| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 1101 | 2SC2230A | Tipo Difundido Triplo Do Silicone NPN Do Transistor (Processo) do Pct APLICAÇÕES SADIAS GERAIS DE ALTA TENSÃO da SAÍDA da CLASSE B da Tevê do AMPLIFICADOR E da COR | TOSHIBA |
| 1102 | 2SC2231 | SILICONE NPN TYPE(PCT DIFUNDIDO TRIPLO PROCESS) | TOSHIBA |
| 1103 | 2SC2231 | SILICONE NPN TYPE(PCT DIFUNDIDO TRIPLO PROCESS) | TOSHIBA |
| 1104 | 2SC2231A | SILICONE NPN TYPE(PCT DIFUNDIDO TRIPLO PROCESS) | TOSHIBA |
| 1105 | 2SC2231A | SILICONE NPN TYPE(PCT DIFUNDIDO TRIPLO PROCESS) | TOSHIBA |
| 1106 | 2SC2235 | TIPO EPITAXIAL DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR (PROCESSO) AMPLIFICADOR DO PCT DE PODER AUDIO, APLICAÇÕES DO AMPLIFICADOR DO ESTÁGIO DE EXCITADOR | TOSHIBA |
| 1107 | 2SC2236 | TIPO EPITAXIAL DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR (PROCESSO) DO PCT APLICAÇÕES AUDIO DO AMPLIFICADOR DE PODER | TOSHIBA |
| 1108 | 2SC2240 | Tipo epitaxial do silicone NPN do transistor (processo) do PCT aplicações baixas do amplificador audio do ruído | TOSHIBA |
| 1109 | 2SC2242 | SILICONE NPN TYPE(PCT DIFUNDIDO TRIPLO PROCESS) | TOSHIBA |
| 1110 | 2SC2242 | SILICONE NPN TYPE(PCT DIFUNDIDO TRIPLO PROCESS) | TOSHIBA |
| 1111 | 2SC2270 | Aplicações Flash De Strobo | TOSHIBA |
| 1112 | 2SC2290 | TIPO PLANAR EPITAXIAL APLICAÇÕES LINEARES DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR DO AMPLIFICADOR DE PODER DE 2~30MHZ SSB (USO BAIXO DA TENSÃO DE FONTE) | TOSHIBA |
| 1113 | 2SC2347 | Tipo Planar Epitaxial Aplicações DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA Do Silicone NPN Do Transistor Do Misturador do Vhf da Tevê Das Aplicações Do Oscilador da Tevê | TOSHIBA |
| 1114 | 2SC2349 | Tipo Planar Epitaxial Aplicações Do Silicone NPN Do Transistor Do Oscilador do Vhf da Tevê | TOSHIBA |
| 1115 | 2SC2380 | Tipo Planar Epitaxial Do Silicone NPN | TOSHIBA |
| 1116 | 2SC2383 | TIPO EPITAXIAL TEVÊ VERT DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR DA COR. APLICAÇÕES SADIAS Da SAÍDA Da SAÍDA Da DEFLEXÃO E Da CLASSE B Da Tevê Da COR | TOSHIBA |
| 1117 | 2SC2395 | TRANSISTOR (USO LINEAR DA TENSÃO DE FONTE DO AMPLIFICADOR DE PODER APPLICATIONS)(LOW DE 2~30MHZ SSB) | TOSHIBA |
| 1118 | 2SC2420 | APLICAÇÕES DO AMPLIFICADOR DE PODER DA FAIXA DO VHF | TOSHIBA |
| 1119 | 2SC2458 | Tipo epitaxial do silicone NPN do transistor (processo) do PCT aplicações do amplificador audio | TOSHIBA |
| 1120 | 2SC2458(L) | Tipo epitaxial do silicone NPN do transistor (processo) do PCT aplicações baixas do amplificador audio do ruído das aplicações do amplificador audio | TOSHIBA |
| 1121 | 2SC2458L | TRANSISTOR (APLICAÇÕES BAIXAS AUDIO DO AMPLIFICADOR AUDIO DO RUÍDO) | TOSHIBA |
| 1122 | 2SC2459 | Tipo epitaxial do silicone NPN do transistor (processo) do PCT aplicações do amplificador audio | TOSHIBA |
