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Nr.Nome da parteDescriçãoFabricante
801K4F640811B-TC-50RAM dinâmica 8M x 8bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
802K4F640811B-TC-60RAM dinâmica 8M x 8bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
803K4F640812DRAM dinâmica de 8M x 8bit CMOS com modalidade rápida da páginaSamsung Electronic
804K4F640812D-JC_LRAM dinâmica 8M x 8bit CMOS com o modo de página rapidamente. 3.3V, 4K atualizar ciclo.Samsung Electronic
805K4F640812D-TC_LRAM dinâmica 8M x 8bit CMOS com o modo de página rapidamente. 3.3V, 4K atualizar ciclo.Samsung Electronic
806K4F641612BRAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com modalidade rápida da páginaSamsung Electronic
807K4F641612B-LRAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com modalidade rápida da páginaSamsung Electronic
808K4F641612B-TCRAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com modalidade rápida da páginaSamsung Electronic
809K4F641612B-TC454M x 16bit CMOS RAM dinâmica com modo de página rápida, fonte de alimentação 3.3V, 45nsSamsung Electronic
810K4F641612B-TC50RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com modalidade rápida da páginaSamsung Electronic
811K4F641612B-TC604M x 16bit CMOS RAM dinâmica com modo de página rápida, fonte de alimentação 3.3V, 60nsSamsung Electronic
812K4F641612B-TL454M x 16bit CMOS RAM dinâmica com modo de página rápida, fonte de alimentação 3.3V, 45ns, baixo consumo de energiaSamsung Electronic
813K4F641612B-TL504M x 16bit CMOS RAM dinâmica com modo de página rápida, fonte de alimentação 3.3V, 50ns, baixo consumo de energiaSamsung Electronic
814K4F641612B-TL604M x 16bit CMOS RAM dinâmica com modo de página rápida, fonte de alimentação 3.3V, 60ns, baixo consumo de energiaSamsung Electronic
815K4F641612CRAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com modalidade rápida da páginaSamsung Electronic
816K4F641612C-LRAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com modalidade rápida da páginaSamsung Electronic
817K4F641612C-TCRAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com modalidade rápida da páginaSamsung Electronic
818K4F641612C-TC454M x 16bit CMOS RAM dinâmica com modo de página rápida, fonte de alimentação 3.3V, 45nsSamsung Electronic
819K4F641612C-TC504M x 16bit CMOS RAM dinâmica com modo de página rápida, fonte de alimentação 3.3V, 50nsSamsung Electronic
820K4F641612C-TC604M x 16bit CMOS RAM dinâmica com modo de página rápida, fonte de alimentação 3.3V, 60nsSamsung Electronic
821K4F641612C-TL454M x 16bit CMOS RAM dinâmica com modo de página rápida, fonte de alimentação 3.3V, 45ns, baixo consumo de energiaSamsung Electronic
822K4F641612C-TL50RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com modalidade rápida da páginaSamsung Electronic
823K4F641612C-TL604M x 16bit CMOS RAM dinâmica com modo de página rápida, fonte de alimentação 3.3V, 60ns, baixo consumo de energiaSamsung Electronic
824K4F660411D, K4F640411DRAM dinâmica de 16M x 4bit CMOS com a folha de dados rápida da modalidade da páginaSamsung Electronic
825K4F660412DRAM dinâmica de 16M x 4bit CMOS com modalidade rápidada páginaSamsung Electronic
826K4F660412D, K4F640412DRAM dinâmica de 16M x 4bit CMOS com a folha de dados rápida da modalidade da páginaSamsung Electronic
827K4F660412D, K4F640412DRAM dinâmica de 16M x 4bit CMOS com a folha de dados rápida da modalidade da páginaSamsung Electronic
828K4F660412D-JC_LRAM dinâmica 16M x 4 bit CMOS com o modo de página rapidamente. 3.3V, 8K atualizar ciclo.Samsung Electronic
829K4F660412D-TC_LRAM dinâmica 16M x 4 bit CMOS com o modo de página rapidamente. 3.3V, 8K atualizar ciclo.Samsung Electronic
830K4F660412E, K4F640412ERAM dinâmica de 16M x 4bit CMOS com a folha de dados rápida da modalidade da páginaSamsung Electronic
831K4F660412E, K4F640412ERAM dinâmica de 16M x 4bit CMOS com a folha de dados rápida da modalidade da páginaSamsung Electronic
832K4F660811BRAM dinâmica de 8M x 8bit CMOS com modalidade rápida da páginaSamsung Electronic
833K4F660811B-JC-45RAM dinâmica 8M x 8bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 45nsSamsung Electronic
