38A/ 60V/100V Do Poder Da N-Canaleta | Fairchild Semiconductor |
49292 | 2N6764 | 100V escolhem o MOSFET da N-Canaleta hi-Rel-Rel em um pacote de TO-204AE | International Rectifier |
49293 | 2N6764 | MOSFETs/ 38A/ 60V/100V Do Poder Da N-Canaleta | Fairchild Semiconductor |
49294 | 2N6764 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 100V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 38A. | General Electric Solid State |
49295 | 2N6764 | N-channel modo de aumento de potência MOSFET transistor | Omnirel |
49296 | 2N6765 | MOSFETs/ 30A/ 150V/200V Do Poder Da N-Canaleta | Fairchild Semiconductor |
49297 | 2N6766 | 200V escolhem o MOSFET da N-Canaleta hi-Rel-Rel em um pacote de TO-204AE | International Rectifier |
49298 | 2N6766 | MOSFETs/ 30A/ 150V/200V Do Poder Da N-Canaleta | Fairchild Semiconductor |
49299 | 2N6766 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 200V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 30A. | General Electric Solid State |
49300 | 2N6766 | N-channel modo de aumento de potência MOSFET transistor | Omnirel |
49301 | 2N6767 | MOSFETs/ 15A/ 350V/400V Do Poder Da N-Canaleta | Fairchild Semiconductor |
49302 | 2N6768 | 400V escolhem o MOSFET da N-Canaleta hi-Rel-Rel em um pacote de TO-204AE | International Rectifier |
49303 | 2N6768 | MOSFETs/ 15A/ 350V/400V Do Poder Da N-Canaleta | Fairchild Semiconductor |
49304 | 2N6768 | N-channel modo de aumento de potência MOSFET transistor | Omnirel |
49305 | 2N6769 | MOSFETs/ 12A/ 450V/500V Do Poder Da N-Canaleta | Fairchild Semiconductor |
49306 | 2N6770 | 500V escolhem o MOSFET da N-Canaleta hi-Rel-Rel em um pacote de TO-204AA | International Rectifier |
49307 | 2N6770 | MOSFETs/ 12A/ 450V/500V Do Poder Da N-Canaleta | Fairchild Semiconductor |
49308 | 2N6770 | N-channel modo de aumento de potência MOSFET transistor | Omnirel |
49309 | 2N6781 | 60 V, 06 ohm, realce-mode N-canal D-MOS FET de potência | Topaz Semiconductor |
49310 | 2N6782 | 100V escolhem o MOSFET da N-Canaleta hi-Rel-Rel em um pacote de TO-205AF | International Rectifier |
49311 | 2N6782 | MOSFET DO PODER DE N-CHANNEL | SemeLAB |
49312 | 2N6782 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. 3.5 A, 100V. | General Electric Solid State |
49313 | 2N6782 | 100 V, 06 ohm, N-channel-mode aprimoramento D-MOS FET de potência | Topaz Semiconductor |
49314 | 2N6782LCC4 | MOSFET DO PODER DE N-CHANNEL | SemeLAB |
49315 | 2N6784 | 200V escolhem o MOSFET da N-Canaleta hi-Rel-Rel em um pacote de TO-205AF | International Rectifier |
49316 | 2N6786 | 400V escolhem o MOSFET da N-Canaleta hi-Rel-Rel em um pacote de TO-205AF | International Rectifier |
49317 | 2N6786 | Mosfet da N-Canaleta em um pacote hermetically selado do metal TO39 | SemeLAB |
49318 | 2N6788 | 100V escolhem o MOSFET da N-Canaleta hi-Rel-Rel em um pacote de TO-205AF | International Rectifier |
49319 | 2N6788 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. 6.0 A, 100V. | General Electric Solid State |
49320 | 2N6790 | 200V escolhem o MOSFET da N-Canaleta hi-Rel-Rel em um pacote de TO-205AF | International Rectifier |
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