|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 27268 | 27269 | 27270 | 27271 | 27272 | 27273 | 27274 | 27275 | 27276 | 27277 | 27278 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
1090881SGS6N60UFDTUДискретный, высокий класс исполнения IGBT с диодомFairchild Semiconductor
1090882SGS6N60UFTUДискретный, Высокий класс исполнения IGBTFairchild Semiconductor
1090883SGSD100КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ DARLINGTON КРЕМНИЯST Microelectronics
1090884SGSD100КОМПЛЕМЕНТАРНЫЙ КРЕМНИЙ, ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ DARLINGTONSGS Thomson Microelectronics
1090885SGSD100КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ DARLINGTON КРЕМНИЯSGS Thomson Microelectronics
1090886SGSD200КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ DARLINGTON КРЕМНИЯST Microelectronics
1090887SGSD200КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ DARLINGTON КРЕМНИЯSGS Thomson Microelectronics
1090888SGSD200КОМПЛЕМЕНТАРНЫЙ КРЕМНИЙ, ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ DARLINGTONSGS Thomson Microelectronics
1090889SGSD310150W; V (ССВ): 600; V (генеральный директор): 400; 28А; высокого напряжения, высокая мощность, быстрое переключение кремния multiepitaxial плоская NPNSGS Thomson Microelectronics
1090890SGSD311150W; V (ССВ): 600; V (генеральный директор): 400; 28А; высокого напряжения, высокая мощность, быстрое переключение кремния multiepitaxial плоская NPNSGS Thomson Microelectronics
1090891SGSD311FI150W; V (ССВ): 600; V (генеральный директор): 400; 28А; высокого напряжения, высокая мощность, быстрое переключение кремния multiepitaxial плоская NPNSGS Thomson Microelectronics
1090892SGSF344V (ЕЭП): 1200 В; V (генеральный директор): 600; V (Ebo): 7В; 7А; 85W; высокое напряжение быстрое переключение NPN транзистор питания. Для импульсныхSGS Thomson Microelectronics
1090893SGSF461125W; V (ЕЭП): 850V; V (генеральный директор): 400; V (Ebo): 7В; Я (с): 15A; быстрое переключение с полым эмиттер NPN-транзистор. Для SMPSSGS Thomson Microelectronics
1090894SGSF561150W; V (ЕЭП): 850V; V (генеральный директор): 400; V (Ebo): 7В; Я (с): 15A; быстрое переключение с полым эмиттер NPN-транзистор. Для SMPSSGS Thomson Microelectronics
1090895SGSIF344ST Microelectronics
1090896SGSIF344NPN транзистор питания для импульсных источников питания и горизонтального отклонения для цветной телевизор и мониторы приложениSGS Thomson Microelectronics
1090897SGSIF344FPТРАНЗИСТОР СИЛЫ ВЫСОКОГО НАПРЯЖЕНИЯ FAST-SWITCHING NPNSGS Thomson Microelectronics
1090898SGSIF344FPТРАНЗИСТОР СИЛЫ ВЫСОКОГО НАПРЯЖЕНИЯ FAST-SWITCHING NPNST Microelectronics
1090899SGSIF444ST Microelectronics
1090900SGSIF444NPN транзистор питания для импульсных источников питания и горизонтального отклонения для цветной телевизор и мониторы приложениSGS Thomson Microelectronics
1090901SGSIF46165W; V (ЕЭП): 850V; V (генеральный директор): 400; V (Ebo): 7В; Я (с): 15A; быстрое переключение с полым эмиттер NPN-транзистор. Для SMPSSGS Thomson Microelectronics
1090902SGSP216ТРАНЗИСТОРЫ MOS СИЛЫ N-CHANNELST Microelectronics
1090903SGSP216N-канальный силовой МОП-транзистор, 250В, 6АSGS Thomson Microelectronics
1090904SGSP217ТРАНЗИСТОРЫ MOS СИЛЫ N-CHANNELST Microelectronics
1090905SGSP217N-канальный силовой МОП-транзистор, 200В, 6АSGS Thomson Microelectronics
1090906SGSP316ТРАНЗИСТОРЫ MOS СИЛЫ N-CHANNELST Microelectronics
1090907SGSP316N-канальный силовой МОП-транзистор, 250В, 6АSGS Thomson Microelectronics
1090908SGSP317ТРАНЗИСТОРЫ MOS СИЛЫ N-CHANNELST Microelectronics
1090909SGSP317N-канальный силовой МОП-транзистор, 200В, 6АSGS Thomson Microelectronics
1090910SGSP477Транзистор Mos Силы Режима Повышения Н-KanalaST Microelectronics
1090911SGSP477CHIPТранзистор mos силы режима повышения Н-Kanala в форме плашкиST Microelectronics
1090912SGSP516ТРАНЗИСТОРЫ MOS СИЛЫ N-CHANNELST Microelectronics
1090913SGSP516N-канальный силовой МОП-транзистор, 250В, 6АSGS Thomson Microelectronics
1090914SGSP517ТРАНЗИСТОРЫ MOS СИЛЫ N-CHANNELST Microelectronics
1090915SGSP517N-канальный силовой МОП-транзистор, 200В, 6АSGS Thomson Microelectronics
1090916SGU04N60Быстрое IGBT в НПТ-texnologiiInfineon
1090917SGU15N40Общее описаниеFairchild Semiconductor
1090918SGU15N40LIGBT-IPMFairchild Semiconductor
1090919SGU15N40LTUДискретно, IGBTFairchild Semiconductor
1090920SGU20N40LIGBT-IPMFairchild Semiconductor
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 27268 | 27269 | 27270 | 27271 | 27272 | 27273 | 27274 | 27275 | 27276 | 27277 | 27278 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versão portuguese para esta página



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com