Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
51801 | 2SB1085 | PACOTE GRAVADO DO TRANSISTOR DE PODER PARA O USO COM UMAMÁQUINA DE COLOCAÇÃO AUTOMÁTICA | ROHM |
51802 | 2SB1085A | Transistor Planar Epitaxial Do Silicone de PNP | ROHM |
51803 | 2SB1085A | PACOTE GRAVADO DO TRANSISTOR DE PODER PARA O USO COM UMAMÁQUINA DE COLOCAÇÃO AUTOMÁTICA | ROHM |
51804 | 2SB1091 | Transistor Do Silicone PNP Darlington | Hitachi Semiconductor |
51805 | 2SB1091 | Triplo Do Silicone PNP Difundido | Hitachi Semiconductor |
51806 | 2SB1091 | Transistors>Switching/Bipolar | Renesas |
51807 | 2SB1093 | TRANSISTOR DO SILICONE DARLINGTON DE PNP | NEC |
51808 | 2SB1094 | Transistor do silicone | NEC |
51809 | 2SB1096 | Colora A Saída Vertical Da Deflexão da Tevê | Unknow |
51810 | 2SB1101 | PAR COMPLEMENTAR DO AMPLIFICADOR DE PODER DA FREQÜÊNCIA BAIXA COM 2SD1601,2SD1602 | Hitachi Semiconductor |
51811 | 2SB1102 | PAR COMPLEMENTAR DO AMPLIFICADOR DE PODER DA FREQÜÊNCIA BAIXA COM 2SD1601,2SD1602 | Hitachi Semiconductor |
51812 | 2SB1103 | Transistor Do Silicone PNP Darlington | Hitachi Semiconductor |
51813 | 2SB1103 | Triplo Do Silicone PNP Difundido | Hitachi Semiconductor |
51814 | 2SB1103 | Transistors>Switching/Bipolar | Renesas |
51815 | 2SB1108 | Velocidade média que comuta o par complementar com 2SD1608 | Panasonic |
51816 | 2SB1109 | SILICONE PNP EPITAXIAL (AMPLIFICADOR DE ALTA TENSÃO DA FREQÜÊNCIA BAIXA) | Hitachi Semiconductor |
51817 | 2SB1110 | SILICONE PNP EPITAXIAL (AMPLIFICADOR DE ALTA TENSÃO DA FREQÜÊNCIA BAIXA) | Hitachi Semiconductor |
51818 | 2SB1114 | Transistor do silicone | NEC |
51819 | 2SB1114-T1 | Transistor do silicone | NEC |
51820 | 2SB1114-T2 | Transistor do silicone | NEC |
51821 | 2SB1115 | DO PODER EPITAXIAL DO TRANSISTOR DO SILICONE DE PNP MOLDE MINI | NEC |
51822 | 2SB1115 | 60 V, 2 A, 2 W transistor de silício | EIC discrete Semiconductors |
51823 | 2SB1115-T1 | Transistor do silicone | NEC |
51824 | 2SB1115-T2 | Transistor do silicone | NEC |
51825 | 2SB1115A | DO PODER EPITAXIAL DO TRANSISTOR DO SILICONE DE PNP MOLDE MINI | NEC |
51826 | 2SB1115A | 80 V, 2 A, 2 W transistor de silício | EIC discrete Semiconductors |
51827 | 2SB1115A-T1 | Transistor do silicone | NEC |
51828 | 2SB1115A-T2 | Transistor do silicone | NEC |
51829 | 2SB1116 | Transistor do silicone | NEC |
51830 | 2SB1116 | Amplificador de potência de áudio freqüência de comutação de velocidade média. Tensão colector-base: Vcbo = -60V. Tensão coletor-emissor: VCEO = -50V. Tensão emissor-base Vebo = -6V. Dissipação Collector: Pc (max) = 0,75W. | USHA India LTD |
51831 | 2SB1116(C)-T | Transistor do silicone | NEC |
51832 | 2SB1116-T | Transistor do silicone | NEC |
51833 | 2SB1116-T/JD | Transistor do silicone | NEC |
51834 | 2SB1116-T/JM | Transistor do silicone | NEC |
51835 | 2SB1116/JD | Transistor do silicone | NEC |
51836 | 2SB1116/JM | Transistor do silicone | NEC |
51837 | 2SB1116A | Transistor do silicone | NEC |
51838 | 2SB1116A | Amplificador de potência de áudio freqüência de comutação de velocidade média. Tensão coletor-base de Vcbo = -80V. Tensão coletor-emissor VCEO = -60V. Tensão emissor-base Vebo = -6V. Dissipação Collector Pc (max) = 0,75W. | USHA India LTD |
51839 | 2SB1116A-T | Transistor do silicone | NEC |
51840 | 2SB1116A-T/JD | Transistor do silicone | NEC |
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