| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 4001 | 5962P9960701TXC | 512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 25 нс, операция 3.3. Класс Т. Ведущий отделка золотом. Общая доза 3E4 (30krad) (Si) | Aeroflex Circuit Technology |
| 4002 | 5962P9960701TXX | 512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 25 нс, операция 3.3. Класс Т. вариант Ведущий отделка завод. Общая доза 3E4 (30krad) (Si) | Aeroflex Circuit Technology |
| 4003 | 5962P9960702QUA | 512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 25 нс, операция 3.3. Класс В. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Общая доза 3E4 (30krad) (Si) | Aeroflex Circuit Technology |
| 4004 | 5962P9960702QUC | 512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 25 нс, операция 3.3. Класс В. Ведущий отделка золотом. Общая доза 3E4 (30krad) (Si) | Aeroflex Circuit Technology |
| 4005 | 5962P9960702QUX | 512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 25 нс, операция 3.3. Класс В. Ведущий отделка завод вариант. Общая доза 3E4 (30krad) (Si) | Aeroflex Circuit Technology |
| 4006 | 5962P9960702QXA | 512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 25 нс, операция 3.3. Класс В. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Общая доза 3E4 (30krad) (Si) | Aeroflex Circuit Technology |
| 4007 | 5962P9960702QXC | 512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 25 нс, операция 3.3. Класс В. Ведущий отделка золотом. Общая доза 3E4 (30krad) (Si) | Aeroflex Circuit Technology |
| 4008 | 5962P9960702QXX | 512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 25 нс, операция 3.3. Класс В. Ведущий отделка завод вариант. Общая доза 3E4 (30krad) (Si) | Aeroflex Circuit Technology |
| 4009 | 5962P9960702TUA | 512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 25 нс, операция 3.3. Класс Т. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Общая доза 3E4 (30krad) (Si) | Aeroflex Circuit Technology |
| 4010 | 5962P9960702TUC | 512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 25 нс, операция 3.3. Класс Т. Ведущий отделка золотом. Общая доза 3E4 (30krad) (Si) | Aeroflex Circuit Technology |
| 4011 | 5962P9960702TUX | 512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 25 нс, операция 3.3. Класс Т. вариант Ведущий отделка завод. Общая доза 3E4 (30krad) (Si) | Aeroflex Circuit Technology |
| 4012 | 5962P9960702TXA | 512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 25 нс, операция 3.3. Класс Т. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Общая доза 3E4 (30krad) (Si) | Aeroflex Circuit Technology |
| 4013 | 5962P9960702TXC | 512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 25 нс, операция 3.3. Класс Т. Ведущий отделка золотом. Общая доза 3E4 (30krad) (Si) | Aeroflex Circuit Technology |
| 4014 | 5962P9960702TXX | 512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 25 нс, операция 3.3. Класс Т. вариант Ведущий отделка завод. Общая доза 3E4 (30krad) (Si) | Aeroflex Circuit Technology |
| 4015 | 5962P9960703QUA | 512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 20 нс, операция 3.3. Класс В. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Общая доза 3E4 (30krad) (Si) | Aeroflex Circuit Technology |
| 4016 | 5962P9960703QUC | 512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 20 нс, операция 3.3. Класс В. Ведущий отделка золотом. Общая доза 3E4 (30krad) (Si) | Aeroflex Circuit Technology |
| 4017 | 5962P9960703QUX | 512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 20 нс, операция 3.3. Класс В. Ведущий отделка завод вариант. Общая доза 3E4 (30krad) (Si) | Aeroflex Circuit Technology |
| 4018 | 5962P9960703QXA | 512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 20 нс, операция 3.3. Класс В. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Общая доза 3E4 (30krad) (Si) | Aeroflex Circuit Technology |
