|
| Главная страница | Все производители | В функции | |
|
Быстрый переход к: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
PHB112N06T изготавливается путем: |
транзистор field-effect режима повышения Н-kanala | скачать PHB112N06T лист данных ( datasheet ) от Philips |
pdf 91 kb |
PHB110NQ08T | Посмотреть PHB112N06T в наш каталог | PHB119NQ06T |