Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
55841 | 2SC5050 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
55842 | 2SC5051 | Transistor Do Silicone NPN | Hitachi Semiconductor |
55843 | 2SC5051 | Silicone NPN Epitaxial | Hitachi Semiconductor |
55844 | 2SC5051 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
55845 | 2SC5052 | TIPO EPITAXIAL DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR (PROCESSO) APLICAÇÕES AUDIO DO PCT DO AMPLIFICADOR DE PODER, APLICAÇÕES DO AMPLIFICADOR DO ESTÁGIO DE EXCITADOR | TOSHIBA |
55846 | 2SC5053 | Transistor > Poder Médio Transistors(0.5W-1.0W) Bipolar | ROHM |
55847 | 2SC5058S | 25V, 50mA, 300 MHz de alta freqüência transistor amplificador | ROHM |
55848 | 2SC5060 | Transistor > Poder Médio Transistors(0.5W-1.0W) Bipolar | ROHM |
55849 | 2SC5061 | TRANSISTOR A 92L TO-92LS MRT | ROHM |
55850 | 2SC5061 | O PODER DO PACOTE 1.2W GRAVOU O TRANSISTOR PROJETADO PARAO USO COM UMA COLOCAÇÃO AUTOMÁTICA MECHINE | ROHM |
55851 | 2SC5061 | TRANSISTOR A 92L TO-92LS MRT | ROHM |
55852 | 2SC5061 | O PODER DO PACOTE 1.2W GRAVOU O TRANSISTOR PROJETADO PARAO USO COM UMA COLOCAÇÃO AUTOMÁTICA MECHINE | ROHM |
55853 | 2SC5062 | TRANSISTOR A 92L TO-92LS MRT | ROHM |
55854 | 2SC5062 | O PODER DO PACOTE 1.2W GRAVOU O TRANSISTOR PROJETADO PARAO USO COM UMA COLOCAÇÃO AUTOMÁTICA MECHINE | ROHM |
55855 | 2SC5062 | TRANSISTOR A 92L TO-92LS MRT | ROHM |
55856 | 2SC5062 | O PODER DO PACOTE 1.2W GRAVOU O TRANSISTOR PROJETADO PARAO USO COM UMA COLOCAÇÃO AUTOMÁTICA MECHINE | ROHM |
55857 | 2SC5063 | Do type(For planar triplo da difusão do silicone NPN switching de alta velocidade elevado da tensão de avaria) | Panasonic |
55858 | 2SC5064 | Tipo Planar Epitaxial Aplicações Baixas Do Silicone NPN Do Transistor Do Amplificador Do Ruído Da Faixa de VHF~UHF | TOSHIBA |
55859 | 2SC5065 | Tipo Planar Epitaxial Aplicações Baixas Do Silicone NPN Do Transistor Do Amplificador Do Ruído Da Faixa de VHF~UHF | TOSHIBA |
55860 | 2SC5066 | Tipo Planar Epitaxial Aplicações Baixas Do Silicone NPN Do Transistor Do Amplificador Do Ruído Da Faixa de VHF~UHF | TOSHIBA |
55861 | 2SC5066FT | Tipo Planar Epitaxial Aplicações Baixas Do Silicone NPN Do Transistor Do Amplificador Do Ruído Da Faixa de VHF~UHF | TOSHIBA |
55862 | 2SC5069 | Amplificador Planar Epitaxial Da Geral-Finalidade Da Baixo-Freqüência Do Transistor Do Silicone de NPN, Aplicações Do Excitador | SANYO |
55863 | 2SC5070 | Transistor Planar Epitaxial Do Silicone de NPN | SANYO |
55864 | 2SC5071 | Transistor Do Silicone NPN | Sanken |
55865 | 2SC5075 | TIPO DIFUNDIDO TRIPLO DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR. REGULADOR DE SWITCHING E APLICAÇÕES DO SWITCHING DA ALTA TENSÃO. APLICAÇÕES DE ALTA VELOCIDADE DO CONVERSOR DE DC-DC | TOSHIBA |
55866 | 2SC5076 | TIPO EPITAXIAL DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR (PROCESSO DO PCT). APLICAÇÕES ATUAIS ELEVADAS DO SWITCHING. | TOSHIBA |
55867 | 2SC5077 | Do type(For planar triplo da difusão do silicone NPN switching de alta velocidade elevado da tensão de avaria) | Panasonic |
55868 | 2SC5077A | Do type(For planar triplo da difusão do silicone NPN switching de alta velocidade elevado da tensão de avaria) | Panasonic |
55869 | 2SC5078 | Transistor Do Silicone NPN | Hitachi Semiconductor |
55870 | 2SC5078 | Silicone NPN Epitaxial | Hitachi Semiconductor |
55871 | 2SC5079 | Transistor Do Silicone NPN | Hitachi Semiconductor |
55872 | 2SC5079 | Silicone NPN Epitaxial | Hitachi Semiconductor |
55873 | 2SC5080 | Transistor Do Silicone NPN | Hitachi Semiconductor |
55874 | 2SC5080 | Silicone NPN Epitaxial | Hitachi Semiconductor |
55875 | 2SC5080 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
55876 | 2SC5081 | Transistor Do Silicone NPN | Hitachi Semiconductor |
55877 | 2SC5081 | Silicone NPN Epitaxial | Hitachi Semiconductor |
55878 | 2SC5081 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
55879 | 2SC5084 | Tipo Planar Epitaxial Aplicações Baixas Do Silicone NPN Do Transistor Do Amplificador Do Ruído Da Faixa de VHF~UHF | TOSHIBA |
55880 | 2SC5085 | Tipo Planar Epitaxial Aplicações Baixas Do Silicone NPN Do Transistor Do Amplificador Do Ruído Da Faixa de VHF~UHF | TOSHIBA |
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