| 4019 | 5962P9960703QXC | 512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 20 нс, операция 3.3. Класс В. Ведущий отделка золотом. Общая доза 3E4 (30krad) (Si) | Aeroflex Circuit Technology |
| 4020 | 5962P9960703QXX | 512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 20 нс, операция 3.3. Класс В. Ведущий отделка завод вариант. Общая доза 3E4 (30krad) (Si) | Aeroflex Circuit Technology |
| 4021 | 5962P9960703TUA | 512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 20 нс, операция 3.3. Класс Т. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Общая доза 3E4 (30krad) (Si) | Aeroflex Circuit Technology |
| 4022 | 5962P9960703TUC | 512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 20 нс, операция 3.3. Класс Т. Ведущий отделка золотом. Общая доза 3E4 (30krad) (Si) | Aeroflex Circuit Technology |
| 4023 | 5962P9960703TUX | 512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 20 нс, операция 3.3. Класс Т. вариант Ведущий отделка завод. Общая доза 3E4 (30krad) (Si) | Aeroflex Circuit Technology |
| 4024 | 5962P9960703TXA | 512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 20 нс, операция 3.3. Класс Т. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Общая доза 3E4 (30krad) (Si) | Aeroflex Circuit Technology |
| 4025 | 5962P9960703TXC | 512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 20 нс, операция 3.3. Класс Т. Ведущий отделка золотом. Общая доза 3E4 (30krad) (Si) | Aeroflex Circuit Technology |
| 4026 | 5962P9960703TXX | 512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 20 нс, операция 3.3. Класс Т. вариант Ведущий отделка завод. Общая доза 3E4 (30krad) (Si) | Aeroflex Circuit Technology |
| 4027 | 5962P9960704QUA | 512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 20 нс, операция 3.3. Класс В. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Общая доза 3E4 (30krad) (Si) | Aeroflex Circuit Technology |
| 4028 | 5962P9960704QUC | 512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 20 нс, операция 3.3. Класс В. Ведущий отделка золотом. Общая доза 3E4 (30krad) (Si) | Aeroflex Circuit Technology |
| 4029 | 5962P9960704QUX | 512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 20 нс, операция 3.3. Класс В. Ведущий отделка завод вариант. Общая доза 3E4 (30krad) (Si) | Aeroflex Circuit Technology |
| 4030 | 5962P9960704QXA | 512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 20 нс, операция 3.3. Класс В. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Общая доза 3E4 (30krad) (Si) | Aeroflex Circuit Technology |
| 4031 | 5962P9960704QXC | 512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 20 нс, операция 3.3. Класс В. Ведущий отделка золотом. Общая доза 3E4 (30krad) (Si) | Aeroflex Circuit Technology |
| 4032 | 5962P9960704QXX | 512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 20 нс, операция 3.3. Класс В. Ведущий отделка завод вариант. Общая доза 3E4 (30krad) (Si) | Aeroflex Circuit Technology |
| 4033 | 5962P9960704TUA | 512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 20 нс, операция 3.3. Класс Т. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Общая доза 3E4 (30krad) (Si) | Aeroflex Circuit Technology |
| 4034 | 5962P9960704TUC | 512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 20 нс, операция 3.3. Класс Т. Ведущий отделка золотом. Общая доза 3E4 (30krad) (Si) | Aeroflex Circuit Technology |
| 4035 | 5962P9960704TUX | 512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 20 нс, операция 3.3. Класс Т. вариант Ведущий отделка завод. Общая доза 3E4 (30krad) (Si) | Aeroflex Circuit Technology |
