| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 567841 | IRF400 | 50W ao ALUMÍNIO DADO FORMA LISO dos RESISTORES da FERIDA do FIO do PODER 500W ELEVADO ABRIGADO | etc |
| 567842 | IRF4104 | 40V escolhem o MOSFET automotriz do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de TO-220AB | International Rectifier |
| 567843 | IRF4104L | 40V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote TO-262 | International Rectifier |
| 567844 | IRF4104S | 40V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de D2-Pak | International Rectifier |
| 567845 | IRF420 | MOSFETs/ 3.0 A 450 V/500 V Do Poder Da N-Canaleta | Fairchild Semiconductor |
| 567846 | IRF420 | 2.2A e 2.5A/ 450V e 500V/ mOSFETs do poder da N-Canaleta de 3.0 e 4.0 ohms | Intersil |
| 567847 | IRF420 | MOSFETS DO PODER DE N-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 567848 | IRF420 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 500V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 2.5A. | General Electric Solid State |
| 567849 | IRF420-423 | MOSFETs/ 3.0 A 450 V/500 V Do Poder Da N-Canaleta | Fairchild Semiconductor |
| 567850 | IRF421 | MOSFETs/ 3.0 A 450 V/500 V Do Poder Da N-Canaleta | Fairchild Semiconductor |
| 567851 | IRF421 | 2.2A e 2.5A/ 450V e 500V/ mOSFETs do poder da N-Canaleta de 3.0 e 4.0 ohms | Intersil |
| 567852 | IRF421 | MOSFETS DO PODER DE N-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 567853 | IRF421 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 450V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 2.5A. | General Electric Solid State |
| 567854 | IRF422 | MOSFETs/ 3.0 A 450 V/500 V Do Poder Da N-Canaleta | Fairchild Semiconductor |
| 567855 | IRF422 | 2.2A e 2.5A/ 450V e 500V/ mOSFETs do poder da N-Canaleta de 3.0 e 4.0 ohms | Intersil |
| 567856 | IRF422 | MOSFETS DO PODER DE N-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 567857 | IRF422 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 500V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 2.0A. | General Electric Solid State |
| 567858 | IRF423 | MOSFETs/ 3.0 A 450 V/500 V Do Poder Da N-Canaleta | Fairchild Semiconductor |
| 567859 | IRF423 | 2.2A e 2.5A/ 450V e 500V/ mOSFETs do poder da N-Canaleta de 3.0 e 4.0 ohms | Intersil |
| 567860 | IRF423 | MOSFETS DO PODER DE N-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 567861 | IRF423 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 450V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 2.0A. | General Electric Solid State |
| 567862 | IRF430 | 500V escolhem o MOSFET da N-Canaleta hi-Rel-Rel em um pacote de TO-204AA | International Rectifier |
| 567863 | IRF430 | MOSFET DO PODER DE N-CHANNEL | SemeLAB |
| 567864 | IRF430 | MOSFETs/ 4.5 A 450V/500V Do Poder Da N-Canaleta | Fairchild Semiconductor |
| 567865 | IRF430 | 4.5A/ 500V/ Mosfet Do Poder Da N-Canaleta De 1.500 Ohm | Intersil |
| 567866 | IRF430 | MOSFETS DO PODER DE N-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 567867 | IRF430 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 500V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 4.5A. | General Electric Solid State |
| 567868 | IRF430-433 | MOSFETs/ 4.5 A 450V/500V Do Poder Da N-Canaleta | Fairchild Semiconductor |
| 567869 | IRF431 | MOSFETs/ 4.5 A 450V/500V Do Poder Da N-Canaleta | Fairchild Semiconductor |
| 567870 | IRF431 | MOSFETS DO PODER DE N-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 567871 | IRF431 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 450V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 4.5A. | General Electric Solid State |
| 567872 | IRF431 | 4.0A e 4.5A, 450V e 500V, 1,5 e 2,0 Ohm, N-Channel Power MOSFETs | Intersil |
| 567873 | IRF432 | MOSFETs/ 4.5 A 450V/500V Do Poder Da N-Canaleta | Fairchild Semiconductor |
| 567874 | IRF432 | MOSFETS DO PODER DE N-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 567875 | IRF432 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 500V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 4.0A. | General Electric Solid State |
| 567876 | IRF432 | 4.0A e 4.5A, 450V e 500V, 1,5 e 2,0 Ohm, N-Channel Power MOSFETs | Intersil |
| 567877 | IRF433 | MOSFETs/ 4.5 A 450V/500V Do Poder Da N-Canaleta | Fairchild Semiconductor |
| 567878 | IRF433 | MOSFETS DO PODER DE N-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 567879 | IRF433 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 450V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 4.0A. | General Electric Solid State |
| 567880 | IRF433 | 4.0A e 4.5A, 450V e 500V, 1,5 e 2,0 Ohm, N-Channel Power MOSFETs | Intersil |
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