|
| Главная страница | Все производители | В функции | |
|
Быстрый переход к: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
BC847C-G изготавливается путем: |
Слабый сигнал транзистора, V СВО = 50В, V CEO = 45В, V EBO = 6В, я C = 0.1A | скачать BC847C-G лист данных ( datasheet ) от Comchip Technology |
pdf 152 kb |
BC847C-7-F | Посмотреть BC847C-G в наш каталог | BC847CDLP |