| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 505801 | HSH1000NEO | Lâmpadas para o photolithography | PerkinElmer Optoelectronics |
| 505802 | HSH1000UEO | Lâmpadas para o photolithography | PerkinElmer Optoelectronics |
| 505803 | HSH1002CEO | Lâmpadas para o photolithography | PerkinElmer Optoelectronics |
| 505804 | HSH1002GEO | Lâmpadas para o photolithography | PerkinElmer Optoelectronics |
| 505805 | HSH1002NEO | Lâmpadas para o photolithography | PerkinElmer Optoelectronics |
| 505806 | HSH1002NILO | Lâmpadas para o photolithography | PerkinElmer Optoelectronics |
| 505807 | HSH1002UEO | Lâmpadas para o photolithography | PerkinElmer Optoelectronics |
| 505808 | HSH1003GILO | Lâmpadas para o photolithography | PerkinElmer Optoelectronics |
| 505809 | HSH1003GILOS | Lâmpadas para o photolithography | PerkinElmer Optoelectronics |
| 505810 | HSH1500CIEO | Lâmpadas para o photolithography | PerkinElmer Optoelectronics |
| 505811 | HSH1500KS | Lâmpadas para o photolithography | PerkinElmer Optoelectronics |
| 505812 | HSH1500PIEO | Lâmpadas para o photolithography | PerkinElmer Optoelectronics |
| 505813 | HSH1500PILO | Lâmpadas para o photolithography | PerkinElmer Optoelectronics |
| 505814 | HSH2000NIEO | Lâmpadas para o photolithography | PerkinElmer Optoelectronics |
| 505815 | HSH2001CIEO | Lâmpadas para o photolithography | PerkinElmer Optoelectronics |
| 505816 | HSH2001NIELO | Lâmpadas para o photolithography | PerkinElmer Optoelectronics |
| 505817 | HSH2001NIEO | Lâmpadas para o photolithography | PerkinElmer Optoelectronics |
| 505818 | HSH2002NIEO | Lâmpadas para o photolithography | PerkinElmer Optoelectronics |
| 505819 | HSH2011NIEO | Lâmpadas para o photolithography | PerkinElmer Optoelectronics |
| 505820 | HSH2501NIL0 | Lâmpadas para o photolithography | PerkinElmer Optoelectronics |
| 505821 | HSH2501NILO | Lâmpada para fotolitografia. Potência 2500 watts, atuais 109 ampères (DC), tensão 23 volts (DC). Temperatura (na base) 220degC (máx). | PerkinElmer Optoelectronics |
| 505822 | HSH2510NIL0 | Lâmpadas para o photolithography | PerkinElmer Optoelectronics |
| 505823 | HSH2510NILO | Lâmpada para fotolitografia. Potência 2500 watts, atuais 109 ampères (DC), tensão 23 volts (DC). Temperatura (na base) 220degC (máx). | PerkinElmer Optoelectronics |
| 505824 | HSH3500PILO | Lâmpadas para o photolithography | PerkinElmer Optoelectronics |
| 505825 | HSH3501PILO | Lâmpadas para o photolithography | PerkinElmer Optoelectronics |
| 505826 | HSI2CMOD | Jogo da avaliação para o HS I | MAXIM - Dallas Semiconductor |
| 505827 | HSK1118 | Tipo do MOS Da Canaleta Do Silicone N | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 505828 | HSK120 | Diodo De Sinal Pequeno | Hitachi Semiconductor |
| 505829 | HSK120 | Diodes>Switching | Renesas |
| 505830 | HSK122 | Diodo De Sinal Pequeno | Hitachi Semiconductor |
| 505831 | HSK122 | Diodes>Switching | Renesas |
| 505832 | HSK2474I | MOSFETs Da N-Canaleta | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 505833 | HSK2474J | MOSFETs Da N-Canaleta | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 505834 | HSK83 | Diodo De Sinal Pequeno | Hitachi Semiconductor |
| 505835 | HSK83 | Diodes>Switching | Renesas |
| 505836 | HSL226 | Diodes>Switching | Renesas |
| 505837 | HSL278 | Diodes>Switching | Renesas |
| 505838 | HSM101 | RETIFICADOR de SILICONE PASSIVATED da EFICIÊNCIA ELEVADA da MONTAGEM VIDRO DE SUPERFÍCIE (volts da CORRENTE da ESCALA 50 a 600 da TENSÃO 1.0 ampère) | Rectron Semiconductor |
| 505839 | HSM101 | ESPECIFICAÇÕES TÉCNICAS DO RETIFICADOR DE SUPERFÍCIE DA EFICIÊNCIA ELEVADA DA MONTAGEM | DC Components |
| 505840 | HSM102 | RETIFICADOR de SILICONE PASSIVATED da EFICIÊNCIA ELEVADA da MONTAGEM VIDRO DE SUPERFÍCIE (volts da CORRENTE da ESCALA 50 a 600 da TENSÃO 1.0 ampère) | Rectron Semiconductor |
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