| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 611641 | KM684000LTI-7L | 512Kx8 bit CMOS RAM estática, 70ns, baixo consumo de energia | Samsung Electronic |
| 611642 | KM684000LTI-8 | 512Kx8 bit CMOS RAM estática, 85ns | Samsung Electronic |
| 611643 | KM684000LTI-8L | 512Kx8 bit CMOS RAM estática, 85ns, baixo consumo de energia | Samsung Electronic |
| 611644 | KM684000R-10 | 512Kx8 bit CMOS RAM estática, 100ns | Samsung Electronic |
| 611645 | KM684000R-5 | 512Kx8 bit CMOS RAM estática, 55ns | Samsung Electronic |
| 611646 | KM684000R-7 | 512Kx8 bit CMOS RAM estática, 70ns | Samsung Electronic |
| 611647 | KM684000R-8 | 512Kx8 bit CMOS RAM estática, 85ns | Samsung Electronic |
| 611648 | KM684000T-10 | 512Kx8 bit CMOS RAM estática, 100ns | Samsung Electronic |
| 611649 | KM684000T-5 | 512Kx8 bit CMOS RAM estática, 55ns | Samsung Electronic |
| 611650 | KM684000T-7 | 512Kx8 bit CMOS RAM estática, 70ns | Samsung Electronic |
| 611651 | KM684000T-8 | 512Kx8 bit CMOS RAM estática, 85ns | Samsung Electronic |
| 611652 | KM684002 | estática de alta velocidade RAM(5V do bocado 512Kx8 que opera-se)/pino revolucionário para fora | Samsung Electronic |
| 611653 | KM684002-17 | estática de alta velocidade RAM(5V do bocado 512Kx8 que opera-se), pino revolucionário para fora. Operado na escalade temperatura comercial, prolongada e industrial. | Samsung Electronic |
| 611654 | KM684002-20 | estática de alta velocidade RAM(5V do bocado 512Kx8 que opera-se), pino revolucionário para fora. Operado na escalade temperatura comercial, prolongada e industrial. | Samsung Electronic |
| 611655 | KM684002-25 | estática de alta velocidade RAM(5V do bocado 512Kx8 que opera-se), pino revolucionário para fora. Operado na escalade temperatura comercial, prolongada e industrial. | Samsung Electronic |
| 611656 | KM684002E-17 | estática de alta velocidade RAM(5V do bocado 512Kx8 que opera-se), pino revolucionário para fora. Operado na escalade temperatura comercial, prolongada e industrial. | Samsung Electronic |
| 611657 | KM684002E-20 | estática de alta velocidade RAM(5V do bocado 512Kx8 que opera-se), pino revolucionário para fora. Operado na escalade temperatura comercial, prolongada e industrial. | Samsung Electronic |
| 611658 | KM684002E-25 | estática de alta velocidade RAM(5V do bocado 512Kx8 que opera-se), pino revolucionário para fora. Operado na escalade temperatura comercial, prolongada e industrial. | Samsung Electronic |
| 611659 | KM684002I-17 | estática de alta velocidade RAM(5V do bocado 512Kx8 que opera-se), pino revolucionário para fora. Operado na escalade temperatura comercial, prolongada e industrial. | Samsung Electronic |
| 611660 | KM684002I-20 | estática de alta velocidade RAM(5V do bocado 512Kx8 que opera-se), pino revolucionário para fora. Operado na escalade temperatura comercial, prolongada e industrial. | Samsung Electronic |
| 611661 | KM684002I-25 | estática de alta velocidade RAM(5V do bocado 512Kx8 que opera-se), pino revolucionário para fora. Operado na escalade temperatura comercial, prolongada e industrial. | Samsung Electronic |
| 611662 | KM68512A | RAM baixa da estática do CMOS do poder do bocado 64Kx8 | Samsung Electronic |
| 611663 | KM68512AL | RAM baixa da estática do CMOS do poder do bocado 64Kx8 | Samsung Electronic |
| 611664 | KM68512AL-L | RAM baixa da estática do CMOS do poder do bocado 64Kx8 | Samsung Electronic |
| 611665 | KM68512ALG-5 | 64K x 8 bit CMOS RAM estática, 55ns, baixo consumo de energia | Samsung Electronic |
| 611666 | KM68512ALG-5L | 64K x 8 bit CMOS RAM estática, 55ns, baixa de baixa potência | Samsung Electronic |
| 611667 | KM68512ALG-7 | 64K x 8 bit CMOS RAM estática, 70ns, baixo consumo de energia | Samsung Electronic |
| 611668 | KM68512ALG-7L | 64K x 8 bit CMOS RAM estática, 70ns, baixa de baixa potência | Samsung Electronic |
| 611669 | KM68512ALGI-7 | 64K x 8 bit CMOS RAM estática, 70ns, baixo consumo de energia | Samsung Electronic |
| 611670 | KM68512ALGI-7L | 64K x 8 bit CMOS RAM estática, 70ns, baixa de baixa potência | Samsung Electronic |
| 611671 | KM68512ALI | RAM baixa da estática do CMOS do poder do bocado 64Kx8 | Samsung Electronic |
| 611672 | KM68512ALI-L | RAM baixa da estática do CMOS do poder do bocado 64Kx8 | Samsung Electronic |
| 611673 | KM68512ALT-5L | 64K x 8 bit CMOS RAM estática, 55ns, baixa de baixa potência | Samsung Electronic |
| 611674 | KM68512ALT-7L | RAM baixa da estática do CMOS do poder do bocado 64Kx8 | Samsung Electronic |
| 611675 | KM68512ALTI-7L | 64K x 8 bit CMOS RAM estática, 70ns, baixa de baixa potência | Samsung Electronic |
| 611676 | KM68512B | RAM baixa da estática do CMOS do poder do bocado 64Kx8 | Samsung Electronic |
| 611677 | KM68512BL-L | RAM baixa da estática do CMOS do poder do bocado 64Kx8 | Samsung Electronic |
| 611678 | KM68512BLI-L | RAM baixa da estática do CMOS do poder do bocado 64Kx8 | Samsung Electronic |
| 611679 | KM68512BLT-5L | 64K x 8 bit CMOS RAM estática, 55ns, baixa de baixa potência | Samsung Electronic |
| 611680 | KM68512BLT-7L | 64K x 8 bit CMOS RAM estática, 70ns, baixa de baixa potência | Samsung Electronic |
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