| 1123 | 2SC2461A | PROCESSO EPITAXIAL DO SILICONE NPN TYPE(PCT) | TOSHIBA |
| 1124 | 2SC2461A | PROCESSO EPITAXIAL DO SILICONE NPN TYPE(PCT) | TOSHIBA |
| 1125 | 2SC2482 | TIPO DIFUNDIDO TRIPLO SWITCHING DE ALTA TENSÃO DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR E AMPLIFICADOR, TEVÊ HORIZ DA COR. EXCITADOR E APLICAÇÕES DA SAÍDA DO CHROMA DA TEVÊ DA COR | TOSHIBA |
| 1126 | 2SC2498 | Tipo Planar Epitaxial Aplicação Baixa Do Silicone NPN Do Transistor Do Amplificador Do Ruído Da Faixa de VHF~UHF | TOSHIBA |
| 1127 | 2SC2500 | TIPO EPITAXIAL DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR (PROCESSO) DO PCT APLICAÇÕES MÉDIAS DO AMPLIFICADOR DE PODER DAS APLICAÇÕES DO FLASH DO ESTROBOSCÓPIO | TOSHIBA |
| 1128 | 2SC2510 | TIPO PLANAR EPITAXIAL APLICAÇÕES LINEARES DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR DO AMPLIFICADOR DE PODER DE 2~30MHZ SSB (USO DA TENSÃO DE FONTE 28V) | TOSHIBA |
| 1129 | 2SC2525 | TRANSISTOR (APLICAÇÕES DO AMPLIFICADOR DE PODER DA FREQÜÊNCIA AUDIO) | TOSHIBA |
| 1130 | 2SC2532 | Tipo epitaxial do silicone NPN do transistor (processo) do PCT estágio de excitador das aplicações do amplificador da freqüência audio para aplicações da compensação da temperatura de aplicações da lâmpada do diodo emissor d | TOSHIBA |
| 1131 | 2SC2551 | Tipo epitaxial do silicone NPN do transistor (processo) exposição do PCT de plasma das aplicações do controle da tensão de Hight, aplicações do controle de brilho do tubo de raio de cátodo das aplicações do excitador do tubo d | TOSHIBA |
| 1132 | 2SC2552 | TIPO DIFUNDIDO TRIPLO DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR (PROCESSO) DO PCT REGULADOR DE SWITCHING E SWITCHING DA ALTA TENSÃO, APLICAÇÕES DE ALTA VELOCIDADE DO CONVERSOR DE DC-DC. | TOSHIBA |
| 1133 | 2SC2555 | TIPO DIFUNDIDO TRIPLO SWITCHING DO REGULADOR DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR E DA ALTA TENSÃO DE SWITCHING E APLICAÇÕES DE ALTA VELOCIDADE DO CONVERSOR DE DC-DC | TOSHIBA |
| 1134 | 2SC2563 | Série Do Pacote de TO-3P | TOSHIBA |
| 1135 | 2SC2565 | 2SC2565 | TOSHIBA |
| 1136 | 2SC2565 | 2SC2565 | TOSHIBA |
| 1137 | 2SC2638 | TRANSISTOR (APLICAÇÕES DO AMPLIFICADOR DE PODER DA FAIXA DO VHF) | TOSHIBA |
| 1138 | 2SC2639 | TRANSISTOR (APLICAÇÕES DO AMPLIFICADOR DE PODER DA FAIXA DO VHF) | TOSHIBA |
| 1139 | 2SC2640 | TRANSISTOR (APLICAÇÕES DO AMPLIFICADOR DE PODER DA FAIXA DO VHF) | TOSHIBA |
| 1140 | 2SC2641 | TRANSISTOR (APLICAÇÕES DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA DO AMPLIFICADOR DE PODER DA FAIXA) | TOSHIBA |
| 1141 | 2SC2642 | TRANSISTOR (APLICAÇÕES DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA DO AMPLIFICADOR DE PODER DA FAIXA) | TOSHIBA |
| 1142 | 2SC2643 | TRANSISTOR (APLICAÇÕES DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA DO AMPLIFICADOR DE PODER DA FAIXA) | TOSHIBA |
