| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 53761 | 2SC3012 | TRIPLICAR-SE DO SILICONE DO SILICONE EPITAXIAL/NPN DE PNP DIFUNDIU O TRANSISTOR | Unknow |
| 53762 | 2SC3012 | TRIPLICAR-SE DO SILICONE DO SILICONE EPITAXIAL/NPN DE PNP DIFUNDIU O TRANSISTOR | Unknow |
| 53763 | 2SC3017 | TIPO PLANAR EPITAXIAL DO TRANSISTOR DE PODER NPN DO RF | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53764 | 2SC3018 | TIPO PLANAR EPITAXIAL DO TRANSISTOR DE PODER NPN DO RF | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53765 | 2SC3019 | TIPO PLANAR EPITAXIAL DO TRANSISTOR DE PODER NPN DO RF | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53766 | 2SC3020 | TIPO PLANAR EPITAXIAL DO TRANSISTOR DE PODER NPN DO RF | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53767 | 2SC3021 | TIPO PLANAR EPITAXIAL DO TRANSISTOR DE PODER NPN DO RF | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53768 | 2SC3022 | TIPO PLANAR EPITAXIAL DO TRANSISTOR DE PODER NPN DO RF | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53769 | 2SC3025 | SAÍDA HORIZONTAL DA DEFLEXÃO DA EXPOSIÇÃO DE ALTA TENSÃO DO CARÁTER DO SWITCHING DO PODER | Hitachi Semiconductor |
| 53770 | 2SC3025 | SAÍDA HORIZONTAL DA DEFLEXÃO DA EXPOSIÇÃO DE ALTA TENSÃO DO CARÁTER DO SWITCHING DO PODER | Hitachi Semiconductor |
| 53771 | 2SC3025 | SAÍDA HORIZONTAL DA DEFLEXÃO DA EXPOSIÇÃO DE ALTA TENSÃO DO CARÁTER DO SWITCHING DO PODER | Hitachi Semiconductor |
| 53772 | 2SC3026 | SAÍDA HORIZONTAL DA DEFLEXÃO DA EXPOSIÇÃO DE ALTA TENSÃO DO CARÁTER DO SWITCHING DO PODER | Hitachi Semiconductor |
| 53773 | 2SC3026 | SAÍDA HORIZONTAL DA DEFLEXÃO DA EXPOSIÇÃO DE ALTA TENSÃO DO CARÁTER DO SWITCHING DO PODER | Hitachi Semiconductor |
| 53774 | 2SC3026 | SAÍDA HORIZONTAL DA DEFLEXÃO DA EXPOSIÇÃO DE ALTA TENSÃO DO CARÁTER DO SWITCHING DO PODER | Hitachi Semiconductor |
| 53775 | 2SC3030 | TIPO DIFUNDIDO TRIPLICAR-SE SWITCHING DE ALTA VELOCIDADE DE ALTA TENSÃO ELEVADO DO PLANER DO PODER DARLINGTON | Fuji Electric |
| 53776 | 2SC3031 | Transistor de alta velocidade do switching | COLLMER SEMICONDUCTOR INC |
| 53777 | 2SC3031 | Transistor de alta velocidade do switching | COLLMER SEMICONDUCTOR INC |
| 53778 | 2SC3031 | Transistor de alta velocidade do switching | COLLMER SEMICONDUCTOR INC |
| 53779 | 2SC3032 | Transistor de alta velocidade do switching | COLLMER SEMICONDUCTOR INC |
| 53780 | 2SC3032 | Transistor de alta velocidade do switching | COLLMER SEMICONDUCTOR INC |
| 53781 | 2SC3032 | Transistor de alta velocidade do switching | COLLMER SEMICONDUCTOR INC |
| 53782 | 2SC3033 | Transistor de alta velocidade do switching | COLLMER SEMICONDUCTOR INC |
| 53783 | 2SC3033 | Transistor de alta velocidade do switching | COLLMER SEMICONDUCTOR INC |
| 53784 | 2SC3033 | Transistor de alta velocidade do switching | COLLMER SEMICONDUCTOR INC |
| 53785 | 2SC3038 | Aplicações Planar Difundidas Triplas Do Regulador De Switching Do Transistor 400V/4A Do Silicone de NPN | SANYO |
| 53786 | 2SC3039 | Aplicações Planar Difundidas Triplas Do Regulador De Switching Do Transistor 400V/7A Do Silicone de NPN | SANYO |
| 53787 | 2SC3039 | PODER TRANSISTORS(7.0A, 400v, 50w) | MOSPEC Semiconductor |
| 53788 | 2SC3039 | DESCRIÇÃO Planar Epitaxial De Transistor(GENERAL Do Silicone) | Wing Shing Computer Components |
| 53789 | 2SC3040 | Aplicações Planar Difundidas Triplas Do Regulador De Switching Do Transistor 400V/8A Do Silicone de NPN | SANYO |
| 53790 | 2SC3041 | 2SC3041 | SANYO |
| 53791 | 2SC3041 | 2SC3041 | SANYO |
| 53792 | 2SC3041 | 2SC3041 | SANYO |
| 53793 | 2SC3042 | Aplicações Planar Difundidas Triplas Do Regulador De Switching Do Transistor 400V/12A Do Silicone de NPN | SANYO |
| 53794 | 2SC3043 | Tipo Planar Difundido Triplo Transistor de NPN Do Silicone | Unknow |
| 53795 | 2SC3043 | Tipo Planar Difundido Triplo Transistor de NPN Do Silicone | Unknow |
| 53796 | 2SC3043 | Tipo Planar Difundido Triplo Transistor de NPN Do Silicone | Unknow |
| 53797 | 2SC3047 | TIPO DIFUNDIDO TRIPLICAR-SE SWITCHING DE ALTA VELOCIDADE DE ALTA TENSÃO DO PLANER | Fuji Electric |
| 53798 | 2SC3052 | A FREQÜÊNCIA BAIXA AMPLIFICA O TIPO EPITAXIAL DO SILICONE NPN DA APLICAÇÃO | Isahaya Electronics Corporation |
| 53799 | 2SC3052 | A FREQÜÊNCIA BAIXA AMPLIFICA O TIPO EPITAXIAL DO SILICONE NPN DA APLICAÇÃO | Isahaya Electronics Corporation |
| 53800 | 2SC3052 | A FREQÜÊNCIA BAIXA AMPLIFICA O TIPO EPITAXIAL DO SILICONE NPN DA APLICAÇÃO | Isahaya Electronics Corporation |
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