| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 56641 | 2SC6000 | Transistor de potência para aplicações de comutação de alta velocidade | TOSHIBA |
| 56642 | 2SC6012 | Dispositivo De Poder - Transistor De Poder - Television/Display | Panasonic |
| 56643 | 2SC6023 | Frequência ultraelevada planar epitaxial do transistordo silicone de NPN ao amplificador do Baixo-Ruído da faixa de C e àsaplicações do OSCILADOR | SANYO |
| 56644 | 2SC6023 | Frequência ultraelevada planar epitaxial do transistordo silicone de NPN ao amplificador do Baixo-Ruído da faixa de C e àsaplicações do OSCILADOR | SANYO |
| 56645 | 2SC6024 | Frequência ultraelevada ao amplificador do Baixo-Ruído da faixa de C e às aplicações do OSCILADOR | SANYO |
| 56646 | 2SC6024 | Frequência ultraelevada ao amplificador do Baixo-Ruído da faixa de C e às aplicações do OSCILADOR | SANYO |
| 56647 | 2SC6026CT | Transistor de baixa freqüência amplificação de sinal fraco | TOSHIBA |
| 56648 | 2SC6026MFV | Transistor de baixa freqüência amplificação de sinal fraco | TOSHIBA |
| 56649 | 2SC6033 | Tipo Epitaxial Do Silicone NPN Do Transistor de TOSHIBA | TOSHIBA |
| 56650 | 2SC6033 | Tipo Epitaxial Do Silicone NPN Do Transistor de TOSHIBA | TOSHIBA |
| 56651 | 2SC6036 | Dispositivo small-signal - transistor small-signal - Geral-use a Baixo-Freqüência Amplifires | Panasonic |
| 56652 | 2SC6036G | Silicon NPN epitaxial tipo planar | Panasonic |
| 56653 | 2SC6037G | Silicon NPN epitaxial tipo planar | Panasonic |
| 56654 | 2SC6037J | Dispositivo small-signal - transistor small-signal - Geral-use a Baixo-Freqüência Amplifires | Panasonic |
| 56655 | 2SC6043 | Bipolar Transistor, 50V, 2A, baixo VCE (sat) NPN Único MP | ON Semiconductor |
| 56656 | 2SC6045 | Silicon NPN epitaxial tipo planar | Panasonic |
| 56657 | 2SC6045G | Silicon NPN epitaxial tipo planar | Panasonic |
| 56658 | 2SC6046 | 200mW SMD NPN transistor, classificação máxima: 40V VCEO, 600mA Ic, 100-300 hFE. | Isahaya Electronics Corporation |
| 56659 | 2SC605 | TRANSISTOR DO SILICONE DE NPN | Unknow |
| 56660 | 2SC605 | TRANSISTOR DO SILICONE DE NPN | Unknow |
| 56661 | 2SC6050 | Silicon NPN epitaxial tipo planar | Panasonic |
| 56662 | 2SC6054G | Silicon NPN epitaxial tipo planar | Panasonic |
| 56663 | 2SC6054J | Silicon NPN epitaxial tipo planar | Panasonic |
| 56664 | 2SC606 | TRANSISTOR DO SILICONE DE NPN | Unknow |
| 56665 | 2SC606 | TRANSISTOR DO SILICONE DE NPN | Unknow |
| 56666 | 2SC6061 | Transistor de potência para aplicações de comutação de alta velocidade | TOSHIBA |
| 56667 | 2SC607 | TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE PNP/NPN | Unknow |
| 56668 | 2SC607 | TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE PNP/NPN | Unknow |
| 56669 | 2SC6076 | Transistor de potência para aplicações de comutação de alta velocidade | TOSHIBA |
| 56670 | 2SC6078 | Transistor de potência para aplicações de comutação de alta velocidade | TOSHIBA |
| 56671 | 2SC6097 | Bipolar Transistor, 60V, 3A, baixo VCE (sat), NPN Único TP / TP-FA | ON Semiconductor |
| 56672 | 2SC6100 | Transistor de baixa freqüência amplificação de sinal fraco | TOSHIBA |
| 56673 | 2SC6102 | NPN Bipolar Transistor de DC-DC | ON Semiconductor |
| 56674 | 2SC6124 | Transistor de potência para aplicações de comutação de alta velocidade | TOSHIBA |
| 56675 | 2SC6125 | Transistor de potência para aplicações de comutação de alta velocidade | TOSHIBA |
| 56676 | 2SC6126 | Transistor de potência para aplicações de comutação de alta velocidade | TOSHIBA |
| 56677 | 2SC6127 | Transistor de potência para aplicações de comutação de alta velocidade | TOSHIBA |
| 56678 | 2SC6133 | Transistor de baixa freqüência amplificação de sinal fraco | TOSHIBA |
| 56679 | 2SC6134 | Transistor de baixa freqüência amplificação de sinal fraco | TOSHIBA |
| 56680 | 2SC6135 | Transistor de baixa freqüência amplificação de sinal fraco | TOSHIBA |
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