| 4036 | 5962P9960704TXA | 512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 20 нс, операция 3.3. Класс Т. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Общая доза 3E4 (30krad) (Si) | Aeroflex Circuit Technology |
| 4037 | 5962P9960704TXC | 512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 20 нс, операция 3.3. Класс Т. Ведущий отделка золотом. Общая доза 3E4 (30krad) (Si) | Aeroflex Circuit Technology |
| 4038 | 5962P9960704TXX | 512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 20 нс, операция 3.3. Класс Т. вариант Ведущий отделка завод. Общая доза 3E4 (30krad) (Si) | Aeroflex Circuit Technology |
| 4039 | 5962R-0050501QTBDA | USART: SMD. Ведущий отделка припой. QML класс В. Общая доза 3E5 рад (Si). | Aeroflex Circuit Technology |
| 4040 | 5962R-0050501QTBDC | USART: SMD. Ведущий отделка золотом. QML класс В. Общая доза 3E5 рад (Si). | Aeroflex Circuit Technology |
| 4041 | 5962R-0050501QTBDX | USART: SMD. Ведущий отделка по желанию. QML класс В. Общая доза 3E5 рад (Si). | Aeroflex Circuit Technology |
| 4042 | 5962R-0050501VTBDA | USART: SMD. Ведущий отделка припой. Класс QML В. Общая доза 3E5 рад (Si). | Aeroflex Circuit Technology |
| 4043 | 5962R-0050501VTBDC | USART: SMD. Ведущий отделка золотом. Класс QML В. Общая доза 3E5 рад (Si). | Aeroflex Circuit Technology |
| 4044 | 5962R-0050501VTBDX | USART: SMD. Ведущий отделка по желанию. Класс QML В. Общая доза 3E5 рад (Si). | Aeroflex Circuit Technology |
| 4045 | 5962R-0153401QXA | 50 МГц сериализатор. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. QML класс В. Общая доза 1E5 рад (Si). | Aeroflex Circuit Technology |
| 4046 | 5962R-0153401QXC | 50 МГц сериализатор. Ведущий отделка золотом. QML класс Q. Всего рад доза 1E5 (Si). | Aeroflex Circuit Technology |
| 4047 | 5962R-0153401QXX | 50 МГц сериализатор. Ведущий вариант отделки завод. QML класс В. Общая доза 1E5 рад (Si). | Aeroflex Circuit Technology |
| 4048 | 5962R-0153401VXA | 50 МГц сериализатор. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Класс QML В. Общая доза 1E5 рад (Si). | Aeroflex Circuit Technology |
| 4049 | 5962R-0153401VXC | 50 МГц сериализатор. Ведущий отделка золотом. QML класс V. Всего рад доза 1E5 (Si). | Aeroflex Circuit Technology |
| 4050 | 5962R-0153401VXX | 50 МГц сериализатор. Ведущий вариант отделки завод. Класс QML В. Общая доза 1E5 рад (Si). | Aeroflex Circuit Technology |
| 4051 | 5962R-0153402QXA | 75 МГц сериализатор. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. QML класс В. Общая доза 1E5 рад (Si). | Aeroflex Circuit Technology |
| 4052 | 5962R-0153402QXC | 75 МГц сериализатор. Ведущий отделка золотом. QML класс Q. Всего рад доза 1E5 (Si). | Aeroflex Circuit Technology |
| 4053 | 5962R-0153402QXX | 75 МГц сериализатор. Ведущий вариант отделки завод. QML класс В. Общая доза 1E5 рад (Si). | Aeroflex Circuit Technology |
| 4054 | 5962R-0153402VXA | 75 МГц сериализатор. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Класс QML В. Общая доза 1E5 рад (Si). | Aeroflex Circuit Technology |
| 4055 | 5962R-0153402VXC | 75 МГц сериализатор. Ведущий отделка золотом. QML класс V. Всего рад доза 1E5 (Si). | Aeroflex Circuit Technology |
| 4056 | 5962R-0153402VXX | 75 МГц сериализатор. Ведущий вариант отделки завод. Класс QML В. Общая доза 1E5 рад (Si). | Aeroflex Circuit Technology |
| 4057 | 5962R-0323501QUA | 512 х 18 SRAM: SMD. Время доступа 15 нс, CMOS I / O. Класс В. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Всего рад доза 100K (Si). | Aeroflex Circuit Technology |
| 4058 | 5962R-0323501QUC | 512 х 18 SRAM: SMD. Время доступа 15 нс, CMOS I / O. Класс В. Ведущий отделка золотом. Всего рад доза 100K (Si). | Aeroflex Circuit Technology |
| 4059 | 5962R-0323501QUX | 512 х 18 SRAM: SMD. Время доступа 15 нс, CMOS I / O. Класс В. Ведущий отделка завод вариант. Всего рад доза 100K (Si). | Aeroflex Circuit Technology |
