Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
57801 | 2SD1930 | O PODER DO PACOTE 1.2W GRAVOU O TRANSISTOR PROJETADO PARAO USO COM UMA COLOCAÇÃO AUTOMÁTICA MECHINE | ROHM |
57802 | 2SD1931 | O PODER DO PACOTE 1.2W GRAVOU O TRANSISTOR PROJETADO PARAO USO COM UMA COLOCAÇÃO AUTOMÁTICA MECHINE | ROHM |
57803 | 2SD1931 | O PODER DO PACOTE 1.2W GRAVOU O TRANSISTOR PROJETADO PARAO USO COM UMA COLOCAÇÃO AUTOMÁTICA MECHINE | ROHM |
57804 | 2SD1932 | PACOTE GRAVADO DO TRANSISTOR DE PODER PARA O USO COM UMAMÁQUINA DE COLOCAÇÃO AUTOMÁTICA | ROHM |
57805 | 2SD1932 | PACOTE GRAVADO DO TRANSISTOR DE PODER PARA O USO COM UMAMÁQUINA DE COLOCAÇÃO AUTOMÁTICA | ROHM |
57806 | 2SD1933 | Transistor De Poder (-80V/ -4A) | ROHM |
57807 | 2SD1934 | Dispositivo small-signal - transistor small-signal - outros | Panasonic |
57808 | 2SD1935 | Aplicações Planar Epitaxial Do Amplificador Da Geral-Finalidade Da Baixo-Freqüência Dos Transistor Do Silicone de NPN | SANYO |
57809 | 2SD1936 | Aplicações Planar Epitaxial Do Amplificador do Af Dos Transistor Do Silicone de NPN | SANYO |
57810 | 2SD1937 | Para amplificação de baixa freqüência | Panasonic |
57811 | 2SD1938 | Dispositivo small-signal - transistor small-signal - Geral-use a Baixo-Freqüência Amplifires | Panasonic |
57812 | 2SD1938F | Tipo planar epitaxial do silicone NPN | Panasonic |
57813 | 2SD1938F | Tipo planar epitaxial do silicone NPN | Panasonic |
57814 | 2SD1939 | TRANSISTOR DO SILICONE DARLINGTON DE NPN | NEC |
57815 | 2SD1939 | TRANSISTOR DO SILICONE DARLINGTON DE NPN | NEC |
57816 | 2SD1940 | Transistor planar epitaxial 85V/6A do silicone de NPN, AF 25 às aplicações da saída 30W | SANYO |
57817 | 2SD1944 | Transistor de poder high-current do ganho (-60V/ -3A) | ROHM |
57818 | 2SD1947A | TIPO EPITAXIAL SWITCHING ATUAL ELEVADO DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR E LÂMPADA, APLICAÇÕES DA MOVIMENTAÇÃO DO SOLENÓIDE | TOSHIBA |
57819 | 2SD1949 | Transistor > sinal pequeno Transistors(up bipolar a 0.6W) | ROHM |
57820 | 2SD1950 | DO PODER EPITAXIAL DO TRANSISTOR DO SILICONE DE NPN MOLDE MINI | NEC |
57821 | 2SD1950-T1 | Transistor do silicone | NEC |
57822 | 2SD1950-T2 | Transistor do silicone | NEC |
57823 | 2SD1953 | Aplicações Planar Epitaxial Do Excitador Do Transistor 120V/1.5A Do Silicone de NPN | SANYO |
57824 | 2SD1957 | Poder Transistor(120V/ 7A) | ROHM |
57825 | 2SD1958 | Aplicações Elevado-Atuais Output Difundidas Triplas Do Switching da Tevê Do Transistor Do Silicone de NPN Deflexão Horizontal Planar | SANYO |
57826 | 2SD1961 | O PODER DO PACOTE 1.2W GRAVOU O TRANSISTOR PROJETADO PARAO USO COM UMA COLOCAÇÃO AUTOMÁTICA MECHINE | ROHM |
57827 | 2SD1961 | O PODER DO PACOTE 1.2W GRAVOU O TRANSISTOR PROJETADO PARAO USO COM UMA COLOCAÇÃO AUTOMÁTICA MECHINE | ROHM |
57828 | 2SD1963 | Transistor > Poder Médio Transistors(0.5W-1.0W) Bipolar | ROHM |
57829 | 2SD1964 | Dispositivo de poder - transistor de poder - amplification do poder da Geral-Finalidade | Panasonic |
57830 | 2SD1966 | PACOTE GRAVADO DO TRANSISTOR DE PODER PARA O USO COM UMAMÁQUINA DE COLOCAÇÃO AUTOMÁTICA | ROHM |
57831 | 2SD1966 | PACOTE GRAVADO DO TRANSISTOR DE PODER PARA O USO COM UMAMÁQUINA DE COLOCAÇÃO AUTOMÁTICA | ROHM |
57832 | 2SD1967 | PACOTE GRAVADO DO TRANSISTOR DE PODER PARA O USO COM UMAMÁQUINA DE COLOCAÇÃO AUTOMÁTICA | ROHM |
57833 | 2SD1967 | PACOTE GRAVADO DO TRANSISTOR DE PODER PARA O USO COM UMAMÁQUINA DE COLOCAÇÃO AUTOMÁTICA | ROHM |
57834 | 2SD1970 | Transistor Do Silicone NPN Darlington | Hitachi Semiconductor |
57835 | 2SD1970 | Silicone NPN Epitaxial | Hitachi Semiconductor |
57836 | 2SD1972 | 2W quadro Chumbo NPN transistor, classificação máxima: 60V VCEO, 3A Ic, 250-800 hFE. | Isahaya Electronics Corporation |
57837 | 2SD1974 | Transistor Do Silicone NPN | Hitachi Semiconductor |
57838 | 2SD1974 | Silicone NPN Epitaxial | Hitachi Semiconductor |
57839 | 2SD1974 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
57840 | 2SD1975 | Dispositivo De Poder - Transistor De Poder - Para O Áudio | Panasonic |
| | | |