|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



2N6649 изготавливается путем:English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versione italiana per questa pagina Versão portuguese para esta página
Информация для частей производства MOSPEC SemiconductorСИЛА TRANSISTORS(10A, 100w)

Другие с той же файл данные:
2N6385, 2N6384, 2N6383, 2N6648, 2N6650,
скачать 2N6649 лист данных ( datasheet ) от
MOSPEC Semiconductor
pdf
152 kb
Информация для частей производства General Electric Solid State10 PNP Дарлингтона мощный транзистор. -60 В. 70 В. Усиление 1000 в 5 А. скачать 2N6649 лист данных ( datasheet ) от
General Electric Solid State
pdf
197 kb
Информация для частей производства Central SemiconductorОсвинцованный Транзистор Силы Darlington скачать 2N6649 лист данных ( datasheet ) от
Central Semiconductor
pdf
97 kb
Информация для частей производства MicrosemiТранзистор PNP Darlington

Другие с той же файл данные:
JANTXV2N6648, JANTXV2N6649, JAN2N6650, JAN2N6649, JAN2N6648,
скачать 2N6649 лист данных ( datasheet ) от
Microsemi
pdf
61 kb
2N6648Посмотреть 2N6649 в наш каталог2N6650



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com