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Nr.Nome da parteDescriçãoFabricante
611121KM48S80302M x 8Bit x DRAM synchronous de 4 bancosSamsung Electronic
611122KM48S80302M x 8Bit x DRAM synchronous de 4 bancosSamsung Electronic
611123KM48S8030C2M x 8Bit x DRAM synchronous de 4 bancosSamsung Electronic
611124KM48S8030CT-G/FA2M x 8Bit x DRAM synchronous de 4 bancosSamsung Electronic
611125KM48S8030CT-G_F102M x 8bit x 4 bancos DRAM síncrona, fonte de alimentação 3.3V, LVTTL, 100MHzSamsung Electronic
611126KM48S8030CT-G_F72M x 8bit x 4 bancos DRAM síncrona, fonte de alimentação 3.3V, LVTTL, 143MHzSamsung Electronic
611127KM48S8030CT-G_F82M x 8bit x 4 bancos DRAM síncrona, fonte de alimentação 3.3V, LVTTL, 125MHzSamsung Electronic
611128KM48S8030CT-G_FH2M x 8bit x 4 bancos DRAM síncrona, fonte de alimentação 3.3V, LVTTL, 100MHzSamsung Electronic
611129KM48S8030CT-G_FL2M x 8bit x 4 bancos DRAM síncrona, fonte de alimentação 3.3V, LVTTL, 100MHzSamsung Electronic
611130KM48S8030D64Mbit SDRAM 2M x 8Bit x DRAM synchronous LVTTL de 4 bancosSamsung Electronic
611131KM48S8030DT-G_F82M x 8bit x 4 bancos DRAM síncrona, fonte de alimentação 3.3V, LVTTL, 125MHzSamsung Electronic
611132KM48S8030DT-G_FA2M x 8bit x 4 bancos DRAM síncrona, fonte de alimentação 3.3V, LVTTL, 133MHzSamsung Electronic
611133KM48S8030DT-G_FH2M x 8bit x 4 bancos DRAM síncrona, fonte de alimentação 3.3V, LVTTL, 100MHzSamsung Electronic
611134KM48S8030DT-G_FL2M x 8bit x 4 bancos DRAM síncrona, fonte de alimentação 3.3V, LVTTL, 100MHzSamsung Electronic
611135KM48V2000BRAM dinâmica de 2M x 8Bit CMOS com modalidade rápida da páginaSamsung Electronic
611136KM48V2000BK-5RAM dinâmica 2M x 8bit CMOS com o modo de página rápida, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
611137KM48V2000BK-6RAM dinâmica 2M x 8bit CMOS com o modo de página rápida, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
611138KM48V2000BK-7RAM dinâmica 2M x 8bit CMOS com o modo de página rápida, 3.3V, 70nsSamsung Electronic
611139KM48V2000BKL-5RAM dinâmica 2M x 8bit CMOS com o modo de página rápida, 3.3V, 50nsSamsung Electronic



611140KM48V2000BKL-6RAM dinâmica 2M x 8bit CMOS com o modo de página rápida, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
611141KM48V2000BKL-7RAM dinâmica 2M x 8bit CMOS com o modo de página rápida, 3.3V, 70nsSamsung Electronic
611142KM48V2000BS-5RAM dinâmica 2M x 8bit CMOS com o modo de página rápida, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
611143KM48V2000BS-6RAM dinâmica 2M x 8bit CMOS com o modo de página rápida, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
611144KM48V2000BS-7RAM dinâmica 2M x 8bit CMOS com o modo de página rápida, 3.3V, 70nsSamsung Electronic
611145KM48V2000BSL-5RAM dinâmica 2M x 8bit CMOS com o modo de página rápida, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
611146KM48V2000BSL-6RAM dinâmica 2M x 8bit CMOS com o modo de página rápida, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
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611148KM48V2100BRAM dinâmica de 2M x 8Bit CMOS com modalidade rápida da páginaSamsung Electronic
611149KM48V2100BK-5RAM dinâmica 2M x 8bit CMOS com o modo de página rápida, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
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611152KM48V2100BKL-5RAM dinâmica 2M x 8bit CMOS com o modo de página rápida, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
611153KM48V2100BKL-6RAM dinâmica 2M x 8bit CMOS com o modo de página rápida, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
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611157KM48V2100BS-7RAM dinâmica 2M x 8bit CMOS com o modo de página rápida, 3.3V, 70nsSamsung Electronic
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