| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 889081 | MMA6260Q | Sensor Do Acceleration | Freescale (Motorola) |
| 889082 | MMA6260QR2 | Acelerómetro Duplo De Micromachined Da Linha central Do 1.5g | Motorola |
| 889083 | MMA6261Q | Acelerómetro Duplo De Micromachined Da Linha central Do 1.5g | Motorola |
| 889084 | MMA6261Q | Sensor Do Acceleration | Freescale (Motorola) |
| 889085 | MMA6261QR2 | Acelerómetro Duplo De Micromachined Da Linha central Do 1.5g | Motorola |
| 889086 | MMA6262Q | Acelerómetro Duplo De Micromachined Da Linha central Do 1.5g | Motorola |
| 889087 | MMA6262Q | Sensor Do Acceleration | Freescale (Motorola) |
| 889088 | MMA6262QR2 | Acelerómetro Duplo De Micromachined Da Linha central Do 1.5g | Motorola |
| 889089 | MMA6263Q | Acelerómetro Duplo De Micromachined Da Linha central Do 1.5g | Motorola |
| 889090 | MMA6263Q | Sensor Do Acceleration | Freescale (Motorola) |
| 889091 | MMA6263QR2 | Acelerómetro Duplo De Micromachined Da Linha central Do 1.5g | Motorola |
| 889092 | MMA701A | +24 amplificador de InGaP HBT do dBm | Aeroflex Circuit Technology |
| 889093 | MMA707 | Amplificador De um InGaP HBT De 1 Watt | Aeroflex Circuit Technology |
| 889094 | MMA707-3030 | Amplificador De um InGaP HBT De 1 Watt | Aeroflex Circuit Technology |
| 889095 | MMA709 | 2 Amplificador De InGaP HBT Do Watt | Aeroflex Circuit Technology |
| 889096 | MMA710 | C.C. ao amplificador de 4 gigahertz | Aeroflex Circuit Technology |
| 889097 | MMA7260Q | 1.5g - Acelerómetro Baixo-g De Micromachined Da Linha central 6g Três | Motorola |
| 889098 | MMA7260QR2 | 1.5g - Acelerómetro Baixo-g De Micromachined Da Linha central 6g Três | Motorola |
| 889099 | MMAD103 | Disposição Do Diodo | Microsemi |
| 889100 | MMAD1103 | Disposição Do Diodo | Microsemi |
| 889101 | MMAD1104 | Disposição Do Diodo | Microsemi |
| 889102 | MMAD1105 | Disposição Do Diodo | Microsemi |
| 889103 | MMAD1106 | Disposição Do Diodo | Microsemi |
| 889104 | MMAD1107 | Disposição Do Diodo | Microsemi |
| 889105 | MMAD1108 | Disposição Do Diodo | Microsemi |
| 889106 | MMAD1108 | 50.0V; 500MilliWatts; direcção de diodos. Para Ethernet 10/100 base T, RS-232 e RS-422 interface de rede, linhas de dados de alta freqüência, computador portas I / O | Protek Devices |
| 889107 | MMAD1109 | Disposição Do Diodo | Microsemi |
| 889108 | MMAD130 | Disposição Do Diodo | Microsemi |
| 889109 | MMAS40G10D | 40G DO ACELERÓMETRO DE MICROMACHINED | Motorola |
| 889110 | MMAS40GWB | O 40G DO ACELERÓMETRO DE MICROMACHINED AMPLIFICOU | Motorola |
| 889111 | MMB3904LT1 | Silicone De Transistor(NPN Da Finalidade Geral) | Leshan Radio Company |
| 889112 | MMBA811C5 | PNP (TRANSISTOR DE EXCITADOR) | Samsung Electronic |
| 889113 | MMBA811C5 | Transístor PNP amplificador de silício. | Motorola |
| 889114 | MMBA811C6 | TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE PNP | Samsung Electronic |
| 889115 | MMBA811C6 | Transístor PNP amplificador de silício. | Motorola |
| 889116 | MMBA811C7 | PNP (TRANSISTOR DE EXCITADOR) | Samsung Electronic |
| 889117 | MMBA811C7 | Transístor PNP amplificador de silício. | Motorola |
| 889118 | MMBA811C8 | PNP (TRANSISTOR DE EXCITADOR) | Samsung Electronic |
| 889119 | MMBA811C8 | Transístor PNP amplificador de silício. | Motorola |
| 889120 | MMBA812M3 | PNP (TRANSISTOR DA FINALIDADE GERAL) | Samsung Electronic |
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