|
| Главная страница | Все производители | В функции | |
|
Быстрый переход к: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
K4E170412D-F изготавливается путем: |
4M х 4 бит CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне. Поставка 3,3 Напряжение, 4K цикл обновления. Другие с той же файл данные: K4E170411D-F, K4E170412D-B, K4E160411D-B, K4E160411D-F, K4E160412D-B, |
скачать K4E170412D-F лист данных ( datasheet ) от Samsung Electronic |
pdf 258 kb |
K4E170412D-B | Посмотреть K4E170412D-F в наш каталог | K4E170811D |