| 1143 | 2SC2644 | Tipo Planar Epitaxial Aplicações Wideband Do Silicone NPN Do Transistor Do Amplificador Da Faixa de VHF~UHF (fT=4GHz) | TOSHIBA |
| 1144 | 2SC2652 | V (CBO): 85V; V (CES): 85V; V (CEO): 55V; V (EBO): 4V; 20A; 300W; NPN de silício epitaxial transistor planar. Para 2-30 MHz SSB amplificadores de poder linearidade aplicativos | TOSHIBA |
| 1145 | 2SC2655 | Tipo epitaxial do silicone NPN do transistor (processo) do PCT aplicações do switching do poder das aplicações do amplificador de poder | TOSHIBA |
| 1146 | 2SC2668 | Tipo planar epitaxial do silicone NPN do transistor (processo) aplicações de alta freqüência FM do PCT do amplificador, RF, SE aplicações do amplificador | TOSHIBA |
| 1147 | 2SC2669 | Tipo planar epitaxial do silicone NPN do transistor (processo) do PCT aplicações de alta freqüência do amplificador | TOSHIBA |
| 1148 | 2SC2670 | Tipo epitaxial do silicone NPN do transistor (processo) do PCT aplicações de alta freqüência do conversor de freqüência do AM das aplicações do amplificador do AM das aplicações de alta freqüência do amplificador | TOSHIBA |
| 1149 | 2SC2703 | TIPO EPITAXIAL DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR (PROCESSO) DO PCT APLICAÇÕES AUDIO DO AMPLIFICADOR DE PODER | TOSHIBA |
| 1150 | 2SC2705 | TIPO EPITAXIAL DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR (PROCESSO) DO PCT APLICAÇÕES DO AMPLIFICADOR DA FREQÜÊNCIA AUDIO | TOSHIBA |
| 1151 | 2SC2710 | Tipo epitaxial do silicone NPN do transistor (processo do PCT) para aplicações do amplificador audio | TOSHIBA |
| 1152 | 2SC2712 | Tipo epitaxial do silicone NPN do transistor (processo) do PCT aplicações do amplificador da finalidade geral de freqüência audio | TOSHIBA |
| 1153 | 2SC2713 | Tipo epitaxial do silicone NPN do transistor (processo) do PCT aplicações do amplificador da finalidade geral de freqüência audio | TOSHIBA |
| 1154 | 2SC2714 | Tipo planar epitaxial do silicone NPN do transistor (processo) aplicações de alta freqüência FM do PCT do amplificador, RF, MISTURA, se aplicações do amplificador | TOSHIBA |
| 1155 | 2SC2715 | Tipo planar epitaxial do silicone NPN do transistor (processo) do PCT aplicações de alta freqüência do amplificador | TOSHIBA |
| 1156 | 2SC2716 | Tipo epitaxial do silicone NPN do transistor (processo) do PCT aplicações de alta freqüência do conversor de freqüência do AM das aplicações do amplificador do AM das aplicações de alta freqüência do amplificador | TOSHIBA |
| 1157 | 2SC2717 | Tipo Planar Epitaxial Retrato Final Do Silicone NPN Do Transistor da Tevê SE Aplicações Do Amplificador | TOSHIBA |
| 1158 | 2SC2753 | Tipo Planar Epitaxial Aplicação Baixa Do Silicone NPN Do Transistor Do Amplificador Do Ruído Da Faixa de VHF~UHF | TOSHIBA |
| 1159 | 2SC2782 | TIPO PLANAR EPITAXIAL APLICAÇÕES DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR DO AMPLIFICADOR DE PODER DA FAIXA DO VHF | TOSHIBA |
