 |
|
| | Главная страница | Все производители | В функции | |
|
| Быстрый переход к: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
| K4E151612D-T изготавливается путем: | 
|
 | 1M х 16 бит CMOS динамического ОЗУ с расширенными данными вне. Поставка 3,3 Напряжение, 1K цикл обновления. Другие с той же файл данные: K4E171612D-J, K4E171611D-J, K4E151612D-J, K4E151611D-T, K4E151611D-J, |
скачать K4E151612D-T лист данных ( datasheet ) от Samsung Electronic |
pdf 552 kb |
| K4E151612D-J | Посмотреть K4E151612D-T в наш каталог | K4E16(7)0411(2)D |