| 4060 | 5962R-0323501VUA | 512 х 18 SRAM: SMD. Время доступа 15 нс, CMOS I / O. Класс В. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Всего рад доза 100K (Si). | Aeroflex Circuit Technology |
| 4061 | 5962R-0323501VUC | 512 х 18 SRAM: SMD. Время доступа 15 нс, CMOS I / O. Класс В. Ведущий отделка золотом. Всего рад доза 100K (Si). | Aeroflex Circuit Technology |
| 4062 | 5962R-0323501VUX | 512 х 18 SRAM: SMD. Время доступа 15 нс, CMOS I / O. Класс В. Ведущий отделка завод вариант. Всего рад доза 100K (Si). | Aeroflex Circuit Technology |
| 4063 | 5962R-0323502QUA | 512 х 18 SRAM: SMD. Время доступа 15 нс, CMOS I / O. Класс В. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Всего рад доза 100K (Si). | Aeroflex Circuit Technology |
| 4064 | 5962R-0323502QUC | 512 х 18 SRAM: SMD. Время доступа 15 нс, CMOS I / O. Класс В. Ведущий отделка золотом. Всего рад доза 100K (Si). | Aeroflex Circuit Technology |
| 4065 | 5962R-0323502QUX | 512 х 18 SRAM: SMD. Время доступа 15 нс, CMOS I / O. Класс В. Ведущий отделка завод вариант. Всего рад доза 100K (Si). | Aeroflex Circuit Technology |
| 4066 | 5962R-0323502VUA | 512 х 18 SRAM: SMD. Время доступа 15 нс, CMOS I / O. Класс В. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Всего рад доза 100K (Si). | Aeroflex Circuit Technology |
| 4067 | 5962R-0323502VUC | 512 х 18 SRAM: SMD. Время доступа 15 нс, CMOS I / O. Класс В. Ведущий отделка золотом. Всего рад доза 100K (Si). | Aeroflex Circuit Technology |
| 4068 | 5962R-0323502VUX | 512 х 18 SRAM: SMD. Время доступа 15 нс, CMOS I / O. Класс В. Ведущий отделка завод вариант. Всего рад доза 100K (Si). | Aeroflex Circuit Technology |
| 4069 | 5962R-9583302QXA | Quad водитель: SMD. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. QML класс В. Общая доза 1E5 рад (Si). | Aeroflex Circuit Technology |
| 4070 | 5962R-9583302QXC | Quad водитель: SMD. Ведущий отделка золотом. QML класс В. Общая доза 1E5 рад (Si). | Aeroflex Circuit Technology |
| 4071 | 5962R-9583302QXX | Quad водитель: SMD. Ведущий вариант отделки завод. QML класс В. Общая доза 1E5 рад (Si). | Aeroflex Circuit Technology |
| 4072 | 5962R-9583302VXA | Quad водитель: SMD. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Класс QML В. Общая доза 1E5 рад (Si). | Aeroflex Circuit Technology |
| 4073 | 5962R-9583302VXC | Quad водитель: SMD. Ведущий отделка золотом. Класс QML В. Общая доза 1E5 рад (Si). | Aeroflex Circuit Technology |
| 4074 | 5962R-9583302VXX | Quad водитель: SMD. Ведущий вариант отделки завод. Класс QML В. Общая доза 1E5 рад (Si). | Aeroflex Circuit Technology |
| 4075 | 5962R-9865103QYA | Низкое напряжение четырехъядерных водитель: SMD. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. QML класс В. Общая доза 1E5 рад (Si). | Aeroflex Circuit Technology |
| 4076 | 5962R-9865103QYC | Низкое напряжение четырехъядерных водитель: SMD. Ведущий отделка золотом. QML класс Q. Всего рад доза 1E5 (Si). | Aeroflex Circuit Technology |
| 4077 | 5962R-9865103QYX | Низкое напряжение четырехъядерных водитель: SMD. Ведущий вариант отделки завод. QML класс В. Общая доза 1E5 рад (Si). | Aeroflex Circuit Technology |
| 4078 | 5962R-9865103VYA | Низкое напряжение четырехъядерных водитель: SMD. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Класс QML В. Общая доза 1E5 рад (Si). | Aeroflex Circuit Technology |
| 4079 | 5962R-9865103VYC | Низкое напряжение четырехъядерных водитель: SMD. Ведущий отделка золотом. QML класс V. Всего рад доза 1E5 (Si). | Aeroflex Circuit Technology |
| 4080 | 5962R-9865103VYX | Низкое напряжение четырехъядерных водитель: SMD. Ведущий вариант отделки завод. Класс QML В. Общая доза 1E5 рад (Si). | Aeroflex Circuit Technology |
