| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 51521 | 2SA928 | TRANSISTOR DO SILICONE DE PNP | Micro Electronics |
| 51522 | 2SA928A | PNP transistor de amplificador de potência de áudio, a tensão coletor-emissor = 30V, corrente de coletor = 2A | Unisonic Technologies |
| 51523 | 2SA929 | APLICAÇÕES MUITO BAIXAS DO AMPÈRE DO RUÍDO | SANYO |
| 51524 | 2SA929 | APLICAÇÕES MUITO BAIXAS DO AMPÈRE DO RUÍDO | SANYO |
| 51525 | 2SA930 | APLICAÇÕES MUITO BAIXAS DO AMPÈRE DO RUÍDO | SANYO |
| 51526 | 2SA930 | APLICAÇÕES MUITO BAIXAS DO AMPÈRE DO RUÍDO | SANYO |
| 51527 | 2SA933 | TRANSISTOR PLANAR EPITAXIAL DO SILICONE DE PNP | ROHM |
| 51528 | 2SA933 | TRANSISTOR PLANAR EPITAXIAL DO SILICONE DE PNP | ROHM |
| 51529 | 2SA933AS | Transistor > sinal pequeno Transistors(up bipolar a 0.6W) | ROHM |
| 51530 | 2SA933S | TRANSISTOR PLANAR EPITAXIAL DO SILICONE DE PNP | ROHM |
| 51531 | 2SA933S | TRANSISTOR PLANAR EPITAXIAL DO SILICONE DE PNP | ROHM |
| 51532 | 2SA934 | TRANSISTOR A 92L TO-92LS MRT | ROHM |
| 51533 | 2SA934 | O PODER DO PACOTE 1.2W GRAVOU O TRANSISTOR PROJETADO PARAO USO COM UMA COLOCAÇÃO AUTOMÁTICA MECHINE | ROHM |
| 51534 | 2SA934 | TRANSISTOR A 92L TO-92LS MRT | ROHM |
| 51535 | 2SA934 | O PODER DO PACOTE 1.2W GRAVOU O TRANSISTOR PROJETADO PARAO USO COM UMA COLOCAÇÃO AUTOMÁTICA MECHINE | ROHM |
| 51536 | 2SA935 | Transistor Plástico-Plastic-Encapsulated TO-92L | TRANSYS Electronics Limited |
| 51537 | 2SA937 | TRANSISTOR PLANAR EPITAXIAL DO SILICONE DE PNP | ROHM |
| 51538 | 2SA937 | TRANSISTOR PLANAR EPITAXIAL DO SILICONE DE PNP | ROHM |
| 51539 | 2SA937M | TRANSISTOR DO SILICONE DE PNP | ROHM |
| 51540 | 2SA937M | TRANSISTOR DO SILICONE DE PNP | ROHM |
| 51541 | 2SA940 | PODER TRANSISTORS(1.5A, 150v, 25w) | MOSPEC Semiconductor |
| 51542 | 2SA940 | DO AMPLIFICADOR EPITAXIAL DO SILICONE TRANSISTOR(POWER DE PNP DEFLEXÃO VERTICAL OUTPUT) | Wing Shing Computer Components |
| 51543 | 2SA940A | TIPO DIFUNDIDO TRIPLO DO SILICONE PNP DO TRANSISTOR (PROCESSO) DO PCT AMPLIFICADOR DE PODER E APLICAÇÕES VERTICAIS DA SAÍDA. | TOSHIBA |
| 51544 | 2SA941 | PROCESSO EPITAXIAL DO SILICONE PNP TRANSISTOR(PCT) | Unknow |
| 51545 | 2SA941 | PROCESSO EPITAXIAL DO SILICONE PNP TRANSISTOR(PCT) | Unknow |
| 51546 | 2SA941 | 120V PNP transistor de silício para aplicações de amplificador de áudio de baixo ruído | TOSHIBA |
| 51547 | 2SA942 | PROCESSO EPITAXIAL DO SILICONE PNP TRANSISTOR(PCT) | Unknow |
| 51548 | 2SA942 | PROCESSO EPITAXIAL DO SILICONE PNP TRANSISTOR(PCT) | Unknow |
| 51549 | 2SA942 | 90V PNP transistor de silício para aplicações de amplificador de áudio de baixo ruído | TOSHIBA |
| 51550 | 2SA949 | TIPO DIFUNDIDO TRIPLO DO SILICONE PNP DO TRANSISTOR. APLICAÇÕES DO AMPLIFICADOR AUDIO DE ESTÁGIO DE EXCITADOR E DO SWITCHING DA ALTA TENSÃO | TOSHIBA |
| 51551 | 2SA950 | Tipo epitaxial do silicone PNP do transistor (processo) do PCT aplicações audio do amplificador de poder | TOSHIBA |
| 51552 | 2SA952 | TRANSISTOR DO SILICONE DE PNP | NEC |
| 51553 | 2SA952 | TRANSISTOR DO SILICONE DE PNP | NEC |
| 51554 | 2SA953 | TRANSISTOR DO SILICONE DE PNP | NEC |
| 51555 | 2SA953 | TRANSISTOR DO SILICONE DE PNP | NEC |
| 51556 | 2SA954 | TRANSISTOR DO SILICONE DE PNP | NEC |
| 51557 | 2SA954 | TRANSISTOR DO SILICONE DE PNP | NEC |
| 51558 | 2SA954 | Amplificador de freqüência de áudio. Tensão colector-base: VCBO = -80V. Tensão coletor-emissor: VCEO = -80V. Tensão emissor-base Vebo = 5V. Dissipação Collector: Pc (max) = 600mW. | USHA India LTD |
| 51559 | 2SA956 | TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE PNP | Unknow |
| 51560 | 2SA956 | TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE PNP | Unknow |
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