834K4F660811B-JC-50RAM dinâmica 8M x 8bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
835K4F660811B-JC-60RAM dinâmica 8M x 8bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
836K4F660811B-TC-45RAM dinâmica 8M x 8bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 45nsSamsung Electronic
837K4F660811B-TC-50RAM dinâmica 8M x 8bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
838K4F660811B-TC-60RAM dinâmica 8M x 8bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
839K4F660811D, K4F640811DRAM dinâmica de 8M x 8bit CMOS com a folha de dados rápida da modalidade da páginaSamsung Electronic
840K4F660812DRAM dinâmica de 8M x 8bit CMOS com modalidade rápida da páginaSamsung Electronic
841K4F660812D, K4F640812DRAM dinâmica de 8M x 8bit CMOS com a folha de dados rápida da modalidade da páginaSamsung Electronic
842K4F660812D, K4F640812DRAM dinâmica de 8M x 8bit CMOS com a folha de dados rápida da modalidade da páginaSamsung Electronic
843K4F660812D-JC_LRAM dinâmica 8M x 8bit CMOS com o modo de página rapidamente. 3.3V, 8K atualizar ciclo.Samsung Electronic
844K4F660812D-TC_LRAM dinâmica 8M x 8bit CMOS com o modo de página rapidamente. 3.3V, 8K atualizar ciclo.Samsung Electronic
845K4F660812E, K4F640812ERAM dinâmica de 8M x 8bit CMOS com a folha de dados rápida da modalidade da páginaSamsung Electronic
846K4F660812E, K4F640812ERAM dinâmica de 8M x 8bit CMOS com a folha de dados rápida da modalidade da páginaSamsung Electronic
847K4F661611D, K4F641611DRAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com a folha de dados rápida da modalidade da páginaSamsung Electronic
848K4F661612BRAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com modalidade rápida da páginaSamsung Electronic
849K4F661612B-LRAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com modalidade rápida da páginaSamsung Electronic
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851K4F661612B-TC454M x 16bit CMOS RAM dinâmica com modo de página rápida, fonte de alimentação 3.3V, 45nsSamsung Electronic
852K4F661612B-TC504M x 16bit CMOS RAM dinâmica com modo de página rápida, fonte de alimentação 3.3V, 50nsSamsung Electronic
853K4F661612B-TC604M x 16bit CMOS RAM dinâmica com modo de página rápida, fonte de alimentação 3.3V, 60nsSamsung Electronic
854K4F661612B-TL454M x 16bit CMOS RAM dinâmica com modo de página rápida, fonte de alimentação 3.3V, 45ns, baixo consumo de energiaSamsung Electronic
855K4F661612B-TL504M x 16bit CMOS RAM dinâmica com modo de página rápida, fonte de alimentação 3.3V, 50ns, baixo consumo de energiaSamsung Electronic



856K4F661612B-TL604M x 16bit CMOS RAM dinâmica com modo de página rápida, fonte de alimentação 3.3V, 60ns, baixo consumo de energiaSamsung Electronic
857K4F661612CRAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com modalidade rápida da páginaSamsung Electronic
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860K4F661612C-TC454M x 16bit CMOS RAM dinâmica com modo de página rápida, fonte de alimentação 3.3V, 45nsSamsung Electronic
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866K4F661612D, K4F641612DRAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com a folha de dados rápida da modalidade da páginaSamsung Electronic
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869K4F661612E, K4F641612ERAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com a folha de dados rápida da modalidade da páginaSamsung Electronic
870K4G323222A512K x 32Bit x folha de 2 dados gráfica synchronous da RAM dos bancosSamsung Electronic
871K4G323222A-PC/L4532Mbit SGRAMSamsung Electronic
872K4G323222A-PC/L5032Mbit SGRAMSamsung Electronic
873K4G323222A-PC/L6032Mbit SGRAMSamsung Electronic
874K4G323222A-PC/L7032Mbit SGRAMSamsung Electronic
875K4G323222A-PC/L7C32Mbit SGRAMSamsung Electronic
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880K4G323222A-QC/L7C32Mbit SGRAMSamsung Electronic
881K4H1G0438A-TCA0128MB DDR SDRAMSamsung Electronic
882K4H1G0438A-TCA2128MB DDR SDRAMSamsung Electronic
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900K4H1G0438D-TCA2128MB DDR SDRAMSamsung Electronic

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