 |
|
| | Главная страница | Все производители | В функции | |
|
| Быстрый переход к: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
| 2SB831 изготавливается путем: | 
|
 | ПРОЦЕСС Транзистора Эпитаксиальный Плоскостной Type(PCT Кремния PNP) | скачать 2SB831 лист данных ( datasheet ) от Hitachi Semiconductor |
pdf 29 kb |
| Транзистор кремния PNP эпитаксиальный плоскостной с регулятором Diode(Chopper барьера Shottky) | скачать 2SB831 лист данных ( datasheet ) от Hitachi Semiconductor |
pdf 30 kb |
 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | скачать 2SB831 лист данных ( datasheet ) от Renesas |
pdf 45 kb |
| 2SB829 | Посмотреть 2SB831 в наш каталог | 2SB834 |