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Nr.Nome da parteDescriçãoFabricante
571561IRHM8Z60a única N-Canaleta TID de 30V 1000kRad hi-Rel-Rel endureceu o MOSFET em um pacote de TO-254AAInternational Rectifier
571562IRHM9064a única P-Canaleta TID de -60V 100kRad hi-Rel-Rel endureceu o MOSFET em um pacote de TO-254AAInternational Rectifier
571563IRHM9130a única P-Canaleta TID de -100V 100kRad hi-Rel-Rel endureceu o MOSFET em um pacote de TO-254AAInternational Rectifier
571564IRHM9150a única P-Canaleta TID de -100V 100kRad hi-Rel-Rel endureceu o MOSFET em um pacote de TO-254AAInternational Rectifier
571565IRHM9160a única P-Canaleta TID de -100V 100kRad hi-Rel-Rel endureceu o MOSFET em um pacote de TO-254AAInternational Rectifier
571566IRHM9230a única P-Canaleta TID de -200V 100kRad hi-Rel-Rel endureceu o MOSFET em um pacote de TO-254AAInternational Rectifier
571567IRHM9250a única P-Canaleta TID de -200V 100kRad hi-Rel-Rel endureceu o MOSFET em um pacote de TO-254AAInternational Rectifier
571568IRHM9260a única P-Canaleta TID de -200V 100kRad hi-Rel-Rel endureceu o MOSFET em um pacote de TO-254AAInternational Rectifier
571569IRHM93064a única P-Canaleta TID de -60V 300kRad hi-Rel-Rel endureceu o MOSFET em um pacote de TO-254AAInternational Rectifier
571570IRHM93130a única P-Canaleta TID de -100V 300kRad hi-Rel-Rel endureceu o MOSFET em um pacote de TO-254AAInternational Rectifier
571571IRHM93150a única P-Canaleta TID de -100V 300kRad hi-Rel-Rel endureceu o MOSFET em um pacote de TO-254AAInternational Rectifier
571572IRHM93160a única P-Canaleta TID de -100V 300kRad hi-Rel-Rel endureceu o MOSFET em um pacote de TO-254AAInternational Rectifier
571573IRHM93230a única P-Canaleta TID de -200V 300kRad hi-Rel-Rel endureceu o MOSFET em um pacote de TO-254AAInternational Rectifier
571574IRHM93250a única P-Canaleta TID de -200V 300kRad hi-Rel-Rel endureceu o MOSFET em um pacote de TO-254AAInternational Rectifier
571575IRHM93260a única P-Canaleta TID de -200V 300kRad hi-Rel-Rel endureceu o MOSFET em um pacote de TO-254AAInternational Rectifier
571576IRHMS57264SEMosfet ENDURECIDO RADIAÇÃO THRU-HOLE do PODER (TO-254AA Baixo-Ôhmico) 250V, N-CHANNELInternational Rectifier
571577IRHMS593064a única P-Canaleta TID de -60V 300kRad hi-Rel-Rel endureceu o MOSFET em um pacote Baixo-Ôhmico de TO-254AAInternational Rectifier
571578IRHMS593160a única P-Canaleta TID de -100V 300kRad hi-Rel-Rel endureceu o MOSFET em um pacote de TO-254AAInternational Rectifier
571579IRHMS593260a única P-Canaleta TID de -200V 300kRad hi-Rel-Rel endureceu o MOSFET em um pacote de TO-254AAInternational Rectifier



571580IRHMS597064a única P-Canaleta TID de -60V 100kRad hi-Rel-Rel endureceu o MOSFET em um pacote Baixo-Ôhmico de TO-254AAInternational Rectifier
571581IRHMS597160a única P-Canaleta TID de -100V 100kRad hi-Rel-Rel endureceu o MOSFET em um pacote de TO-254AAInternational Rectifier
571582IRHMS597260a única P-Canaleta TID de -200V 100kRad hi-Rel-Rel endureceu o MOSFET em um pacote de TO-254AAInternational Rectifier
571583IRHMS63160a única N-Canaleta TID de 100V 100kRad hi-Rel-Rel endureceu o MOSFET em um pacote ôhmico baixo de TO-254AA. Também disponível em 300, em 600 e em 1000kRad.International Rectifier
571584IRHMS63260MOSFET endurecido TID da N-Canaleta de 200V 100kRad hi-Rel-Rel único em um pacote Baixo-Ôhmico de TO-254AAInternational Rectifier
571585IRHMS64160a única N-Canaleta TID de 100V 100kRad hi-Rel-Rel endureceu o MOSFET em um pacote ôhmico baixo de TO-254AA. Também disponível em 300, em 600 e em 1000kRad.International Rectifier
571586IRHMS64260MOSFET endurecido TID da N-Canaleta de 200V 100kRad hi-Rel-Rel único em um pacote Baixo-Ôhmico de TO-254AAInternational Rectifier
571587IRHMS67160a única N-Canaleta TID de 100V 100kRad hi-Rel-Rel endureceu o MOSFET em um pacote ôhmico baixo de TO-254AA. Também disponível em 300, em 600 e em 1000kRad.International Rectifier
571588IRHMS67260MOSFET endurecido TID da N-Canaleta de 200V 100kRad hi-Rel-Rel único em um pacote Baixo-Ôhmico de TO-254AAInternational Rectifier
571589IRHMS68160a única N-Canaleta TID de 100V 100kRad hi-Rel-Rel endureceu o MOSFET em um pacote ôhmico baixo de TO-254AA. Também disponível em 300, em 600 e em 1000kRad.International Rectifier
571590IRHMS68260MOSFET endurecido TID da N-Canaleta de 200V 1000kRad hi-Rel-Rel único em um pacote Baixo-Ôhmico de TO-254AAInternational Rectifier
571591IRHN2C50SEa única N-Canaleta de 600V 50kRad hi-Rel-Rel VÊ O MOSFET endurecido em um pacote SMD-1International Rectifier
571592IRHN3150A RADIAÇÃO ENDURECEU A MONTAGEM DA SUPERFÍCIE DO MOSFET DO PODER (SMD-1)International Rectifier
571593IRHN4150A RADIAÇÃO ENDURECEU A MONTAGEM DA SUPERFÍCIE DO MOSFET DO PODER (SMD-1)International Rectifier
571594IRHN57250SEa única N-Canaleta de 200V 100kRad hi-Rel-Rel VÊ O MOSFET endurecido em um pacote SMD-1International Rectifier
571595IRHN7054a única N-Canaleta TID de 60V 100kRad hi-Rel-Rel endureceu o MOSFET em um pacote SMD-1International Rectifier
571596IRHN7130a única N-Canaleta TID de 100V 100kRad hi-Rel-Rel endureceu o MOSFET em um pacote SMD-1International Rectifier
571597IRHN7150a única N-Canaleta TID de 100V 100kRad hi-Rel-Rel endureceu o MOSFET em um pacote SMD-1International Rectifier
571598IRHN7230a única N-Canaleta TID de 200V 100kRad hi-Rel-Rel endureceu o MOSFET em um pacote SMD-1International Rectifier
571599IRHN7250a única N-Canaleta TID de 200V 100kRad hi-Rel-Rel endureceu o MOSFET em um pacote SMD-1International Rectifier
571600IRHN7250SEa única N-Canaleta de 200V 100kRad hi-Rel-Rel VÊ O MOSFET endurecido em um pacote SMD-1International Rectifier
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