| 1160 | 2SC2783 | TRANSISTOR (APLICAÇÕES DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA DO AMPLIFICADOR DE PODER DA FAIXA) | TOSHIBA |
| 1161 | 2SC2790 | TIPO DIFUNDIDO TRIPLO DO SILICONE NPN | TOSHIBA |
| 1162 | 2SC2791 | TIPO DIFUNDIDO TRIPLO DO SILICONE NPN | TOSHIBA |
| 1163 | 2SC2792 | TIPO DIFUNDIDO TRIPLO DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR. REGULADOR DE SWITCHING E ALTA TENSÃO, APLICAÇÕES DO SWITCHING. APLICAÇÕES DE ALTA VELOCIDADE DO CONVERSOR DE DC-DC. | TOSHIBA |
| 1164 | 2SC2793 | TIPO DIFUNDIDO TRIPLO DO SILICONE NPN | TOSHIBA |
| 1165 | 2SC2824 | PROCESSO EPITAXIAL DO SILICONE NPN TYPE(PCT) | TOSHIBA |
| 1166 | 2SC2824 | PROCESSO EPITAXIAL DO SILICONE NPN TYPE(PCT) | TOSHIBA |
| 1167 | 2SC2859 | Aplicações baixas epitaxial do amplificador do estágio de excitador das aplicações do amplificador de poder da freqüência audio do silicone NPN do transistor (processo do PCT) que comutam aplicações | TOSHIBA |
| 1168 | 2SC2873 | Tipo epitaxial do silicone PNP do transistor (processo) do PCT aplicações do switching do poder das aplicações do amplificador de poder | TOSHIBA |
| 1169 | 2SC2878 | Tipo epitaxial do silicone NPN do transistor para aplicações muting e comutando | TOSHIBA |
| 1170 | 2SC2879 | TIPO PLANAR EPITAXIAL APLICAÇÕES LINEARES DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR DO AMPLIFICADOR DE PODER DE 2~30MHZ SSB (USO BAIXO DA TENSÃO DE FONTE) | TOSHIBA |
| 1171 | 2SC2880 | Tipo difundido triplo do silicone NPN do transistor (processo) do PCT aplicações de alta tensão do switching | TOSHIBA |
| 1172 | 2SC2881 | Tipo epitaxial do silicone NPN do transistor (processo) do PCT aplicações do amplificador de poder das aplicações do amplificador da tensão | TOSHIBA |
| 1173 | 2SC2882 | Tipo epitaxial do silicone NPN do transistor (processo) do PCT aplicações do amplificador da tensão das aplicações do amplificador de poder | TOSHIBA |
| 1174 | 2SC2883 | TIPO EPITAXIAL DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR (PROCESSO) DO PCT APLICAÇÕES AUDIO DO AMPLIFICADOR DE PODER | TOSHIBA |
| 1175 | 2SC2884 | TIPO EPITAXIAL DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR (PROCESSO) DO PCT APLICAÇÕES AUDIO DO AMPLIFICADOR DE PODER | TOSHIBA |
| 1176 | 2SC2982 | Tipo epitaxial do silicone NPN do transistor (processo) do PCT aplicações médias do amplificador de poder das aplicações flash de Storobo | TOSHIBA |
| 1177 | 2SC2983 | Tipo epitaxial do silicone NPN do transistor (processo) do PCT aplicações do amplificador do estágio de excitador das aplicações do amplificador de poder | TOSHIBA |
| 1178 | 2SC2995 | Tipo epitaxial do silicone NPN do transistor (processo) FM/AM RF do PCT, MISTURA, OSCILADOR, SE aplicações de alta freqüência do amplificador | TOSHIBA |
| 1179 | 2SC2996 | Tipo epitaxial do silicone NPN do transistor (processo) FM/AM RF do PCT, MISTURA, local, SE aplicações de alta freqüência do amplificador | TOSHIBA |
