 |
|
| | Главная страница | Все производители | В функции | |
|
| Быстрый переход к: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
| BD536 изготавливается путем: | 
|
 | 50.000W средней мощности PNP Пластиковые выводами транзистора. 60V VCEO, 8.000A Ic, 20 HFE. Другие с той же файл данные: BD533, BD533J, BD533K, BD534, BD535, |
скачать BD536 лист данных ( datasheet ) от Continental Device India Limited |
pdf 30 kb |
 | дополняют кремния PNP пластик силового транзистора. 60 V, 4, 50 Вт Другие с той же файл данные: BD538, BD537, |
скачать BD536 лист данных ( datasheet ) от Motorola |
pdf 193 kb |
 | КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ | скачать BD536 лист данных ( datasheet ) от SGS Thomson Microelectronics |
pdf 50 kb |
| КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ | скачать BD536 лист данных ( datasheet ) от SGS Thomson Microelectronics |
pdf 50 kb |
 | КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ | скачать BD536 лист данных ( datasheet ) от ST Microelectronics |
pdf 64 kb |
 | Транзистор Кремния PNP Эпитаксиальный - Высоковольтный Транзистор | скачать BD536 лист данных ( datasheet ) от Fairchild Semiconductor |
pdf 41 kb |
 | Эпитаксиальное-база кремния PNP VERSAWATT транзистор. -60V, 50W. | скачать BD536 лист данных ( datasheet ) от General Electric Solid State |
pdf 201 kb |
| BD535J | Посмотреть BD536 в наш каталог | BD5360 |