| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 598801 | K4E160812D-F | 2M x 8 bit RAM dinâmica CMOS com dados estendidos para fora. 3.3V Tensão de alimentação, 2K ciclo de atualização. | Samsung Electronic |
| 598802 | K4E170411D | RAM dinâmica de 4M x 4Bit CMOS com dados prolongados para fora | Samsung Electronic |
| 598803 | K4E170411D-B | 4M x 4 bits de RAM dinâmica CMOS com dados estendidos para fora. 5V Tensão de alimentação, 4K ciclo de atualização. | Samsung Electronic |
| 598804 | K4E170411D-F | 4M x 4 bits de RAM dinâmica CMOS com dados estendidos para fora. 5V Tensão de alimentação, 4K ciclo de atualização. | Samsung Electronic |
| 598805 | K4E170412D | RAM dinâmica de 4M x 4Bit CMOS com dados prolongados para fora | Samsung Electronic |
| 598806 | K4E170412D-B | 4M x 4 bits de RAM dinâmica CMOS com dados estendidos para fora. 3.3V Tensão de alimentação, 4K ciclo de atualização. | Samsung Electronic |
| 598807 | K4E170412D-F | 4M x 4 bits de RAM dinâmica CMOS com dados estendidos para fora. 3.3V Tensão de alimentação, 4K ciclo de atualização. | Samsung Electronic |
| 598808 | K4E170811D | RAM dinâmica de 2M x 8Bit CMOS com dados prolongados para fora | Samsung Electronic |
| 598809 | K4E170811D-B | 2M x 8 bit RAM dinâmica CMOS com dados estendidos para fora. 5V Tensão de alimentação, 4K ciclo de atualização. | Samsung Electronic |
| 598810 | K4E170811D-F | 2M x 8 bit RAM dinâmica CMOS com dados estendidos para fora. 5V Tensão de alimentação, 4K ciclo de atualização. | Samsung Electronic |
| 598811 | K4E170812D | RAM dinâmica de 2M x 8Bit CMOS com dados prolongados para fora | Samsung Electronic |
| 598812 | K4E170812D-B | 2M x 8 bit RAM dinâmica CMOS com dados estendidos para fora. 3.3V Tensão de alimentação, 4K ciclo de atualização. | Samsung Electronic |
| 598813 | K4E170812D-F | 2M x 8 bit RAM dinâmica CMOS com dados estendidos para fora. 3.3V Tensão de alimentação, 4K ciclo de atualização. | Samsung Electronic |
| 598814 | K4E171611D | RAM dinâmica do 1M x 16Bit CMOS com dados prolongados para fora | Samsung Electronic |
| 598815 | K4E171611D-J | 1m x 16 bit RAM dinâmica CMOS com dados estendidos para fora. 5V Tensão de alimentação, 4K ciclo de atualização. | Samsung Electronic |
| 598816 | K4E171611D-T | 1m x 16 bit RAM dinâmica CMOS com dados estendidos para fora. 5V Tensão de alimentação, 4K ciclo de atualização. | Samsung Electronic |
| 598817 | K4E171612D | RAM dinâmica do 1M x 16Bit CMOS com dados prolongados para fora | Samsung Electronic |
| 598818 | K4E171612D-J | 1m x 16 bit RAM dinâmica CMOS com dados estendidos para fora. 3.3V Tensão de alimentação, 4K ciclo de atualização. | Samsung Electronic |
| 598819 | K4E171612D-T | 1m x 16 bit RAM dinâmica CMOS com dados estendidos para fora. 3.3V Tensão de alimentação, 4K ciclo de atualização. | Samsung Electronic |
| 598820 | K4E640412D | RAM dinâmica de 16M x 4bit CMOS com dados prolongados para fora | Samsung Electronic |
| 598821 | K4E640412D-JC_L | 16M x 4 bits de RAM dinâmica CMOS com dados estendidos para fora. 3.3V, 4K atualizar ciclo. | Samsung Electronic |
| 598822 | K4E640412D-TC_L | 16M x 4 bits de RAM dinâmica CMOS com dados estendidos para fora. 3.3V, 4K atualizar ciclo. | Samsung Electronic |
| 598823 | K4E640812B | RAM dinâmica de 8M x 8bit CMOS com dados prolongados para fora | Samsung Electronic |
| 598824 | K4E640812B-JC-45 | RAM dinâmica 8M x 8bit CMOS com dados estendidos para fora, 45ns | Samsung Electronic |
| 598825 | K4E640812B-JC-5 | RAM dinâmica 8M x 8bit CMOS com dados estendidos para fora, 50ns | Samsung Electronic |
| 598826 | K4E640812B-JC-6 | RAM dinâmica 8M x 8bit CMOS com dados estendidos para fora, 60ns | Samsung Electronic |
| 598827 | K4E640812B-JCL-45 | RAM dinâmica 8M x 8bit CMOS com dados estendidos para fora, 45ns | Samsung Electronic |
| 598828 | K4E640812B-JCL-5 | RAM dinâmica 8M x 8bit CMOS com dados estendidos para fora, 50ns | Samsung Electronic |
| 598829 | K4E640812B-JCL-6 | RAM dinâmica 8M x 8bit CMOS com dados estendidos para fora, 60ns | Samsung Electronic |
| 598830 | K4E640812B-TC-45 | RAM dinâmica 8M x 8bit CMOS com dados estendidos para fora, 45ns | Samsung Electronic |
| 598831 | K4E640812B-TC-5 | RAM dinâmica 8M x 8bit CMOS com dados estendidos para fora, 50ns | Samsung Electronic |
| 598832 | K4E640812B-TC-6 | RAM dinâmica 8M x 8bit CMOS com dados estendidos para fora, 60ns | Samsung Electronic |
| 598833 | K4E640812B-TCL-45 | RAM dinâmica 8M x 8bit CMOS com dados estendidos para fora, 45ns | Samsung Electronic |
| 598834 | K4E640812B-TCL-5 | RAM dinâmica 8M x 8bit CMOS com dados estendidos para fora, 50ns | Samsung Electronic |
| 598835 | K4E640812B-TCL-6 | RAM dinâmica 8M x 8bit CMOS com dados estendidos para fora, 60ns | Samsung Electronic |
| 598836 | K4E640812C | RAM dinâmica de 8M x 8bit CMOS com dados prolongados para fora | Samsung Electronic |
| 598837 | K4E640812C-JC-45 | RAM dinâmica 8M x 8bit CMOS com dados estendidos para fora, 45ns | Samsung Electronic |
| 598838 | K4E640812C-JC-5 | RAM dinâmica 8M x 8bit CMOS com dados estendidos para fora, 50ns | Samsung Electronic |
| 598839 | K4E640812C-JC-6 | RAM dinâmica 8M x 8bit CMOS com dados estendidos para fora, 60ns | Samsung Electronic |
| 598840 | K4E640812C-JCL-45 | RAM dinâmica 8M x 8bit CMOS com dados estendidos para fora, 45ns | Samsung Electronic |
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