| 1180 | 2SC3006 | TRANSISTOR (APLICAÇÕES DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA DO AMPLIFICADOR DE PODER DA FAIXA) | TOSHIBA |
| 1181 | 2SC3007 | TIPO EPITAXIAL DO SILICONE NPN (PROCESSO DO PCT) | TOSHIBA |
| 1182 | 2SC3007 | TIPO EPITAXIAL DO SILICONE NPN (PROCESSO DO PCT) | TOSHIBA |
| 1183 | 2SC3007 | TIPO EPITAXIAL DO SILICONE NPN (PROCESSO DO PCT) | TOSHIBA |
| 1184 | 2SC3011 | Tipo Planar Epitaxial Aplicações Baixas Do Silicone NPN Do Transistor Do Amplificador Do Ruído Da Faixa de UHF~C | TOSHIBA |
| 1185 | 2SC3072 | Tipo epitaxial do silicone NPN do transistor (processo) do PCT aplicações médias do amplificador de poder das aplicações do flash do estroboscópio | TOSHIBA |
| 1186 | 2SC3073 | PROCESSO EPITAXIAL DO SILICONE NPN TYPE(PCT) | TOSHIBA |
| 1187 | 2SC3073 | PROCESSO EPITAXIAL DO SILICONE NPN TYPE(PCT) | TOSHIBA |
| 1188 | 2SC3073 | PROCESSO EPITAXIAL DO SILICONE NPN TYPE(PCT) | TOSHIBA |
| 1189 | 2SC3074 | Tipo epitaxial do silicone NPN do transistor (processo) do PCT aplicações atuais elevadas do switching | TOSHIBA |
| 1190 | 2SC3075 | Tipo difundido triplo do silicone NPN do transistor (processo) do PCT regulador de switching e aplicações do conversor das aplicações DC-AC do conversor das aplicações DC-DC do switching da alta tensão | TOSHIBA |
| 1191 | 2SC3076 | Tipo epitaxial do silicone NPN do transistor (processo) do PCT aplicações do switching do poder das aplicações do amplificador de poder | TOSHIBA |
| 1192 | 2SC3098 | Tipo Planar Epitaxial Aplicações Baixas Do Silicone NPN Do Transistor Do Amplificador Do Ruído Da Faixa de UHF~C | TOSHIBA |
| 1193 | 2SC3099 | Tipo Planar Epitaxial Aplicações Baixas Do Silicone NPN Do Transistor Do Amplificador Do Ruído Da Faixa de VHF~UHF | TOSHIBA |
| 1194 | 2SC3112 | Tipo epitaxial do silicone NPN do transistor (processo do PCT) para aplicações do amplificador audio e do switching | TOSHIBA |
| 1195 | 2SC3113 | Tipo epitaxial do silicone NPN do transistor para aplicações do amplificador audio e do switching | TOSHIBA |
| 1196 | 2SC3120 | Transistor | TOSHIBA |
| 1197 | 2SC3121 | Tipo planar epitaxial tuner do silicone NPN do transistor da tevê, tuner DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA da tevê das aplicações do oscilador (base comum), aplicações DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA do conversor (base comum) | TOSHIBA |
| 1198 | 2SC3122 | Tipo Planar Epitaxial Aplicações Do Silicone NPN Do Transistor Do Amplificador do Vhf Rf da Tevê | TOSHIBA |
| 1199 | 2SC3123 | Tipo Planar Epitaxial Aplicações Do Silicone NPN Do Transistor Do Misturador do Vhf da Tevê | TOSHIBA |
| 1200 | 2SC3124 | Tipo Planar Epitaxial Tuner Do Silicone NPN Do Transistor da Tevê, Aplicações Do Oscilador do Vhf | TOSHIBA |
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