Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
10301 | TIP127 | -100 V, -5 A, epitaxial de silício PNP Darlington transistor | Samsung Electronic |
10302 | TIP140F | 60 V, 5 A, epitaxial de silício PNP Darlington transistor | Samsung Electronic |
10303 | TIP140T | 60 V, 10 A, silício epitaxial transistor NPN Darlington | Samsung Electronic |
10304 | TIP141F | 60 V, 5 A, epitaxial de silício PNP Darlington transistor | Samsung Electronic |
10305 | TIP141T | 60 V, 10 A, silício epitaxial transistor NPN Darlington | Samsung Electronic |
10306 | TIP142F | 60 V, 5 A, epitaxial de silício PNP Darlington transistor | Samsung Electronic |
10307 | TIP142T | 60 V, 10 A, silício epitaxial transistor NPN Darlington | Samsung Electronic |
10308 | TIP145F | PNP (GANHO ATUAL ELEVADO DE C.C.) | Samsung Electronic |
10309 | TIP146F | PNP (GANHO ATUAL ELEVADO DE C.C.) | Samsung Electronic |
10310 | TIP147F | PNP (GANHO ATUAL ELEVADO DE C.C.) | Samsung Electronic |
10311 | TIP31 | NPN (APLICAÇÕES LINEARES DO SWITCHING DO PODER MÉDIO) | Samsung Electronic |
10312 | TIP31A | NPN (APLICAÇÕES LINEARES DO SWITCHING DO PODER MÉDIO) | Samsung Electronic |
10313 | TIP31B | NPN (APLICAÇÕES LINEARES DO SWITCHING DO PODER MÉDIO) | Samsung Electronic |
10314 | TIP31C | NPN (APLICAÇÕES LINEARES DO SWITCHING DO PODER MÉDIO) | Samsung Electronic |
10315 | TIP42 | PNP (APLICAÇÕES LINEARES DO SWITCHING DO PODER MÉDIO) | Samsung Electronic |
10316 | TIP42A | PNP (APLICAÇÕES LINEARES DO SWITCHING DO PODER MÉDIO) | Samsung Electronic |
10317 | TIP42B | PNP (APLICAÇÕES LINEARES DO SWITCHING DO PODER MÉDIO) | Samsung Electronic |
10318 | TIP42C | PNP (APLICAÇÕES LINEARES DO SWITCHING DO PODER MÉDIO) | Samsung Electronic |
10319 | TL7231MD | DECODIFICADOR AUDIO DE LAYER-III ISO/IEC 11172-3 CHEIO | Samsung Electronic |
10320 | TL7232 | DECODIFICADOR AUDIO DA CAMADA ISO/IEC 11172-3 CHEIO | Samsung Electronic |
10321 | TL7232MD | CODEC AUDIO DE LAYER-III ISO/IEC 11172-3 CHEIO | Samsung Electronic |
10322 | U3055A | BV (DSS): 60V; R (ds-on): 0,15 Ohm; I (d): 8 A; MOSFET de energia avançada | Samsung Electronic |