| 4081 | 5962R-TBD01QTBDA | 256 х 16 SRAM: SMD. Время доступа 15 нс, CMOS I / O. Класс В. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Всего рад доза 100K (Si). | Aeroflex Circuit Technology |
| 4082 | 5962R-TBD01QTBDC | 256 х 16 SRAM: SMD. Время доступа 15 нс, CMOS I / O. Класс В. Ведущий отделка золотом. Всего рад доза 100K (Si). | Aeroflex Circuit Technology |
| 4083 | 5962R-TBD01QTBDX | 256 х 16 SRAM: SMD. Время доступа 15 нс, CMOS I / O. Класс В. Ведущий отделка завод вариант. Всего рад доза 100K (Si). | Aeroflex Circuit Technology |
| 4084 | 5962R-TBD01VTBDA | 256 х 16 SRAM: SMD. Время доступа 15 нс, CMOS I / O. Класс В. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Всего рад доза 100K (Si). | Aeroflex Circuit Technology |
| 4085 | 5962R-TBD01VTBDC | 256 х 16 SRAM: SMD. Время доступа 15 нс, CMOS I / O. Класс В. Ведущий отделка золотом. Всего рад доза 100K (Si). | Aeroflex Circuit Technology |
| 4086 | 5962R-TBD01VTBDX | 256 х 16 SRAM: SMD. Время доступа 15 нс, CMOS I / O. Класс В. Ведущий отделка завод вариант. Всего рад доза 100K (Si). | Aeroflex Circuit Technology |
| 4087 | 5962R0150201QXA | RadHard 1750AR RISC микроконтроллеров: SMD. 12 МГц, RH микроконтроллер. Вопрос класса Ведущий отделка припой. Всего рад доза 1E5 (Si). | Aeroflex Circuit Technology |
| 4088 | 5962R0150201QXC | RadHard 1750AR RISC микроконтроллеров: SMD. 12 МГц, RH микроконтроллер. Вопрос класса Ведущий золото отделка. Всего рад доза 1E5 (Si). | Aeroflex Circuit Technology |
| 4089 | 5962R0150201QXX | RadHard 1750AR RISC микроконтроллер: SMD. 12 МГц, RH микроконтроллер. Класс В. Ведущий отделка по желанию. Всего рад доза 1E5 (Si). | Aeroflex Circuit Technology |
| 4090 | 5962R0150201QYC | RadHard 1750AR RISC микроконтроллеров: SMD. 12 МГц, RH микроконтроллер. Вопрос класса Ведущий золото отделка. Всего рад доза 1E5 (Si). | Aeroflex Circuit Technology |
| 4091 | 5962R0150201VXA | RadHard 1750AR RISC микроконтроллеров: SMD. 12 МГц, RH микроконтроллер. Класс В. Ведущий отделка припой. Всего рад доза 1E5 (Si). | Aeroflex Circuit Technology |
| 4092 | 5962R0150201VXC | RadHard 1750AR RISC микроконтроллер: SMD. 12 МГц, RH микроконтроллер. Класс В. Ведущий отделка золотом. Всего рад доза 1E5 (Si). | Aeroflex Circuit Technology |
| 4093 | 5962R0150201VXX | RadHard 1750AR RISC микроконтроллер: SMD. 12 МГц, RH микроконтроллер. Класс В. Ведущий отделка по желанию. Всего рад доза 1E5 (Si). | Aeroflex Circuit Technology |
| 4094 | 5962R0150201VYC | RadHard 1750AR RISC микроконтроллер: SMD. 12 МГц, RH микроконтроллер. Класс В. Ведущий отделка золотом. Всего рад доза 1E5 (Si). | Aeroflex Circuit Technology |
| 4095 | 5962R0150202QXA | RadHard 1750AR RISC микроконтроллеров: SMD. 16 МГц, RH микроконтроллер. Вопрос класса Ведущий отделка припой. Всего рад доза 1E5 (Si). | Aeroflex Circuit Technology |
| 4096 | 5962R0150202QXC | RadHard 1750AR RISC микроконтроллеров: SMD. 16 МГц, RH микроконтроллер. Вопрос класса Ведущий золото отделка. Всего рад доза 1E5 (Si). | Aeroflex Circuit Technology |
| 4097 | 5962R0150202QXX | RadHard 1750AR RISC микроконтроллер: SMD. 16 МГц, RH микроконтроллер. Класс В. Ведущий отделка по желанию. Всего рад доза 1E5 (Si). | Aeroflex Circuit Technology |
| 4098 | 5962R0150202QYC | RadHard 1750AR RISC микроконтроллеров: SMD. 16 МГц, RH микроконтроллер. Вопрос класса Ведущий золото отделка. Всего рад доза 1E5 (Si). | Aeroflex Circuit Technology |
| 4099 | 5962R0150202VXA | RadHard 1750AR RISC микроконтроллеров: SMD. 16 МГц, RH микроконтроллер. Класс В. Ведущий отделка припой. Всего рад доза 1E5 (Si). | Aeroflex Circuit Technology |
| 4100 | 5962R0150202VXC | RadHard 1750AR RISC микроконтроллер: SMD. 16 МГц, RH микроконтроллер. Класс В. Ведущий отделка золотом. Всего рад доза 1E5 (Si). | Aeroflex Circuit Technology |
| | | |
